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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要由于硅晶片的高反射率,硅表面紋理化是制作硅太陽能電池不可缺少的步驟。因此,表面紋理和抗反射涂層如SiNx對于降低太陽能電池的表面反射率是必要的。目前,用于使硅晶片紋理化的工業(yè)化技術通?;谕ㄟ^各向異性蝕刻的單晶硅的堿性溶液或者通過各向同性蝕刻形成多晶硅的酸溶液。我們通過一步銅輔助化學蝕刻(CACE),硅太陽能電池中的光反射最小化,成功實現(xiàn)了所謂的倒金字塔陣列,其性能優(yōu)于傳統(tǒng)的直立金字塔結構。由于Cu2+/Cu的還原潛力較低不同硅平面的電子性質,硅襯底的刻蝕表現(xiàn)出取向依賴性。與堿性溶液獲得的直立金字塔不同,倒金字塔的形成是各向異性蝕刻和局部蝕刻過程共存的結果。無論硅襯底的取向如何,所獲得的結構都被蝕刻速率最低的硅{111}面所限制。定量分析了硅刻蝕速率和(100)/(111)刻蝕比。系統(tǒng)地研究了堿性和銅基酸性蝕刻劑對硅的各向異性蝕刻的不同行為。 實驗摻硼(1–3ωcm)、500微米厚、(100)、(110)和(111)取向的雙拋光硅晶片在丙酮中徹底清洗以去除任何有機污染物,然后在蝕刻前用去離子水清洗。直立的金字塔結構是通過在含2 wt%鉀的堿性溶液中蝕刻獲得的氫氧化鉀和10體積%異丙醇。與此同時,我們在50℃下使用含5毫摩爾銅(NO3)2、4.6毫摩爾氟化氫和0.55毫摩爾過氧化氫的銅基酸溶液獲得倒金字塔結構。在超聲浴中使用濃硝酸去除...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言晶圓直接鍵合(WDB)是一種不用膠水就能鍵合干凈的鏡面拋光晶圓的技術。當鍵合晶片在高溫下退火時,相對較弱的室溫鍵合(通過范德華力或氫鍵合鍵合)被較高強度的鍵合(如共價鍵合)所取代。我們使用4英寸耐熱玻璃和硅片研究了玻璃/硅直接鍵合中的清洗和退火效應。檢查SPM清洗(硫酸-過氧化物混合物,H2SO4 :H2O2=4:1,120°C)、RCA清洗(NH4OH:H2O2 :H2O=1:1:5,80°C)以及這兩種方法的組合,以研究晶片清洗效果。當晶片在SPM清洗后用RCA清洗時,在室溫下獲得最大的鍵合質量。通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度與室溫下的結合質量一致。當退火溫度增加到400℃時,結合強度增加,但是在450℃時發(fā)生剝離。玻璃和所用硅晶片的熱膨脹系數(shù)的差異導致了這種剝離。當在室溫下鍵合的晶片在300或400℃退火時,鍵合強度增加28小時,然后隨著進一步退火而降低。進一步退火導致的結合強度下降是由于鈉離子通過玻璃/硅界面漂移。 實驗我們用四英寸直徑的硼硅酸鹽7740派熱克斯玻璃晶片和硅晶片來研究,厚度分別為500米和525米。硅晶片為p型,電阻為4ω,玻璃晶片含有12.7% B2O3和其他元素,包括Na2O (4.00%)、Al2O3 (2.30%)、K2O (0.04%)和Fe2O3(0.03%)。SPM(硫酸-...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言等離子體蝕刻是集成電路制造過程中最重要的步驟之一,氟是許多這類等離子體中的主要蝕刻劑。因此,許多表面科學研究致力于氟物種與硅的相互作用,以闡明蝕刻過程的基礎物理和化學。到目前為止,大多數(shù)硅/二氟化氙反應的溫度依賴性研究都集中在產物分布上。在分子束裝置中定量研究了硅(100)/二氟化氙刻蝕反應的溫度依賴性。在150 K的樣品溫度下,反應概率最初達到統(tǒng)一,之后二氟化氙凝結在表面上并阻止蝕刻過程。使用熱解吸光譜測量的SiFx反應層的穩(wěn)態(tài)氟含量在300 K時達到最大5.5個單層。隨著溫度的升高,它降低到700 K以上的亞單層覆蓋率。