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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言我們提出了一種新型的過氧化氫溶液中鐵板單晶金剛石襯底拋光技術(shù),使用了催化生成的羥基自由基(OH自由基),這是由鐵表面的過氧化氫分解產(chǎn)生的,產(chǎn)生了一個原子光滑和無損傷的單晶金剛石表面。為了在不降低金剛石基底高表面光滑度的情況下提高MRR值,我們提出并開發(fā)了采用先進氧化工藝的拋光技術(shù)。為了闡明該拋光技術(shù)中金剛石基底的拋光特性,采用紫外光照射和過氧化氫溶液中的o2或o3微氣泡進行了拋光實驗,采用掃描白光干涉法測定其表面粗糙度和MRR值。實驗結(jié)果表明,在過氧化氫溶液中照射紫外光,提供o2或o3微氣泡,顯著改善了MRR值。 實驗圖1顯示了本實驗中使用的實驗裝置的概念圖,在旋轉(zhuǎn)臺上安裝氧化氫水的加工槽,在加工槽的中央部配置了金屬定盤,然后,對于金屬定盤的旋轉(zhuǎn)軸,在與金剛石樣品對稱的位置配置了紫外光照射裝置,加工槽內(nèi)的過氧化氫水,通過泵經(jīng)常被吸引,通過微泡發(fā)生裝置混合O2―MB或者O3―MB,返回加工槽內(nèi)。本實驗的加工條件如表1所示。可以任意設(shè)定定盤以及樣品的旋轉(zhuǎn)速度、接觸負(fù)荷。  表格1加工前后的形狀和表面粗糙度,使用掃描型白色干涉顯微鏡進行了測定,加工效率是事先在加工前的基板上形成數(shù)百nm量級的溝,用掃描型白色干涉計測定并算出加工前后的溝深的變化量。 實驗結(jié)果加工前后的樣品表面的掃描型白色干涉顯微鏡像如圖2所示。...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 07
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料通過對異種半導(dǎo)體結(jié)(異質(zhì)結(jié))的能帶結(jié)構(gòu)進行最佳設(shè)計,實現(xiàn)了高頻、高輸出電子裝置、發(fā)光、受光元件等各種各樣的功能裝置。由于晶體生長上的制約,結(jié)晶結(jié)構(gòu)、對稱性相同,由晶格常數(shù)更接近的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。如果能夠在沒有這些制約的情況下形成異質(zhì)結(jié)的話,設(shè)計上的自由度就會擴大,期待實現(xiàn)超越現(xiàn)狀的高性能裝置。作為打破晶體生長技術(shù)界限的技術(shù),異種材料接合(粘接)受到關(guān)注,實現(xiàn)了晶體生長中難以實現(xiàn)的異質(zhì)接合。 在電荷中性點模型中, 比帶隙內(nèi)的電荷中性點更低能量的界面能級, 俘獲電子時為中性, 沒有俘獲電子時為正電荷(施主式俘獲),根據(jù)電荷中性點和界面的費米能級的上下關(guān)系,界面上會產(chǎn)生正或者負(fù)電荷。在p型半導(dǎo)體之間的接合中,通常,界面上的費米能級處于比電荷中性點低的位置,因此界面上存在正電荷。其結(jié)果,在接合界面附近形成了耗盡層(負(fù)的空間電荷)即對空穴的勢壘,產(chǎn)生界面電阻(圖3(a))。另一方面,在n型半導(dǎo)體之間的接合中,界面上存在負(fù)電荷。其結(jié)果,在接合界面附近形成了耗盡層(正的空間電荷)即對電子的勢壘。因此,與p型半導(dǎo)體之間的接合相同,會產(chǎn)生界面電阻(圖3(b))。 室溫下的I―V特性的熱處理溫度依賴性如圖4(a)和4(b)所示。I―V特性隨著熱處理發(fā)生了很大的變化。這個結(jié)果意味著在接合界面上形成了勢壘勢壘,其高度隨著熱處理發(fā)生了顯著的變化,在電荷...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言我們設(shè)計了一個帶有真空負(fù)載鎖定的單晶片爐,以克服批量生產(chǎn)和單晶片實時處理系統(tǒng)的缺點。本文詳細描述了熱源的設(shè)計概念和熱行為,討論了熱源配置的理論計算結(jié)果。描述了在升溫和降溫期間的晶片溫度表征結(jié)果以及使用熱源的典型工藝結(jié)果,討論了200毫米直徑硅片在表面等離子體處理過程中的缺陷產(chǎn)生現(xiàn)象和消除缺陷的方法,通過工藝參數(shù)優(yōu)化,獲得了無滑移的RTP工藝結(jié)果。