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溝槽腐蝕機

上市日期: 2018-09-25

溝槽腐蝕機

溝槽腐蝕機-CSE


概述

1.1 設(shè)備概況:

主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對si片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。

1.1.1 設(shè)備名稱:溝槽腐蝕機

1.1.2 設(shè)備型號:CSE-SC-N601

1.1.3 整機尺寸(參考):約2000mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);

1.1.4 被清洗硅片尺寸:5寸/6寸

1.1.5 設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;

1.1.6 操作形式:手動


1.2 設(shè)備組成

該設(shè)備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成

設(shè)備工藝走向:參照本方案臺面布局圖


1.3 設(shè)備描述

●此裝置是一個半自動的處理設(shè)備。

●8.0英寸PROFACE 人機界面顯示 / 檢測 / 操作

●主體材料:10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;

●化學槽槽體材料:德國勞士領(lǐng) 10mm ?PVDF板;

●純水槽槽體材料:德國勞士領(lǐng) 10mm ?NPP板;

●臺面板為10mm PP板(帶有菱形漏液孔);

●DIW主管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,支管路及閥件采用PFA材質(zhì),需滿足18M去離子水水質(zhì)要求;酸 堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;

●采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成

●排風:位于機臺后下部

●工作照明:上方防酸型白光照明

●歐姆龍/三菱 PLC控制。

●安全考慮:

1. 設(shè)有EMO(急停裝置),?

2. 強電弱點隔離

3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面

4. 電控箱正壓裝置(CDA Purge)

5. 設(shè)備三層防漏 ?樓盤傾斜 ? 漏液報警 ?設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)

6. 排放管路加過濾裝置

7 排液按鈕具有連鎖功能。啟動排液時,同時切斷泵啟動。

8 槽內(nèi)配液位開關(guān),無液不循環(huán)。



更多半導體設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;

現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037,可立即免費獲取華林科納CSE提供的設(shè)備相關(guān)方案

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自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
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IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
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刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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