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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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(一)什么是薄膜面板薄膜面板是在PET、PC、PVC等彈性聚酯薄膜材料上,運用絲印技術把圖形、文字、標識集于一體并配以不同材質的雙面膠制作而成的具有一定功能字用于家用電器、通訊設備、儀器儀表、工業(yè)控制等領域。在業(yè)界,我們把薄膜面板通稱為薄膜開關面板,在不同的行業(yè)中,薄膜開關面板有不同的叫法,比較常見的有以下幾種:1)薄膜開關2)薄膜輕觸鍵盤3)盤膜4)面膜5)塑貼6)按鍵開關7)面貼8)觸摸開關等。薄膜面板的印刷工藝要分為正面和反面印刷,分別應用于不同材質和類型的薄膜面板上。大致可以分為平面類和壓鼓類。平面類薄膜面板是最簡單的面板類型,主要是用不同顏色的文字、線條、色塊對各個功能部位加以指示或加以區(qū)分,用戶可以根據自身的需要來選擇不同的薄膜材料及雙面膠。壓鼓類薄膜面板是在平面型薄膜面板的基礎上新開發(fā)出的一種較為美觀而且實用的面板。它的制作流程是,是在普通面板的基礎上,通過一種壓制模具,將面板經過熱壓后使按鍵部位微微凸起形成立體按鍵。這種立體鍵不僅能準確地給定鍵體的范圍,提高辨認速度,使操作者的觸覺比較敏感,同時還增進了產品外觀的裝飾效果。(二)制作薄膜面板的要求面板薄膜是將彩色油墨絲印至透明高分子聚合物背面,一旦絲印完成并切割成形,此層就成為彩色面膜層。面膜層為薄膜開關的組成部分,它能清楚地顯示開關的功能、顯示顏色、面膜類型以及開關的操作位置,它還能起保護作用。作為薄膜開關的面板,...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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3月20日,第二屆華林科納泛半導體濕法培訓會在華林科納(江蘇)半導體設備有限公司成功舉辦。這屆培訓會以“以聲共匯平臺,以友共筑數據”的主題面向芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備以及下游應用產業(yè)鏈多個群體。培訓會進一步聚焦泛半導體濕法行業(yè)發(fā)展新動態(tài)、新趨勢、新技術及創(chuàng)新項目,深入探討濕法工藝的發(fā)展模式和行業(yè)發(fā)展趨勢。中環(huán)科技、協鑫集團、三安光電、有研硅股、天科合達、中電科集團研究所、中科院半導體所、清華大學、浙江大學、中科大等多家單位代表出席培訓會,國內近50家半導體知名企業(yè)與大學研究所80余人參加培訓會。本次培訓會面向濕制程設備實際使用者,主要由濕法行業(yè)領導者華林科納牽頭,匯集了濕法工藝&設備、濕制程的化學品知識、水處理知識、超聲/兆聲清洗知識、專業(yè)計量儀器應用知識等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的優(yōu)秀課程。每個課程的演講者都是來自國際一流或者國內頂尖的供應鏈,無一不代表著當下產業(yè)內的領先水平。課程首先由華林科納項目總監(jiān)高艷帶來的《濕法設備與工藝解析》,深入淺出的原理介紹了濕法清洗在半導體領域的影響。制程工藝每推進一代,清洗步驟增加約15%。半導體器件集成度和芯片復雜度的提高,使得芯片對雜質的敏感度大大提升。在工藝節(jié)點不斷推進的前提下,為了降低雜質影響、提高良率,需要繼續(xù)增加清洗步驟。而受當前國際疫情形勢影響,且國內半導體行業(yè)在國家的大力發(fā)展下,本土清洗設備市場國有化率約為20%,國產...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 26
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薄膜面板各部分組成材質什么叫薄膜面板通稱的PVC面板薄膜面板名稱常見薄膜開關面板各部分組成材質一、面板層二、墊膠層三、控制電路上層和下層四、夾膠層五、背面膠層什么叫薄膜面板通稱的PVC面板薄膜面板名稱常見薄膜開關面板各部分組成材質一、面板層二、墊膠層三、控制電路上層和下層四、夾膠層五、背面膠層薄膜面板是在PVC、PC、PET等軟性塑膠材料絲印上既定的圖形、文字說明等并配以不同材質的雙面膠制作而成的用于起標識或保護作用的塑膠制品。薄膜面板采用不同的材料,決定了它的價格與性能,采用絲印工藝制作出來的薄膜面板,最大的特點在于:1,字清晰直觀的圖形和文字,并能適應不同的平面和彎曲平面。2,不同材料的選擇,可使PVC、PC、PET等材料。3,薄膜面板具有:防水、防變形、防污染、防高溫、粘性極強等特點。一、面板層面板層一般在低于0.25MM的PET、PC等無色透光片材絲印上精美圖案和文字制作而成,因面板層最主要的作用在于起標識和按鍵作用,所以選用材料必須具有高透明度、高油墨附著力、高彈性、防折性等特點。二、墊膠層墊膠層最主要的作用是將面板層與電路層緊密相連,以達到密封和連接的效果,此層一般要求厚度在0.02---0.05MM之間,具有高強的粘性和防老化性;在生產中,一般選用專用的薄膜開關雙面膠,有些薄膜開關要求能防水防高溫,因此墊膠層也必須根據需要而使用不同性質的材料。三、控制電路上層和下層此...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造(前道,Front-End)和封裝(后道,Back-End)測試,隨著先進封裝技術的滲透,出現介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié),稱為中道(Middle-End)。由于半導體產品的加工工序多,所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。一、晶圓制造在這里,我們以最為復雜的晶圓制造(前道)和傳統封裝(后道)工藝為例,說明制造過程的所需要的設備和材料。晶圓生產線可以分成7個獨立的生產區(qū)域:擴散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜生長(Dielectric Deposition)、拋光(CMP)、金屬化(Metalization)。