為了簡單起見,假設(shè)每個加熱元件的溫度是相同的,圖1(a)和1(b)顯示了距離具有三種不同直徑(1、5和10毫米)的加熱元件,加熱元件的數(shù)量和間距分別固定在11和30毫米。 圖1在圖1(a)的插圖中,隨著加熱元件直徑的增加,歸一化視角的變化變小,絕對視角變大,具有更大直徑和/或更大加熱元件密度的加熱元件增加了熱源表面積和從觀察平面的視角,隨著表面積的增加,通過輻射交換相同熱量所需的加熱元件溫度變低。為了在熱源和晶片中獲得最小的溫度變化,需要平面熱源,隨著觀察點遠離加熱元件陣列的中心,歸一化和絕對視角減小。它們也隨著加熱元件和平面之間距離的增加而減少,這表明,當(dāng)輻射熱傳遞占主導(dǎo)地位時,具有均勻溫度的有限熱源不能在晶片上提供溫度均勻性。加熱元件的配置對熱源以及晶片的溫度均勻性起著重要作用,線性或圓形陣列的加熱元件被廣泛用作熱處理設(shè)備中的熱源,例如熔爐和RTP系統(tǒng)。為了在晶片上獲得合理的溫度均勻性,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料兩步半導(dǎo)體電鍍工藝將銅沉積到涂覆有半貴金屬的晶片上,沉積方式在晶片上是均勻的,并且在后電填充退火后沒有空隙。種子層電鍍浴使用獨特的脈沖波形在非常薄的薄膜中以高密度均勻一致地使銅成核,然后,在第二浴填充特征之前,對晶片進行退火。種子層退火提高了半貴金屬與銅界面的粘附性和穩(wěn)定性,并且在后填充退火之后,所得的銅界面保持無空隙。本發(fā)明總體上涉及用于在晶片上沉積銅的方法和設(shè)備,更具體地說,涉及用于在半導(dǎo)體晶片上電鍍銅種子層的方法和設(shè)備。它對于在鑲嵌和雙鑲嵌集成電路制造方法中電鍍銅特別有用,通過提供一種兩步半導(dǎo)體電鍍工藝來滿足這些需求,在涂有半貴金屬的晶片上形成非常薄且共形的銅種子膜。共形銅種子層的導(dǎo)電性足以用均勻且無空隙的大塊銅對溝槽和通孔進行大塊銅電填充。在本文中使用各種術(shù)語來描述半導(dǎo)體加工工作表面、“晶片和”襯底物可互換使用。通過電化學(xué)反應(yīng)將金屬沉積或鍍在導(dǎo)電表面上的過程通常稱為電鍍或電填充。散裝電填充是指電鍍相對大量的銅,以填充溝槽和溝孔。 除了使用新的擴散屏障材料外,銅種子層的工藝也必須進行改變,以克服PVD種子層的局限性。銅籽層的基本要求是連續(xù)的側(cè)壁覆蓋,在功能的頂部有足夠的開口尺寸,以便在電鍍過程中自下而上填充,以及與屏障的良好粘附性。 首先,討論了一般的銅電鍍硬件和專業(yè)領(lǐng)域,以為本發(fā)明的進一步細節(jié)提供背景。如圖所示1,表示...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文講述通過設(shè)計、制造和測試了一種高功率硅多芯片白LEDPKG。該封裝由鋁層涂層反射杯、微孔硅基和微透鏡組成。與最傳統(tǒng)的單片LEDPKG相比,多片白LEDPKG在成本、密度、尺寸、熱阻和光效率方面具有諸多優(yōu)點。經(jīng)過數(shù)值分析,采用簡單的MEMS技術(shù)制備了9mmX9mm、0.65mm尺寸的硅基多芯片LEDPKG?;诙嘈酒l(fā)光二極管封裝,實現(xiàn)了晶圓級制造和封裝技術(shù)。它不僅可以解決傳統(tǒng)裝結(jié)構(gòu)的問題,而且可以極大地提高發(fā)光二極管封裝的光學(xué)性能。然而,對半導(dǎo)體制造工藝的大量研究,硅基發(fā)光二極管封裝具有陣列封裝可擴展、熱阻小、可批量生產(chǎn)、成本低等優(yōu)點。在這項研究中,新的硅基多芯片封裝進行了研究,并制作了厚度為0.65的9mm×9mm封裝陣列,確定了優(yōu)化的芯片間距。本文的目的是實現(xiàn)了優(yōu)化高效的白色LED封裝,通常綠色芯片的亮度要低于藍色和紅色芯片。所以2個綠色芯片排列在一個空腔中。鋁的視覺波長反射率較好(參考值超過80%)。涂在反射面上,但由于銅與硅相比具有優(yōu)越的熱特性,因此銅熱溝位于所有芯片的下方。圖1為基于硅制造技術(shù)的多片片白色LED封裝示意圖。在圖2中,當(dāng)透鏡為內(nèi)切圓和周圓形狀時,光學(xué)損失分別發(fā)生了(a)和(b)的平均面積。對于內(nèi)切圓(a),其空腔與透鏡之間的填充系數(shù)必須低于矩形透鏡,無論腔長度和透鏡直徑如何,其填充系數(shù)始終為0.785。