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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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單晶制絨操作工藝       單晶硅片制絨工藝流程,主要包括以下幾個方面。  1.裝片       ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。       ②將倉庫領(lǐng)來的硅片從箱子中取出,以2o0片為一個生產(chǎn)批次,把硅片插入清洗小花籃,在裝片過程中,由于硅片易碎,插片員需輕拿輕放;來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片,不能流人生產(chǎn)線,及時報告品管員,將這些硅片分類放置、集中處理;有缺片現(xiàn)象時,要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數(shù)。       ③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時間和主要操作員。       ④裝完一個生產(chǎn)批次后,把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上,等待制絨。  2.開機(jī)       ①操作員打開工藝排風(fēng),打開壓縮空氣閥門,打開設(shè)備進(jìn)水總閥。       ②操作員打開機(jī)器電源,待設(shè)備...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽電池系統(tǒng)中,在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢。化合物太陽電池在MOCVD工藝中需要生長多層晶體材料,并且是異質(zhì)結(jié)生長,容易產(chǎn)生晶格畸變。因此,化合物太陽電池對鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。  1.鍺單晶片的化學(xué)腐蝕工藝技術(shù)        通過采用不同的化學(xué)腐蝕液對鍺單晶片進(jìn)行化學(xué)腐蝕,從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進(jìn)行比較,最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學(xué)腐蝕工藝,并通過不同腐蝕液對鍺腐蝕速率影響的研究,為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細(xì)的參考。   2.鍺單晶片的拋光工藝技術(shù)        主要討論了拋光工藝參數(shù)對拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響,并通過工藝實驗,得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。  3.鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機(jī)理,通過對鍺拋光片表面有機(jī)物和顆粒的去除技術(shù)研究,建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽電池的使用要求。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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產(chǎn)品簡介:        主要用于單晶太陽能電池片制造工藝中的制絨工藝,能夠有效去除硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層,并在硅片表面制備一個反射率在10%~20%的織構(gòu)表面,形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。 產(chǎn)品特點:        預(yù)清潔工序使制絨更均勻        低化學(xué)劑消耗,可靈活調(diào)整配方     強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫支持異常追蹤  先進(jìn)的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性  性價比高,售后服務(wù)快捷   蘇州華林科納的太陽能制絨酸洗機(jī)主要特點如下:    1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽能硅片的制絨酸洗    2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做,外包德國進(jìn)口磁白聚丙稀pp板,美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。    3.隔板:在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板,1#槽單獨排風(fēng),防止1#槽中揮發(fā)的有機(jī)氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù):355
1.太陽能概況  太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源,生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來自太陽能,廣義地說,太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種,則是指太陽能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽能熱利用技術(shù),再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱為太陽能熱發(fā)電,也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域;通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽能光發(fā)電技術(shù),光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的,因此又稱太陽能光伏技術(shù)。 二十世紀(jì)50年代,太陽能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項重大技術(shù)突破:一是1954年美國貝爾實驗室研制出6%的實用型單晶硅電池,二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。這兩項技術(shù)突破為太陽能利用進(jìn)入現(xiàn)代發(fā)展時期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來,鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加,世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能和可再生能源的熱潮。1973年,美國制定了政府級的陽光發(fā)電計劃,1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃,累計投入達(dá)8億多美元。1992年,美國政府頒布了新的光伏發(fā)電計劃,制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽光計劃”,1993年將“月光計劃”(節(jié)能計劃)、“環(huán)境計劃”、“陽光計劃”合并成“新陽光計劃”。德國等歐共體國家及一些發(fā)展中國...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一、硅片檢測        硅片是太陽能電池片的載體,硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低,因此需要對來料硅片進(jìn)行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測量,這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中,光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進(jìn)行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù);微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個檢測模組,其中一個在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片類型,另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測之前,需要先對硅片的對角線、微裂紋進(jìn)行檢測,并自動剔除破損硅片。