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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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華林科納(江蘇)CSE關注新聞——硅晶圓前五大供貨商全球市占率達92%

時間: 2017-04-25
點擊次數(shù): 255

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導讀:?目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中,包括信越半導體、勝高、臺灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等,全球市占率達92%,其中勝高是臺積電最大供貨商,其次是信越,但信越全球市占高達27%,略高于勝高的26%,預料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價下...


全球前二大半導體硅晶圓廠信越半導體和日本勝高(SUMCO)達成默契,下半年硅晶圓漲幅僅一成,遠低于市場傳言的三成,跌破市場眼鏡。

此外,勝高也與臺積電議定四年的供應長約,約定漲幅不會超過四成,凸顯面臨硅晶圓供不應求的情況,全球市占超過五成的日本二大半導體硅晶圓廠決定維持溫和調(diào)漲,不希望急漲讓部分停產(chǎn)的小廠死灰復燃。

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這也是硅晶圓在連二季大漲后,主要供應大廠在價格策略踩煞車,對近期市場傳出下半年再漲三成,且明年再漲一倍的傳言,澆了一盆冷水。

臺積電最大硅晶圓供貨商日本勝高,證實對臺積電硅晶圓供應價格不會如外傳般狂飆,而會采取溫和且保證長期供應穩(wěn)定,不會恣意漲價。

半導體業(yè)者表示,全球硅晶圓過去因長期處于供過于求,不堪嚴重虧損,部分業(yè)者逐步停產(chǎn)或出售,例如環(huán)球晶近幾年就相繼收購日本CVS和美國的半導體硅晶圓廠。

但前年半導體硅晶圓逐趨供需平穩(wěn),前年下半年一度試著漲價,但短暫調(diào)漲一季后就沉寂。

去年下半年,市場擔心中國大陸晶圓廠產(chǎn)能開出后硅晶圓恐缺貨,因此大量屯積貨源,導致供需產(chǎn)生缺口,甚至連測試片都缺貨,導致今年首季主要供應大廠調(diào)漲硅晶圓售價10%到15%,環(huán)球晶圓等本季更擴大漲幅至20%。

不過,近期法人密集拜會中芯、勝高、信越都表示,硅晶圓漲幅不會如外傳般大,會采取溫和漲價。

對于中國大陸高達十多座12吋晶圓廠將陸續(xù)產(chǎn)出,大陸主要供應12吋晶圓的新升半導體現(xiàn)正著手擴大產(chǎn)出,似乎也不想硅晶圓供貨遭日商控制。

目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中,包括信越半導體、勝高、臺灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等,全球市占率達92%,其中勝高是臺積電最大供貨商,其次是信越,但信越全球市占高達27%,略高于勝高的26%,預料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價下,這波硅晶圓漲勢,將趨收斂。

業(yè)者:硅晶圓溫溫漲有利產(chǎn)業(yè)

半導體硅晶圓廠縮減下半年漲幅,讓晶圓代工廠臺積電等大廠松了一口氣。不過硅晶圓采取溫漲價策略,其實有助產(chǎn)業(yè)更趨于健康。

半導體業(yè)者分析,日商二大晶圓廠不想趁晶圓供需失衡,坐地起價,除了考量市場并非寡占,各家都想多從對手中多獲取更多市占。

例如這波缺貨中,信越半導體就想增加對臺積電硅晶圓的供應量,因此不愿漲幅過大,因而牽制勝高的漲價行動,勝高也乘勢與臺積電簽訂長約,鞏固長期合作。

臺積電目前是全球半導體業(yè)領頭羊,硅晶圓用量居臺廠之冠,長期以來硅晶圓采購也都維持分散原則。

不過,硅晶圓廠強調(diào),這波硅晶圓漲價,硅晶圓占臺積電等晶圓代工廠成本也只不過才5~6%,相較過去在90納米世代,一片硅晶圓賣價200美元,硅晶圓占制造成本近10%,今年硅晶圓漲價對晶圓制造廠,尤其是先進制程占比高的臺積電,增加的成本有限,也是業(yè)者認為在缺貨問題到明年未能解決下,還有再漲的空間。

