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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文將對具有相同特性的晶片進行反復洗脫,用AFM測量了增加的LLS的結果,確定是晶片表面突出的橫梁狀缺陷,而不是pit或void。 因此,除了之前發(fā)現的oxide defect發(fā)生機制外,如果在硅晶片表面或bulk內表面附近存在其他相(phase)的物質(如氧析出物),則會影響oxide quality。被理解為可能發(fā)生。圖4.4 圖4.5如圖4.4所示,對于Sample A,COP在晶片正面的晶片,通過SC-1重復洗脫,可以看出COP的數目增加, 在圖4.5中顯示,Sample B期望沒有COP,只有氧析出物存在的晶片反復清潔時,被認為是大于0.12 um size的COP的LLS增加,后來討論這個結果是一般所知道的可認為是重復洗井時COP的size增加或個數增加的部分,或AFM測量時得到的結果不同,在測量大于0.065 um size的LLS時,defect過多,因此將測量size調整為大于0.12 um。 AFM分析與結果:每個sample的重復洗脫結果顯示所有晶片上size大于0.12 um的LLS呈逐漸增加的結果,為了確定不斷增加的LLS的真實morphology,我們將每個sample重復清洗了25次,以基準試樣Sample A為例,在重復洗脫前用SP-1 TBI用LLS測量發(fā)現的缺陷,經AFM測量后確認...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文研究了替代SPM濕法清洗工藝的高濃度臭氧水生產技術,在這項工作中,我們研制了表面放電式臭氧發(fā)生器,還研制了高效臭氧接觸器,用于混合臭氧氣體和去離子水,作為臭氧化水的生產測試結果,我們在70 ppm臭氧化水的10%重量濃度下獲得了80 ppm以上的臭氧化水濃度。在半導體晶片表面形成薄氧化膜的工藝,工藝使用氧化力約為30[ppm]以下的臭氧水濃度,半導體和平板反應領域的PR去除工藝是需要最高濃度臭氧數的工藝,目前使用等離子體ashing PR后,將殘沙處理為過氧化氫和硫酸混合化學液的干/濕混合工藝應用最廣泛。在濕化學溶液中,過氧化氫是氧化柿子光膜中包含的碳基有機物的酸。隨著化學溶液使用量的增加,含有廢硫酸嘴的化學廢水量變得越來越重,為了去除廢水處理過程中有毒的過氧化氫水,必須采用脫過氧化氫工藝,因此,不僅增加了處理成本,還在環(huán)境方面引起了問題。最近,作為取代這種硫酸基溶液的PR去除工藝的一種新的工藝技術,有關將臭氧溶解在純水中的臭氧水應用的研究正在積極進行,被稱為比過氧化氫更強的氧化劑。 圖2如圖2所示,作為制作的放電管單元,使用了外徑為10[mm]、內徑為8[mm]的陶瓷電介質管,內部電極采用鎢絲,以抑制放電時電極的氧化及金屬離子的釋放現象,生成純度的臭氧氣體,適合半導體工藝使用。臭氧作為對水溶解度比較低的氣體,通過中間瓶頸部分進一步...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料表面紋理對減少光反射和改善硅襯底內的光約束具有重要作用,從而提高太陽能電池的效率,研究了不同厚度碳硅晶片的濕各向異性紋理和隨后的濕各向同性平滑,以改善光捕獲。研究了試劑濃度和蝕刻時間對工藝平滑的影響,利用紫外-可見分光光度計監(jiān)測紋理平滑步驟前后的反射特性,并用掃描電子顯微鏡獲得表面形貌圖像。在實踐中,單晶硅表面紋理由各向異性堿性蝕刻組成,容易形成隨機分布的上行金字塔。盡管這一過程的結果確實能有效地降低硅表面的反射率,但金字塔尖端的結果是尖銳的,并可能在已完成的太陽能電池中產生不希望的分流效應。薄晶片目前用于實現異質結太陽能電池,以降低制造成本,在這項技術中,薄晶圓硅表面的紋理和平滑對于改善光捕獲和減少分流效應至關重要。