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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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制絨設(shè)備工序流程

時(shí)間: 2016-03-23
點(diǎn)擊次數(shù): 460

?單晶制絨操作工藝
?????? 單晶硅片制絨工藝流程,主要包括以下幾個(gè)方面。


??1.裝片
?????? ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。
?????? ②將倉庫領(lǐng)來的硅片從箱子中取出,以2o0片為一個(gè)生產(chǎn)批次,把硅片插入清洗小花籃,在裝片過程中,由于硅片易碎,插片員需輕拿輕放;來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片,不能流人生產(chǎn)線,及時(shí)報(bào)告品管員,將這些硅片分類放置、集中處理;有缺片現(xiàn)象時(shí),要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數(shù)。
????? ?③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時(shí)間和主要操作員。
?????? ④裝完一個(gè)生產(chǎn)批次后,把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上,等待制絨。


??
2.開機(jī)
?????? ①操作員打開工藝排風(fēng),打開壓縮空氣閥門,打開設(shè)備進(jìn)水總閥。
???? ? ②操作員打開機(jī)器電源,待設(shè)備自檢完成并顯示正常后,在手動(dòng)操作界面下手動(dòng)打開槽蓋,檢查槽蓋的靈活性,檢查機(jī)械手運(yùn)行是否正常。
????? ?③操作員將裝好硅片的小花籃放在花籃承載框中,然后將承載框搬到上料臺(tái)上。
????? ?④操作員在“手動(dòng)”模式下檢查單晶制絨工藝參數(shù)是否正常,按照工藝參數(shù),計(jì)算出
所含有naoh、na2sio3、(ch3)2choh和酒精的量,配溶液之前先清洗好制絨槽。關(guān)閉排水閥,打開進(jìn)水閥門,向制絨槽中緩慢加入78℃的純水,然后向槽中加人naoh,打開循環(huán)泵,充分?jǐn)嚢杈鶆颍?ch3)2choh和添加劑在上料時(shí)加入制絨槽(化學(xué)藥品的添加順序不能混淆),按照要求向氫氟酸槽和鹽酸槽中加入hf和hcl。
????? ?⑤操作員將運(yùn)行模式設(shè)置為“自動(dòng)”,按“啟動(dòng)”鍵啟動(dòng)程序。


?? 3.生產(chǎn)過程
???? ? ①將裝好硅片的小花籃放在花籃承載框中,然后將承載框搬到上料臺(tái)上。
????? ?②工藝槽溫度設(shè)定和啟動(dòng)加熱。根據(jù)參數(shù)設(shè)定工藝溫度,啟動(dòng)加熱器使槽內(nèi)液體升溫。要特別注意:槽內(nèi)沒有水或溶液不能開加熱器,否則會(huì)燒壞加熱器。每次只能啟動(dòng)3個(gè)槽同時(shí)加熱,待恒溫后,再啟動(dòng)另外3個(gè)槽。
???????③加熱制絨液體到設(shè)定溫度以后,根據(jù)本班目標(biāo)生產(chǎn)量在控制菜單上進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(包括粗拋、堿蝕、噴淋、鼓泡漂洗時(shí)間和產(chǎn)量的設(shè)置)。
????? ?④參數(shù)設(shè)置完畢,在手動(dòng)狀態(tài)下按“復(fù)位”鍵,運(yùn)行模式撥到“自動(dòng)”狀態(tài),按“啟動(dòng)”鍵,機(jī)器進(jìn)行復(fù)位,待機(jī)械手停止運(yùn)動(dòng)后即可上料生產(chǎn)。若不立即生產(chǎn),則暫時(shí)撥回“手動(dòng)”狀態(tài)。
????? ?⑤配制溶液
????? ?a.濃度要求? 粗拋液的濃度要求為:粗拋液中naoh:h2o=11.8%(質(zhì)量比);粗拋液自動(dòng)補(bǔ)堿箱中naoh:h2o=15%(質(zhì)量比);制絨液中naoh:h2o=1.76%(質(zhì)量比),na2sio3:h2o=1.26%(質(zhì)量比),c2h5oh:h2o=5.0%(體積比)。
???? ? b.溶液配置過程
???? ? 粗拋液配置過程? 清洗好粗拋槽,關(guān)閉排水閥門,打開進(jìn)水閥門,向槽中緩慢放水,同時(shí)向槽中倒入naoh粉末,控制速度,在槽中約放入2/3槽水的同時(shí)加入10kg naoh,關(guān)閉槽蓋,在控制面板上打開加熱開關(guān),對槽中液體開始加熱。待溫度升至70℃時(shí),打開槽蓋,再向槽中倒人10kg naoh粉末并注水,同時(shí)用水瓢對溶液進(jìn)行攪拌,以使naoh充分溶解,液面升至溢水口下方2cm處時(shí)停止注水。
????? ?制絨液配置計(jì)算出170l制絨液所含有的naoh、na2sio3和無水乙醇的量,清洗好制絨槽,關(guān)閉排水閥門,打開進(jìn)水閥門,向槽中緩慢放水,同時(shí)向槽中倒入naoh、na2sio3和無水乙醇,過程中用水瓢不斷攪拌溶液,待加完naoh、na2sio3和無水乙醇后,放水調(diào)整液面至溢水口下方2cm處,關(guān)閉槽蓋,在控制面板上打開加熱開關(guān),對槽中液體開始加熱。生產(chǎn)時(shí)再向槽中加入1l無水乙醇。
?????? c.參數(shù)設(shè)置。
??? ?? ⑥生產(chǎn)過程
????? ?a.運(yùn)行模式設(shè)置為“自動(dòng)”,按“啟動(dòng)”鍵啟動(dòng)程序,按照制絨機(jī)設(shè)定好的參數(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。
????? ?b.機(jī)械手將承載框平移,依次送到各處理工位,對硅片進(jìn)行超聲預(yù)清洗、制絨、鹽酸中和、氫氟酸去氧化層等,經(jīng)過11個(gè)處理工位全過程處理后,承載框由自動(dòng)機(jī)械手移到出料工位,再由操作員將小花籃取出。
????? ?11個(gè)處理工位具體為:超聲預(yù)清洗→溫水漂洗→腐蝕制絨→噴淋→漂洗→hcl處理→漂洗→hf處理→漂洗→噴淋→漂洗。
????? ?c.每制絨一籃,粗拋液、制絨液內(nèi)都要補(bǔ)充naoh,補(bǔ)充量根據(jù)消耗量確定,并適當(dāng)補(bǔ)充去離子水。
????? ?注意? 整個(gè)自動(dòng)運(yùn)行過程中,操作員不能離開,需時(shí)刻監(jiān)視設(shè)備運(yùn)行情況。
????? ?⑦甩干
????? ?a.將裝滿硅片的小花籃放入甩干機(jī)中,啟動(dòng)設(shè)備,甩干。注意每班開機(jī)后先空甩一次。
????? ?b.操作員將花籃承載框放人傳遞窗中,上料員從傳遞窗中取出花籃承載框,并放到指定地點(diǎn)。
????? ?c.記錄甩干后合格的硅片,并通過傳遞窗流向下一道擴(kuò)散工序。
????? ?⑧自檢
?????? a.在制絨過程中和甩干后,各操作過程的操作員需對每一批次硅片進(jìn)行自檢,符合工藝、質(zhì)量要求才能流至下道工序,不符合要求的及時(shí)通知品管員。
?????? b.自檢時(shí),主要觀察是否有裂痕、缺角、崩邊、指紋印、污漬、藥液水珠、明顯發(fā)白及發(fā)亮,均無的為制絨合格,正常往下流。將無法繼續(xù)生產(chǎn)的硅片取出,并填寫出片數(shù),記錄好流程卡。
?????? ⑨關(guān)機(jī)在長時(shí)間不進(jìn)行生產(chǎn)的情況下,停止設(shè)備運(yùn)行,關(guān)閉電源,鎖上電鎖,關(guān)閉氣體閥門,關(guān)閉總電源,鎖好電柜。清潔、維護(hù)設(shè)備。