包...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言鍵合能在晶片鍵合過程中起著重要的作用,并研究了鍵能的溫度依賴性,以了解各種玻璃在硅/玻璃界面上的物理/化學(xué)相互作用。一些主要的玻璃屬性,如表面粗糙度、楊氏模量、應(yīng)變點、CTE和玻璃成分,已被評估為與成鍵能相關(guān),雖然其他屬性已被證明對粘合能不顯著,但已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了與玻璃表面粗糙度、玻璃的應(yīng)變點和玻璃中的堿性含量有顯著的相關(guān)性。 實驗用6英寸的硅和玻璃晶片制作粘合對進行測量,硅晶片均為優(yōu)質(zhì)(100)p型和單側(cè)拋光,一些玻璃晶圓經(jīng)過拋光,而康寧1737玻璃、鷹XG玻璃和玉玻璃沒有拋光,因為它們最初是由康寧專利的融合繪制工藝由薄片形成的,然后編織成晶片。在每兩個退火過程之間,重新測量粘合能,直到刀片在測量過程中打破玻璃。用稀釋的HF清洗硅片以去除天然氧化物,去離子臭氧水去除有機物,用稀釋的NH4OH/ H2O2混合物去除金屬污染物,用稀釋的NH4OH/ H2O2混合物和去離子臭氧水清洗玻璃晶片,一旦晶片被清洗,就遵循晶片粘合過程,形成粘合對,粘接過程是在一個受控的環(huán)境下,即100級潔凈室設(shè)施下,在室溫下進行的。硅粘合到玻璃上后,粘合對加載到一個定制的大氣陽極粘結(jié)器上,而不是熱板。粘結(jié)器由頂部和底部的加熱板組成,在退火過程中,兩個板都以中等的力接觸粘合對,這足以保持對。因此,在成鍵對之間的溫度分布非常均勻,溫度坡道非常穩(wěn)定和可...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 06
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可歸因于氫氣泡和其他蝕刻的化學(xué)物質(zhì)從多孔硅柱表面逃逸率的增加。這種效應(yīng)是由于自由孔載流子濃度的有效變化所致。超聲波顯示,這可能導(dǎo)致了鍵合結(jié)構(gòu)的改變和氧化作用的增加,并建立了超聲處理與微觀結(jié)構(gòu)之間的相關(guān)性。在本研究中,我們報道了在超聲波處理的作用下,通過無靜電蝕刻技術(shù)在各種晶片上生長的多孔硅層的結(jié)構(gòu)性能。我們進行了系統(tǒng)的實驗,以確定它們對多孔硅形成的影響。AFM(原子力顯微鏡)和FTIR測量已用于樣品的后續(xù)分析。 實驗化學(xué)蝕刻采用p型取向硅,分別在(HF:硝酸:水)中(1:1:2)制備多孔硅層,采用超聲增強(頻率22kHz,US功率30W或50W)化學(xué)蝕刻溶液,刻蝕時間為20min。用原子力顯微鏡(AFM)JEOLJSM-IC25S研究了PS的納米結(jié)構(gòu),采用雙光束Perkin-Elmer850光譜儀測量了PS層的透射率FTIR光譜。結(jié)果表明,30W和50W的超聲功率使p型硅的加氫量和氧化量均顯著增加。 結(jié)果利用30至50W的不同美國激發(fā),通過(HF和硝酸)溶液制備了多孔硅多孔層,超聲增強蝕刻工藝使蝕刻劑與硅片之間的反應(yīng)比橫向(各向異...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 04
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言基于無機發(fā)光二極管(LED)的顯示器被認(rèn)為是下一代顯示器技術(shù)中最有前途的一種,用于LED顯示器的芯片與目前用于一般照明的芯片具有類似的功能,但其尺寸已縮小到200微米以下。因此,微型化的LED芯片繼承了傳統(tǒng)LED芯片高效、壽命長的優(yōu)點。本文介紹了兩種無機LED顯示器。芯片尺寸在100到200µm之間的微型led已經(jīng)商業(yè)化,用于消費電子應(yīng)用中的背光光源。所實現(xiàn)的局部挖掘可以在相對較低的能耗下大大提高對比度比。芯片尺寸小于100µm的微led仍留在實驗室中,在相對成熟的微型Led顯示技術(shù)中,預(yù)計微型Led顯示技術(shù)仍處于第一個商業(yè)化品種。 迷你LED高動態(tài)范圍(HDR)是下一代顯示器的重要特性之一。 