以氫氧化鉀、水和異丙醇(IPA)三元混合物作為表面活性劑添加劑,電阻率為1Ocm,厚度為350和120 11m的表面;這種各向異性蝕刻工藝常用于單晶硅基電池制造,以減少前的反射損失,經過紋理化過程后,部分樣品在HF/RN03混合物中通過平滑過程進行蝕刻,能夠圍繞金字塔尖端,使用HF(50%,CarloErba)和RN03(70%,J.T.Baker),沒有進一步稀釋,在此過程中,一般的蝕刻機理是:氧化劑硝酸在硅片表面形成氧化硅;然后,通過高頻形成的水溶性配合物從表面除去氧化硅,蝕刻速率受蝕刻劑組成的影響,評價了試劑濃度和蝕刻時間對樣...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文采用氮化硅膜作為掩膜,采用濕蝕刻技術制備黑硅,樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明,氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的,比飛秒激光、RIE和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經濟的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結構硅,并對其微觀結構進行了表征,并對其光學性能進行了測試。濕式蝕刻的基本步驟是:首先通過沉積或生長等方法在襯底上制備一層掩模層,然后通過從掩模層上的圖形中蝕刻等方法,在從掩模層上的圖形中蝕刻后,然后使用蝕刻溶液來濕蝕刻掩模層和基底,最后去除掩模層,可以要求基底上的圖形和結構。目前硅濕蝕刻中相對常見的掩模材料為二氧化硅和氮化硅,一般采用濃縮堿作為蝕刻溶液,二氧化硅薄膜掩模對氫氧化鉀溶液沒有很好的蝕刻選擇性,通常使用HF(氫氟酸),對二氧化硅蝕刻毒性大,對環(huán)境和人體有一定程度的風險。氮化硅薄膜掩模對氫氧化鉀溶液具有很好的蝕刻選擇性,因此我們使用氮化硅作為掩模材料。在我們的實驗中,一個p摻雜硅基片被切割到2厘米的大小,使用濃縮的氫氧化鉀溶液(KOH:H2O=50g:100ml)作為蝕刻劑,濕蝕刻在水中以50℃恒溫加熱,溫度精度為±1℃。 圖1顯示去除氮化硅前濕蝕硅的掃描電子顯微鏡圖像這些結構的圖像如下圖所示,從圖1和圖2中可以看出,周...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文綜述了黑硅的制備方法及其產生的形態(tài),并對其光電特性進行了定量比較,為了進行定量比較,研究黑硅太陽能電池的不同小組合作進行了本研究,以光吸收和少數載流子壽命作為基準參數,討論了等離子體蝕刻、化學蝕刻或激光加工過程中的差異,并與數值模型進行了比較。圖1四種常用的發(fā)黑方法的示意圖。a顯示了SF6和O2氣氛中的感應耦合等離子體反應離子蝕刻(ICPRIE或短ICP)過程;b描述了HF和H2O2水溶液中基于Ag或Au催化劑顆粒的金屬輔助濕化學蝕刻(MACE)過程;c顯示了用于大孔硅(MacP-Si)制造的電化學蝕刻單元;d示意圖,顯示了fs激光處理硅表面(L-Si)的實驗裝置。所有的示意圖都表明了在本工作中用于準備不同的表面形態(tài)的參數。 圖1黑硅的制造方法本文綜述了b-Si的四種主要制備方法:誘導耦合等離子體(ICP-RIE)、鎂、Au催化劑、光電化學陽極化形成macP-Si、和飛秒(fs)激光脈沖(L-Si)照射表面。各種黑色蝕刻方法(圖1)都導致宏觀b-Si表面均勻,在整個硅吸收范圍內具有相當低的反射率,然而,根據可用的工藝參數,微觀或納米結構有不同的形態(tài)。活性離子蝕刻法的黑硅(ICP-RIE):圖1b說明了硅表面的典型例子中的MACE原理。從HF/h2o2溶液中提取的h2o2(或其他氧化劑)通過消耗電子在金屬表面被催化還原,消耗的電子通過...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 20