這7個主要的生產區(qū)和相關步驟以及測量等都是晶圓潔凈廠房進行的。在這幾個生產區(qū)都放置有若干種半導體設備,滿足不同的需要。例如在光刻區(qū),除了光刻機之外,還會有配套的涂膠/顯影和測量設備。二、封裝傳統封裝(后道)測試工藝可以大致分為背面減薄、晶圓切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋/成型和終測等8個主要步驟。與IC晶圓制造(前道)相比,后道封裝相對簡單,技術難度較低,對工藝環(huán)境、設備和材料的要求遠低于晶圓制造。三、半導體工藝解析半導體制造工藝是集成電路實現的手段,也是集成電路設計的基礎。自從1948年晶體管發(fā)明以來,半導體器件工...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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同刻蝕一樣,干法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應室中.并通入氧氣。等離子體場把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài),因而將光刻跤成分氧化為氣體由真空泵從反應室吸走。術語灰化(ashlng〕用來說明那些設計成用來只去除有機殘留物的等離子體工藝。等離子去除需要去除有機和無機兩種殘留物的工藝。在干法去除機中,等離子體由微波,射頻和UV臭氧源共同作用產生。等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點是消除了液體槽和對化學品的操作。缺點是對于金屬離子的去除沒有效果。在等離子體場中沒有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。需要對等離子體去膠的另一個考慮是高能等離子體場對電路的輻射損傷。采用將等離子體發(fā)生室從去除反應室移開的系統設計來減小這個問題。因而稱其為下游去除機(downstream strip,這是因為等離子體在晶的下游產生。MOS晶圓在去膠中對輻射影響更加敏感。工業(yè)對干法等離子體工藝取代濕法去除期待已久。然而,氧等離子體不能去除移動離子的僉屬污染.并且有一定程度的金屬殘留和輻射損傷,這使得濕法去除或濕法/于法結合繼續(xù)保持著光刻膠去除工藝的主流。等離子體去除被用于硬化的光刻般層,然后以濕法來去除未被等離子體去掉的殘留物。有專門的濕法去膠機處理這些硬化的光刻膠層。兩個有問題的地方是離子注人后光刻膠的去除和等離子體去除之后,離子注人導致強烈的光刻膠聚合并使表層崆化。一般地,用十法工藝來去除或減少光刻膠,然后再加以濕法上藝...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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一、引言在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上,美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯和奎斯特報告了砷化鎵材料的光發(fā)射現象,這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾的極大興趣,在會后回家的火車上他寫下了有關數據?;氐郊液螅柫⒓粗贫搜兄瓢雽w激光器的計劃,并與其他研究人員一道,經數周奮斗,他們的計劃獲得成功。從此拉開了研究半導體激光器的序幕。像晶體二極管一樣,半導體激光器也以材料的P—n結特性為基礎,且外觀亦與前者類似,因此,半導體激光器常被稱為二極管激光器或激光二極管。本文對半導體激光器的原理,發(fā)展以及應用等作簡要介紹。二、半導體激光器原理半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是,通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處于粒子數反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時,便產生受激發(fā)射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體激光器,一般是由GaAs(砷化鎵),lnAs(砷化銦),InSb(銻化銦)等材料制成的半導體面結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區(qū)域產生受激發(fā)射。三、半導體激光器的發(fā)展2O世紀6O年代初期的半導體激光器是同質結型激光器,它是存一種材料上制作的PN結二極管在正向...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導體工藝-----光刻刻蝕一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型:正性光刻和負性光刻,區(qū)別如下二、光刻工藝步驟1.清洗硅片通過化學清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、雜質顆粒,減少針孔和其他缺陷從而提供光刻膠粘附性2.預烘和底膜涂覆使用HMDS作為底膠,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脫水烘焙去除圓片表面的潮氣3.光刻膠涂覆硅圓片放置在高速旋轉的真空卡盤上,將液態(tài)光刻膠滴在圓片中心,光刻膠以離心力向外擴展從而均勻涂覆在圓片表面。4.前烘促進膠膜內溶劑充分揮發(fā),使得膠膜干燥,增加與其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙時間不宜過長,溫度不宜過高。5.對準為了成功在硅片上形成圖形,必須把硅片上的正確圖形與掩膜版上的圖形對準,套準精度是測量對準系統把版圖套刻到硅片上圖形的能力。6. 曝光7.