為了實現(xiàn)對比度高于100000:1的HDR,同時需要顯示系統(tǒng)的高峰值亮度和出色的暗態(tài),使得微LED難以實現(xiàn)快速商業(yè)化。因此,實現(xiàn)液晶顯示器多區(qū)域局部調(diào)光的一種折中方法是直下式微型發(fā)光二極管背光。 Mini-LED技術(shù)的LED尺寸小得多,這意味著它可以在一定尺寸的LED背光中劃分更多的調(diào)光塊。首先,建立了一個帶有直下式微型發(fā)光二極管背光的液晶顯示系統(tǒng)模型進行仿真,背光單元由方形微型發(fā)光二極管陣列組成,利用漫射板來加寬空間和角度分布,并且應(yīng)用液晶面板來控制輸出光。為了驗證模型,用四種模式模擬模型的動態(tài)響應(yīng),模擬結(jié)果與參考文獻的...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 04
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料隨著led尺寸的減小,應(yīng)用程序從照明器過渡到顯示器。微LED和迷你LED顯示器的應(yīng)用:1、迷你LEDBLU+液晶顯示器2、迷你led顯示器,無縫拼接,超大尺寸顯示器3、通過傳質(zhì)、粘接、質(zhì)量修復(fù),實現(xiàn)高分辨率移動顯示;微型LED和迷你LEDEPI和芯片工藝:1、受蝕刻影響時,將引入側(cè)壁缺陷。當(dāng)LED的尺寸減小時,側(cè)壁缺陷的比例會增加,EQE值會顯著下降。2、EQE峰偏移到高電流密度,不利于低電流驅(qū)動;3、晶片波長產(chǎn)率與OLED相比,藍色微LED的EQE明顯優(yōu)于OLED,但LED的亮度過高,不利于顯示。 微LED和迷你LED的AM像素驅(qū)動電路,與OLED相比,藍色微LED的EQE明顯優(yōu)于OLED,但LED的亮度過高,不利于顯示:1.高EQE區(qū)域的亮度過高,需要PWM驅(qū)動;2。目前在高EQE區(qū)域的需求較高,像素電路需要更大的區(qū)域,這不利于高分辨率顯示;3。在低灰度下,EQE過低,功率過高,PWM設(shè)計存在閃爍問題;4。紅外下降和功率降低。顏色純度和色域:1、FWHM會影響顏色的純度,2、不同電流下的波長發(fā)生變化,引起色差。BOE微LED和迷你LED的研發(fā):在背板技術(shù)的基礎(chǔ)上,積極推廣微迷你LED技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)。BOE迷你LED背光技術(shù)是基于低成本的玻璃,高亮度,高分區(qū),全尺寸或更少的拼接,和高傳輸效率。BOE微型背光覆蓋全尺寸顯示產(chǎn)品,包括汽車...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)在空氣下照射單晶硅片時,在掃描區(qū)域附近產(chǎn)生焊接沉積,用XPS方法分析了掃描區(qū)域附近微焊接沉積的化學(xué)元素組成,發(fā)現(xiàn)其由一種二氧化硅組成。將輻照晶片浸泡在氟化氫中,去除掃描區(qū)域附近的沉積部分,得到寬度小于4μm的尖銳凹槽。本研究中使用的皮秒UV激光可以對硅進行微細加工,但是,由于伴隨加工的加熱、熔化、蒸發(fā)等現(xiàn)象,自由的微細加工很困難。本研究的目的是通過實際對硅晶圓進行激光加工,通過AFM觀察加工表面以及通過XPS進行元素分析,闡明加工機構(gòu),使高精度的槽加工成為可能。 實驗使用的激光的最大輸出功率為4W,頻率為80MHz,脈沖寬度為15ps,波長為355nm.圖1顯示了光學(xué)系統(tǒng)的配置。 圖1      在圖1的平臺上放置面方位(100)的硅晶圓,如圖2所示,向起點照射激光,一邊騰出20μm的寬度,一邊掃描數(shù)條長度為3000μm的線。另外,通過激光照射,使用AFM,XPS分析了形狀和表面元素組成的變化等。加工條件為能量0.15 mJ/cm2,掃描速度3000μm/s。圖3(a)的白色部分為激光照射痕跡。(b)為線段AB的剖面圖。由此可知,在AFM的觀察圖像中,激光掃描痕跡比照射前最大隆起約800nm。圖4表示的是用XPS對激光隆起的部分進行元素分析的光譜。縱軸是一秒內(nèi)通過的電子數(shù),橫軸是...
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