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料為了成功地清除來自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5mm)沉積在硅片上,并通過自旋沖洗和巨型清洗去除,顆粒滾動是硅晶片中變形亞微米顆粒的主要去除機理,超電子學提供了更大的流流速度,因為超薄的邊界層會產生更大的去除力,能夠完全去除受污染的粒子,為了去除顆粒,有必要了解接觸顆粒與接觸基底之間的附著力和變形。 圖1利用自旋漂洗和超氣體學的水動力去除實驗結果,比較亞微米粒子的粘附力和去除力,并確定其去除機理,將清洗后和清洗前顆粒計數的差異除以清洗前顆粒計數,獲得顆粒去除效率,通過自旋漂洗去除粒子的流場利用了流體動力邊界層中的阻力和升力(如圖所示1)同樣,由于超氣流引起的極薄聲邊界層內的阻力和升力對于超氣體清洗中的粒子去除非常重要。 圖4如圖所示4,如果作用于顆粒上的升力大于附力,則從表面去除機構顆粒,FL³Fa升力比阻力小幾個數量級,由于阻力已經小于粘附力,因此升力太小,無法使PSL粒子脫離表面,如果阻力、升力和粘附力滿足以下公式,也可以通過滑動去除粒子:FD³k(Fa-FL),其中k為摩擦系數,定義阻力與附力的比值RS,以判斷是否發(fā)生瞬時滑動的脫離。 圖5如圖所示5,對于0...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言隨著半導體工業(yè)的發(fā)展,多層處理變得越來越復雜,清洗溶液和蝕刻化學物質在提高收率和減少缺陷方面的作用變得越來越重要。本文證明了具有銅和鎢相容性的成功配方,并具有層間介電(ILD)清洗和選擇性鈦刻蝕的性能。本文研究了電化學沉積的銅薄膜在含氫氟酸(HF)的脫脂清洗溶液中的腐蝕行為。清潔溶液中過氧化氫的存在導致了對銅溶解速率的抑制超過一個數量級。我們將這種現象歸因于在DHF中溶解速度較慢的界面氧化銅的形成。本文提出了一種涉及氧陰極還原和Cu0和Cu+1陽極氧化的動力學方案。我們利用銅腐蝕研究的經驗,開發(fā)了一種濕蝕刻/清潔配方。鈦硬掩模的引入用于銅互連的雙屏蔽圖案,這在選擇性濕蝕刻化學中創(chuàng)造了一個獨特的應用。 含有機HF清洗液中銅薄膜的腐蝕行為在當今先進的互連系統中,銅是超大規(guī)模集成(ULSI)金屬化的選擇。銅線現在用于所有互連層,高達12個金屬化水平?;ミB是由金屬線制成的電氣路徑或載流子,由絕緣層間介質材料分隔。用銅取代鋁合金要求集成、金屬化和圖案化工藝技術發(fā)生顯著變化。例如,在半導體器件中銅的引入已經引起了人們對薄膜腐蝕現象的關注,以避免最佳的器件性能、可靠性和壽命。一個簡單的兩層DD互連系統如圖3.1所示。在這樣的系統中,允許晶體管相互通信以及與外部世界通信的電信號通過任何給定的金屬化水平內的金屬線傳輸,并通過充滿銅的通道從一個金屬化水...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本研究采用各向同性濕化學蝕刻法改變高頻蝕刻劑濃度,研究了HF/HNO3/甲基羧基混合溶液中蝕刻時間對硅片的影響。研究的蝕刻時間為5分鐘至30分鐘,高頻蝕刻劑濃度在(20-24)wt%的范圍內,結果表明,隨著刻蝕時間的延長,減重和刻蝕深度的變化單調增加。蝕刻速率然后通過減重和深度隨時間的變化來確定蝕刻速率,硅晶片的蝕刻速率隨時間降低,而高高頻濃度的蝕刻速率增大,通過光學顯微鏡下觀察到,蝕刻后對硅片表面進行光滑拋光。本研究采用不同濃度的高頻和硝酸蝕刻混合物,加入乙酸,研究了對硅片的化學蝕刻效應。蝕刻劑混合物的濃度為(20%HF/65%硝酸、22%HF/65%硝酸、24%HF/65%硝酸),比例為1:1,濃度在(20-24)%范圍內,分別采用分析半微平衡、數字微米、光學顯微鏡和x射線衍射儀(XRD)測定了硅片的總厚度減少和減重、蝕刻率、表面形貌和晶體結構。