通過將二氟化氙前體包括在先前開發(fā)的吸附模型中,反應層形成的溫度依賴性得到了很好的描述。 實驗實驗是在一個多光束裝置中完成的。研究的樣品都是n型(磷,2–3ω·cm)硅(100)表面。用HF清洗樣品以除去天然氧化物后,將其安裝在UHV室中,背景壓力低于10-8托。鎳樣品架的溫度可以控制在100-1000K。在每次實驗之前,樣品被加熱到900K,以去除所有剩余的氟。為了驗證樣品沒有被樣品架上的鎳污染,一些樣品在實驗結束后被轉移到不同的裝置中,并進行俄歇和XPS分析。沒有發(fā)現(xiàn)鎳或任何其他金屬的痕跡,這表明污染物的影響可以忽略不計。二氟化氙通過與表面法線成52°角的流出氣體源提供。根據二氟化氙蒸汽壓和...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程,每個晶片都要經歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模材料,其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑,并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔,這些空腔應該根據用途具有特定的深度。產生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率來控制。執(zhí)行蝕刻機制的成功之處在于,多層結構的頂層應該被完全去除,而在底層或掩模層中沒有任何種類的損傷。這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比,稱為選擇性。在一些蝕刻情況下,蝕刻會削弱掩模層,并產生形成空腔的傾斜側壁。底切的距離稱為偏差。 蝕刻類型      各向同性蝕刻:濕蝕刻劑通常是各向同性的,并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差。它們還需要處理大量有毒廢物。這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效,在該處理中,晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄,并且對熱或機械類型的應力非常敏感。蝕刻幾微米的非常薄的層將去除在背面研磨過程中產生的微裂紋,導致晶片具有顯著增加的強度和柔性。      對于各向同性濕法蝕刻,氫氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言超聲波已廣泛應用于各種行業(yè),如制造業(yè)、工業(yè)清洗和半導體晶片清洗工藝。在這項工作中,我們將超聲波用于太陽能電池晶片清洗系統(tǒng)。我們設計并制作了一個頻率為750千赫的太陽能電池晶片中頻清洗系統(tǒng)。利用有限元分析設計了系統(tǒng)。獲得的峰值導納值為750.0千赫。根據分析結果,制作了系統(tǒng),測量了系統(tǒng)的導納特性。測量數(shù)據顯示753.1千赫,這個值與有限元結果一致,誤差為0.4%。進行了聲壓測試,結果發(fā)現(xiàn)壓力范圍為283%至328%,標準偏差范圍為36.8%至39.2%。然后,進行晶片損傷測試,并且沒有觀察到損傷。最后,進行顆粒清洗試驗;當我們施加1100 W時,99.8%的顆粒被去除。這些結果表明,所開發(fā)的中聲槽具有有效清潔而不會造成晶片破裂的能力。 實驗聲壓測量:制造超聲波浴后,測量充滿水的板上的聲壓分布。實驗裝置由附在夾具上的水聽器傳感器和三軸移動柱以及計算機分析系統(tǒng)組成,如圖7所示。測量數(shù)據時,傳感器以0.05毫米的步長沿之字形路徑移動,以便能夠詳細掃描所需區(qū)域。測量數(shù)據被傳輸?shù)接嬎銠C,壓力分布被實時顯示。保存數(shù)據文件后,通過計算最大值和標準偏差值進行分析。首先,我們將水箱裝滿水,并通過調節(jié)發(fā)電機來啟動電源。