業(yè)者估計,今年硅晶圓上半年漲幅30%,下半年雖然漲幅收斂,但估計今年漲幅也達40%,對剛收購美商SunEdison半導體事業(yè)的環(huán)球晶圓是最大的利多。

環(huán)球晶圓原本市占僅7%,收購SunEsison半導體部門后,全球市占躍升至17%,成為全球第三大供應商,未來也有機會切入臺積電、三星、IBM及英特爾的供應鍵,加上硅晶圓漲價,讓環(huán)球晶圓原本預定收購SunEdison可能得花二年時間才能損平,有機會在今年提前達陣。

硅晶圓廠建議簽長約,代工廠競爭加劇

全球半導體硅晶圓供應缺口持續(xù)擴大,近期業(yè)界傳出硅晶圓龍頭供應商信越半導體,已向臺積電、聯(lián)電提議簽三年長約,以確??蛻粑磥砹显垂┴洘o虞,甚至信越透露包括英特爾(Intel)、GlobalFoundries(GF)兩家美系半導體大廠,均已同意簽長約,將這一波硅晶圓搶產(chǎn)能戲碼推至高潮,但亦將讓未來幾年晶圓代工價格戰(zhàn)火更劇烈。

半導體業(yè)者指出,過去硅晶圓廠虧損累累,不愿新增產(chǎn)能,近幾年高階製程熱潮崛起,對硅晶圓規(guī)格要求拉高,可提供10、7納米規(guī)格硅晶圓的業(yè)者寥寥可數(shù),讓高階製程硅晶圓變成洛陽紙貴,加上全球瘋狂擴產(chǎn)3D NAND Flash,以及大陸半導體12吋廠擴建潮,更讓全球硅晶圓陷入瘋狂缺貨窘境,漲價潮從12吋硅晶圓蔓延至8、6吋硅晶圓,每季都有約10%漲幅。

目前硅晶圓最大供應商就是信越,業(yè)界透露近期信越終于發(fā)動攻勢,對于全球主要半導體客戶發(fā)出邀請函,信越強調(diào)將全力增加硅晶圓產(chǎn)能,但希望客戶能以行動支持,簽下三年的產(chǎn)能保障供貨合約,并提出一定數(shù)量的產(chǎn)能和價格作保護。

半導體業(yè)者表示,臺積電和聯(lián)電已開始評估是否簽此長約,且信越為讓兩家大廠點頭,透露英特爾、GlobalFoundries已同意簽約,這代表未來三年英特爾和GlobalFoundries將可掌握足夠的硅晶圓來擴增高階製程,甚至發(fā)動價格戰(zhàn),引爆另一波搶奪晶圓代工市佔戰(zhàn)火。

信越將新增的產(chǎn)能主要是10、7、5納米12吋硅晶圓產(chǎn)能,針對高階智慧型手機應用,放眼全球硅晶圓廠,其他供應大廠如Sumco、德國Wacher旗下Siltronic等,恐怕都沒有本錢跟進,但未來不排除會效法信越簽長約方式,來綁住主要客戶。

未來三年若信越的硅晶圓主要產(chǎn)能,都被臺積電、聯(lián)電、英特爾、GlobalFoundries等大廠鎖住,信越能提供其他半導體陣營、甚至是大陸半導體廠的產(chǎn)能將減少,恐讓硅晶圓供給吃緊的時間點拉長,其他客戶亦會追價爭搶剩馀的料源。

半導體業(yè)者指出,自從2016年第4季硅晶圓嚴重缺貨以來,業(yè)界便在猜測誰會開出簽長約的第一槍,結果如預期是由信越發(fā)動攻勢,且時間點提前不少,代表這家龍頭廠已看到未來幾年硅晶圓缺口將持續(xù)擴大,并提前備戰(zhàn),進一步甩開競爭對手的追趕。

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