主要目的是研究高頻的時間蝕刻濃度對總厚度耗散和減重量、蝕刻速率的影響,并研究蝕刻硅片的表面形貌和結晶度。 圖1使用的材料為HF、硝酸、醋酸和硅片,首先,將硅片浸入蝕刻劑混合物中,時間間隔為5分鐘至30分鐘,這取決于蝕刻劑的濃度,然后用蒸餾水清洗晶片,用空氣干燥后再進行表征,采用了三種不同的HF蝕刻劑濃度,分別為20%、22%和24%,而其蝕刻劑濃度保持在65%。硅片被蝕刻至30分鐘,時間間隔...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應離子蝕刻法和金屬催化化學蝕刻法制備了黑硅,研究發(fā)現,在400~2200nm的波長內,光的吸收顯著增強,其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收值最高。但這大大縮短了晶體硅的少數載流子壽命,通過沉積二氧化硅薄膜使黑硅表面鈍化,可以有效地調節(jié)和控制。最后,以黑硅為基礎制造了一種PIN光探測器,與無蝕刻工藝的PIN硅光探測器相比,在1060nm處獲得了更高的責任,為0.57A/W。任何能夠減少反射和增強硅從紫外線到近紅外波長的吸收的發(fā)展,都將有助于使硅基寬帶探測器成為現實,納米結構和微結構的c-Si(在晶圓表面有錐、線或孔)作為高效和低成本材料的可能結構受到越來越多的關注,因為它們表現出非常低的反射,特別是在可見區(qū)域。飛秒激光蝕刻(FLE)、深反應離子蝕刻(DRIE)和金屬催化化學蝕刻(MCE)等方法可以制備這些結構,可以有效地提高c-Si的光吸收。本文采用FLE、DRIE和MCE三種制備BS的方法,同時直接在c-Si基底上獲得了幾種抗反射/捕光結構,同時,對三種不同的BS材料的形貌、光吸收、少數載流子壽命進行了比較。最后,基于BS制造了一種PIN光電探測器,并將其責任與無蝕刻工藝的PIN硅光電探測器進行了比較。圖1為在六氟化硫和空氣大氣中被FLE蝕刻的BS的典型形態(tài)。從圖中可以看出,在相同的激光參數下,兩種大氣...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料本文研究了用兩步金屬輔助化學蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅(b-Si)的表面形態(tài)學和光學性能,研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼硅吸收材料。該過程包括銀薄膜沉積產生的鎵氮氣,然后進行低溫退火。采用不同的蝕刻劑濃度,在HF:h2o2:DI水溶液中進行蝕刻70s,以體積比的形式表示。然后分析了蝕刻劑濃度對b-Si表面形態(tài)和光學性質的影響。計算了最大電位短路電流密度(Jsc(max)),以相對估算在300-1100nm光譜區(qū)域內b-Si的光耦合性能。一旦在優(yōu)化的b-si吸收材料上制備了太陽能電池,計算出的電位Jsc(max)可以用來預測最大可實現的光電流。本實驗采用電阻率為1-10Ω的p型單碳化硅晶片(250μm厚度)作為襯底,使用RCA技術預先清洗晶片,以去除污染,為了制備b-Si,采用射頻濺射法,用15nm的銀薄膜沉積c-Si晶片,為了生產銀NPs,晶片在N2大氣(流速為2L/min)下以230?C退火40min,然后將晶片蝕刻在含高頻(50%):過氧化氫(30%):DI水的水溶液中。該溶液的體積比為X:Y:Z,分別對應于HF、過氧化氫和DI水的體積,本實驗中使用的體積比分別為1:5:5、1:5:10和1:5:20,蝕刻工作在室溫下進行,蝕刻時間為70s。FESEM用于研究和表征b-硅納米孔的頂視圖和橫截面。利用FESEM圖...
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