功率從200瓦增加到700瓦,其值可能不會損壞太陽能晶片。供電時,由于系統(tǒng)的目標,傳感器將浸入水面下3毫米,這確保了它將在水中工作進行清潔...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料制造過程中的清潔的目的:抗蝕劑去除,表面處理,去除顆粒,去除有機物和去除金屬。清潔可分為預沉積/氧化清洗和蝕刻后清洗。我們選擇清潔工藝/化學的因素有:要清除的殘留物類型,清潔過程中暴露的表面類型,能夠在不損壞器件材料的情況下去除殘留物和污染物。清潔機制分為螯合/復合物形成,增溶和溶解。表面活性劑:表面活性劑是任何清潔劑中最重要的部分。表面活性劑這個詞是“表面活性劑”的縮寫。一般來說,表面活性劑是一種化學物質,當溶解在水或另一種溶劑中時,會在液體和固體(我們正在去除的污垢)之間的界面(邊界)上定向,并改變界面的性質。表面活性劑是如何工作的?都有一個共同的分子相似性。分子的一端有一個長的非極性鏈被油、油脂和污垢(疏水物)吸引。分子的另一部分被水(親水物)吸引。如圖所示,表面活性劑排列在界面上。分子的疏水端離開水,親水端靠近水。當污垢或油脂存在時(本質上是疏水的),表面活性劑會包圍它,直到它從邊界上被清除。注意到污垢分子實際上懸浮在溶液中。 螯合劑:去污是一個復雜的過程,比僅僅在水中加入肥皂或表面活性劑要復雜得多。我們在處理清潔劑時主要關心的問題之一是水的硬度。由于鈣、鎂、鐵和錳金屬離子的存在,水變得“堅硬”。這些金屬離子會干擾洗滌劑的清潔能力。金屬離子像灰塵一樣起作用“用完”表面活性劑,使它們無法作用于我們想要清潔的表面。螯合劑與這些物質結...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言在半導體清洗過程中,作為取代 現(xiàn)有濕化學清洗液的新型濕式溶液,將臭氧溶解到純中,被稱為僅次于氟的強氧化劑,是PR去除工藝和雜質清洗。這種臭氧水方式的濕洗完全不使用對環(huán)境有害的物質,大大減少了純水的使用量,同時在PR去除效果方面被評價為與現(xiàn)有SPM溶液(硫酸/過氧化氫混合液)工藝相當?shù)募夹g。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對水的溶解度低、水中擴散阻力大的根本制約因素,以目前國內外技術水平的低PR去除性能來說,有很大的技術制約,不能滿足設備制造業(yè)的生產產量。因此,與傳統(tǒng)的濕法工藝相比,雖然有很多優(yōu)點,但實際的PR去除工藝中臭氧水工藝實用化替代并不明顯。 實驗 PR去除試驗為了探討本邊界膜控制方式臭氧處理工藝研究所進行的遼小技術及工藝設備作為半導體制造工藝的PR去除工藝是否具有可行性和有效性,進行了PR去除性能試驗。性能測試是根據預定義的工藝條件,使用硅片在凸輪內進行反應工藝后未反應的方法測量硅片表面殘留的PR厚度,計算每單位時間的PR去除率,從而達到PR去除率最高的工藝條件。想要發(fā)貨。半導體制造過程中使用的PR種類很多,而且各制造過程使用的方法也很多。如圖7所示,為了PR去除試驗,制作并使用了臭氧發(fā)生量為60g/hr級的超高濃度臭氧發(fā)生系統(tǒng),臭氧供應流量為6-12[LITER/PLIN],并調整放電功率以保持14-16wt%的臭氧濃度...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言多孔硅(pSi)內表面的鈍化是大多數(shù)接收應用的先決條件。在多孔硅(PsI)內表面,反應性氫化物端接鍵被功能更穩(wěn)定的物質取代。在可容易地應用于pSi膜和粉末的鈍化技術中,熱氧化是最常見的;在靜態(tài)樣品/熔爐條件下,這已被證明是高度放熱的,并可導致大程度的燒結和孔隙塌陷。我們通過陽極氧化和從母晶片電化學分離形成的多孔硅膜在室溫下通過浸入包含甲醇和氫氧化鈉( 實驗在電化學陽極化(直徑150毫米,硼,0.01:1)上制備多孔硅層;選擇電流密度和時間產生介質(63%)或高孔率(80%),層厚度150µm。