??4.設(shè)備操作規(guī)程運(yùn)行需滿足的條件
???? ? ①電源啟動(dòng)。
????? ?②壓縮空氣0.5mpa。
????? ?③氮?dú)?.3mpa。
????? ?④水閥打開并調(diào)制規(guī)定流量。
?????? ⑤所有槽液位達(dá)到上限。
?????? ⑥機(jī)械臂在上料臺(tái)上限位。
?????? ⑦加熱器溫度達(dá)到設(shè)定值。
?????? ⑧凈化送風(fēng)排風(fēng)通暢微正壓。


????5.工藝衛(wèi)生要求
????? ?①不允許用手直接接觸硅片,插片時(shí)戴好一次性手套。插完硅片后,應(yīng)立即更換,不得重復(fù)使用。
????? ?②制絨車間要保持清潔,地面常有堿液或干堿,要經(jīng)常打掃。
?????? ③盛過堿液或乙醇的塑料桶要及時(shí)刷洗,不可無標(biāo)識(shí)長時(shí)間用桶盛堿液或乙醇。
?????? ④物品和工具定點(diǎn)放置,用過的工具要放回原位,嚴(yán)禁亂放,保持硅片盒和小花籃清潔。
???? ? ⑤每班下班前要對制絨設(shè)備進(jìn)行衛(wèi)生清理,擦掉機(jī)器上面的堿,擦掉槽蓋上的硅膠。


?? 6.注意事項(xiàng)
???? ? ①停做滯留的硅片要用膠帶封好箱,標(biāo)簽注明材料批號、供應(yīng)商和實(shí)際數(shù)目。
????? ?②每批投片前要檢查化學(xué)腐蝕槽中的液位,不合適的要及時(shí)調(diào)整。
???? ? ③小花籃和承載框任何時(shí)候不能放在地上。
????? ?④嚴(yán)格按照工序控制標(biāo)準(zhǔn)檢查絨面質(zhì)量,絨面不合格的硅片要按照檢驗(yàn)卡片和工序控制點(diǎn)操作指導(dǎo)卡規(guī)定的程序進(jìn)行處置。
????? ?⑤硅片在制絨槽時(shí),絕不能拿出硅片檢查絨面情況,要進(jìn)入漂洗槽后再查看絨面情況。
?????? ⑥操作化學(xué)藥品時(shí),一定要戴好防護(hù)面具和防護(hù)手套。
???? ? ⑦制絨設(shè)備的窗戶在不必要時(shí)不要打開。機(jī)器設(shè)備在運(yùn)行時(shí),不得把頭、手伸進(jìn)機(jī)器內(nèi),以防造成傷害事故。
???? ? ⑧制絨機(jī)衛(wèi)生保養(yǎng)時(shí),要防止電線浸水短路,擦洗槽蓋時(shí)要防止溶液的污染。
???? ? ⑨在正常生產(chǎn)運(yùn)行過程中,設(shè)備出現(xiàn)任何異?;驁?bào)警,應(yīng)及時(shí)通知設(shè)備、工藝、品質(zhì)人員,生產(chǎn)現(xiàn)場留守1人觀察,禁止操作。

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