后烘光刻膠分子發(fā)生熱運動,過曝光和欠曝光的光刻膠分子發(fā)生重分布,通過后烘可以平衡駐波效應(入射光與反射光干涉現象),提供分辨率8.顯影通過顯影、漂洗、干燥達到顯影液溶解掉光刻膠中軟化的部分的目的9.堅膜溫度通常要高于前烘溫度100-130℃,時間2分鐘。蒸發(fā)光刻膠中所有有機溶劑、提高刻蝕和注入的抵抗力、提高光刻膠和表面的粘附性、聚合和使得光刻膠更加穩(wěn)定、光刻膠流動填充針孔10.圖形檢測通過SEM、OM檢測,若出現問題如;未對準、掩膜旋轉、晶圓旋轉、X/Y方向錯位、臨界尺寸、表面不規(guī)...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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光刻工藝是半導體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復制到硅片上,為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的1/3,耗費時間約占整個硅片工藝的40~60%。 光刻機是生產線上最貴的機臺,5~15百萬美元/臺。主要是貴在成像系統(由15~20個直 徑為200~300mm的透鏡組成)和定位系統(定位精度小于10nm)。其折舊速度非???,大約3~9萬人民幣/天,所以也稱之為印鈔機。光刻部分的主 要機臺包括兩部分:軌道機(Tracker),用于涂膠顯影;掃描曝光機(Scanning ) 光刻工藝的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻膠具有高的光學敏感性;準確地對準;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工藝過程 一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。 1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking) 方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~2500C,1~2分鐘,氮氣保護) 目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,是基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪姳砻娴酿じ叫裕▽饪棠z或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底(Prim...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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近期,行業(yè)出現了一股熱潮,即越來越多的模擬芯片企業(yè),特別是功率半導體廠商或業(yè)務部門,熱衷于興建12英寸晶圓產線。本周,就有兩則相關消息很受關注。    3月10日,東芝宣布,計劃引進一條新的12英寸晶圓生產線。傳統上,該公司的功率半導體主要使用8英寸晶圓生產。而隨著采用12英寸晶圓生產模擬芯片成為全球趨勢,該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示,新廠建成后,可將功率半導體產能提高20%。據悉,東芝引進12英寸晶圓生產線的主要目標是提高低壓MOSFET和IGBT的生產能力。根據規(guī)劃,新產線將于2023財年上半年投產,該公司表示,將根據市場趨勢,逐步確定后續(xù)投資計劃,并將繼續(xù)擴大日本工廠的分立器件,特別是功率半導體器件的生產。    同樣是在近期,歐洲大廠博世正在德國德累斯頓建設新的12英寸晶圓廠,投資額達到10億歐元。計劃今年下半年實現商用生產。其生產的產品主要是用于汽車的功率半導體,如用于電動和混合動力汽車的DC-DC轉換器等。    2月,汽車功率半導體龍頭企業(yè)英飛凌宣布,為了緩解全球車用芯片產能不足的困境,將在奧地利新建12英寸晶圓廠,專門用于生產車用芯片,預計將于今年第三季度動工。后續(xù)還計劃在德國也建一座與奧地利相同的新廠。   &#...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 15
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半導體制造在很大程度上是一種與化學有關的工藝過程,高達20%工藝步驟是清洗和晶圓表面的處理:我們習慣將硅片制造中使用的化學材料稱為工藝用化學品,有不同種類的化學形態(tài)(液態(tài)和氣態(tài))并且要嚴格控制純度。這些工藝用化學品主要作用如下:用濕法化學溶液和超純水清洗硅片表面;用高能離子對硅片進行摻雜得到P型或N型硅材料;淀積不同的金屬導體層及導體層之間必要的介質層;生成薄的SiO2層作為MOS器件主要柵極介質材料;用等離子體增強刻蝕或濕法試劑,有選擇的去除材料,并在薄膜上形成所需要的圖形;液態(tài)高純試劑,其等級根據純度分為UP-S、UP、EL三個等級,其中EL又劃分為:電子級1級(EL-Ⅰ)其金屬雜質含量為100--1000 PPb,相當SEMI C1 C2標準;電子級2級(EL-Ⅱ)其金屬雜質含量為10--100 PPb,,相當SEMI C7標準;電子級3級(EL-Ⅲ)其金屬雜質含量為1--10 PPb,相當SEMI C7標準;電子級4級(EL-Ⅳ)其金屬雜質含量為0.1--1PPb,相當SEMI C8標準;1.液態(tài)化學品   在半導體制造的濕法工藝步驟中使用了許多種液態(tài)化學品。在硅片加工廠減少使用化學品是長期的努力。許多液體化學品都是非常危險的,需要特殊處理和銷毀手段。另外,化學品的殘余不僅會沾污硅片,還會產生蒸氣通過空氣擴散后沉淀在硅片表面。在硅片加工廠液態(tài)工...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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