陽極化后,通過施加高電流密度脈沖(130mA/cm2,持續(xù)10m),每一層立即與基底分離。隨后,分離的膜在MeOH中沖洗,并在50?C下真空干燥幾個小時,然后手工破碎成小塊(從1M(pH14)原液中連續(xù)稀釋制備0.1M(pH13)和0.01M(pH12)氫氧化鈉溶液。將MeOH移液到陽極氧化的疏水pSi上,以促進潤濕,并允許隨后添加的氫氧化鈉水溶液(足以完全覆蓋膜)進入孔隙結構;攪拌溶液(300rpm)以確保均勻性;使用熱電偶測量每種溶液的最高溫度。在預先確定的時間后,每個樣品從溶液中分離,依次沖洗(去離子水,然后是甲醇),干燥(50?C真空烤箱數(shù)小時)。使用氮氣吸附/解吸,使用微型三輪車3000測定每個粉末的表面積、孔隙體積和平均孔...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料在半導體制造中,半導體的濕法清洗使用氫氟酸(HF)、標準清洗1(SCI)和標準清洗2(SC2)的順序化學配方進行柵極前清洗。該清洗程序旨在通過HF去除大塊二氧化硅(SiO),然后用SCI(去離子水(DI)、氫氧化氨(NH,OH)和過氧化氫(HCO)的混合物)清洗顆粒,然后用SC2(去離子水、鹽酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金屬。該順序清潔過程之后通常是最后的異丙醇(異丙醇)干燥步驟。在每個步驟之間通常會進行中間去離子水沖洗。重要的是在高頻之后和化學氣相沉積重新生長一氧化硅層之前,清潔半導體襯底的硅(硅)表面。任何由硅-二氧化硅界面中的顆粒、金屬或表面粗糙度引起的缺陷都可能導致氧化物電荷-擊穿(Qtd)故障的電測試,導致器件成品率降低。用于清洗半導體晶片的系統(tǒng)和方法,其中消除了SCI和SC2的使用,代之以DIO和稀釋化學物質的使用。在一個方面,本方法包括:(a)在處理室中支撐至少一個半導體晶片,該半導體晶片具有硅基底,在至少一個預柵極結構中具有二氧化硅層;(b)將去離子水中的氫氟酸水溶液施加到半導體晶片上,以去除二氧化硅層并形成柵極;(c)向半導體晶片施加臭氧化去離子水(DIO ),以從柵極去除顆粒并鈍化硅基底;(d)將氫氟酸和鹽酸在去離子水中的稀溶液施加到半導體晶片上,以去除由于施加DIO而可能在柵極中形成的任何二氧化硅層,并去除任何金屬污染...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      微透鏡及其陣列在光子學中有許多應用的可能性,規(guī)模不斷縮小。它們因能夠在微型尺度上操縱光線并使整體包裝簡單緊湊而變得流行。因此,預計光子學中的微透鏡應用將以各種形式廣泛傳播。      我們使用基于Br2溶液的擴散限制化學蝕刻技術制造了折射半導體微透鏡。簡單的一步濕法刻蝕工藝產生了高質量的GaAs和磷化銦微透鏡,這兩種半導體材料在光電子學中最受歡迎。標稱透鏡直徑為30 m的球形GaAs微透鏡分別具有91和36 m的曲率半徑和焦距。經原子力顯微鏡檢查,表面粗糙度測量值低于10。由于加工簡單和高質量的結果,這種微透鏡制造方法應該易于應用。      圖1示意性地示出了掩模孔內的蝕刻工藝。Br2分子在掩蔽區(qū)域不與襯底反應,這些分子必須擴散到開放區(qū)域(在我們的例子中是圓孔)進行蝕刻。然而,由于Br2分子的低遷移率,分子在掩模邊界附近被消耗的概率高于遠離掩模邊界的概率。蝕刻窗口上蝕刻速率的這種逐漸的空間變化(其分布在圖1的上面板中示意性地示出)在半導體表面上形成球面透鏡輪廓。在取決于半導體材料和所需透鏡曲線的蝕刻期間,樣品需要靜止放置在蝕刻槽內以獲得良好的再現(xiàn)性,因為對蝕刻物質的自然差異運動的任何干擾都會改變蝕刻過程的細節(jié)。 圖1 使用基于Br2的...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 11
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