硅片檢測設(shè)備能夠自動裝片和卸片,并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?,從而提高檢測精度和效率。 二、表面制絨        單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一、電池片工藝流程       制絨(INTEX)---擴(kuò)散(DIFF)---后清洗(刻邊/去PSG)---鍍減反射膜(PECVD)---絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)---測試、分選(TESTER+SORTER)---包裝(PACKING)。二、前清洗(制絨)知識簡介       1、RENA前清洗工序的目的:       (1)去除硅片表面的機(jī)械損傷層(來自硅棒切割的物理損傷);       (2)清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(zhì)(利用HCl); ?。?)形成起伏不平的絨面,利用陷光原理,增加對太陽光的吸收,在某種程度上增加了PN結(jié)面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。       2、前清洗工藝步驟:制絨→堿洗 →酸洗→吹干       Etch bath:刻蝕槽,用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ,作用:     (1)去除硅片表面的機(jī)械損傷層;  &...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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1、導(dǎo)電類型conductivity type   2、n-型半導(dǎo)體  n-type semiconductor       多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。   3、p-型半導(dǎo)體  p-type semiconductor       多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。   4、載流子  carrier       固體中一種能夠傳輸電荷的載體,又稱荷電載流子。例如,半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。   5、少數(shù)載流子minority carrier       小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如:p型半導(dǎo)體中的電子。   6、雜質(zhì)濃度impurity concentration       單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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晶片表面清洗       潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求,但并不是在每個高溫下的操作前都必須進(jìn)行。一般說來,全部工藝過程中的高達(dá)20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝,將貫穿芯片生產(chǎn)的全過程。        半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對無污染晶片需求不斷增長而發(fā)展的過程。晶片表面有四大常見類型的污染,每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問題,并可用不同的工藝去除。這四種類型是:     1.顆粒     2.有機(jī)殘余物     3.無機(jī)殘余物     4.需要去除的氧化層        通常來說,一個晶片清洗的工藝或一系列的工藝,必須在去除晶片表面全部污染物(上述類型)的同時,不會刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的,是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對清洗工藝的設(shè)計適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線(FEOL),特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中,晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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砷化鎵是一種感光性能比當(dāng)前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽光40%的轉(zhuǎn)化為電能,轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍,因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電磁板的材料。然而,超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片,成本居高不下,限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求,是希望能夠達(dá)到對晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點、塵埃、臟點等。在清洗上存在的難題,可以采用超聲波清洗機(jī)能夠達(dá)到理想的清洗效果。       超聲波清洗機(jī)的原理分解,可以達(dá)到物件全面潔凈的清洗效果,特別對盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備,不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強(qiáng)力空腔化作用,可以在短時間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污,完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。       超聲波清洗機(jī)清洗效果好,清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快,提高生產(chǎn)效率,不須人手接觸清洗液,安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求,選用超聲波清洗機(jī)清洗。言之,超聲波清洗機(jī)的基本原理是以每秒幾萬次的振動,在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時產(chǎn)生很大的沖擊力,當(dāng)被洗工件受到這個外力沖擊時,工件表面的沾污就被剝離,達(dá)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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太陽能電池片的淺結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)高效太陽能電池的有效途徑之一,通常所說的淺結(jié)是指太陽能電池PN結(jié)結(jié)深小于0.3um,利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽能電池片表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度,提高短波段的光譜響應(yīng)。一、調(diào)整方向       1、提高少子壽命       2、提高短波吸收       3、減少死層       4、提高開路電壓二、高方阻的缺點       串聯(lián)電阻Rs=電極電阻+體電阻+薄層電阻+接觸電阻。高方阻使得表面薄層電阻明顯增加,增大了Rs,降低了FF。       方阻越高,需要越密的柵線與之配合,才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢,這其中有兩個難點,其一是高方阻均勻性的控制,其二是銀漿的選擇,需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等,使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。三、高方阻實現(xiàn)方法       1、低溫淀積+高濃度淀積    ...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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