掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文開(kāi)發(fā)了一種新穎的單晶片清洗技術(shù)，以滿足化合物半導(dǎo)體制造的需求:去除光刻膠和蝕刻后殘留物，同時(shí)保持與各種化合物半導(dǎo)體材料、暴露金屬和介電層的兼容性。CoatsClean平臺(tái)是工藝和化學(xué)技術(shù)的結(jié)合，具有顯著減少化學(xué)物質(zhì)使用、縮短工藝時(shí)間、晶圓間一致性和工藝靈活性的特點(diǎn)。本文描述了CoatsClean技術(shù)，并展示了在生產(chǎn)聚酰亞胺過(guò)孔和基座層的GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)時(shí)去除蝕刻后殘留物的能力。 介紹 我們開(kāi)發(fā)了一種新型的單晶片清潔技術(shù)，針對(duì)化合物半導(dǎo)體制造的需求：去除光刻抗蝕劑和蝕刻后殘留物，同時(shí)保持與無(wú)數(shù)化合物半導(dǎo)體材料、暴露金屬和電介質(zhì)層的兼容性。Clean?平臺(tái)是工藝和定制化學(xué)配方技術(shù)的結(jié)合。這一創(chuàng)新源于洞察晶圓清洗是一種化學(xué)工藝，以及為晶圓清洗設(shè)計(jì)最佳化學(xué)工藝的有意識(shí)選擇。該技術(shù)的特點(diǎn)是顯著減少化學(xué)使用，使用點(diǎn)加熱，和短工藝時(shí)間在單個(gè)碗工具。除了環(huán)境可持續(xù)性外，減少化學(xué)使用允許在每個(gè)晶片上使用新鮮的、未使用的解決方案，導(dǎo)致晶片之間的一致性和擁有成本可能低于用于制造砷化鎵hbt的其他抵抗剝離工藝，包括等離子化干燥條、單晶片噴霧和浸泡。 該技術(shù)在光刻抗蝕劑清洗過(guò)程中提供了靈活性，包括平衡抗蝕劑去除與材料兼容性的能力，增加了化學(xué)配方的穩(wěn)定性，以...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 使用旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極在各種磷酸基電解質(zhì)中研究了銅和銅/鉭/硅晶片樣品的電拋光，包括幾種添加乙醇和其他物質(zhì)作為稀釋劑的電解質(zhì)。稀釋劑允許獲得大范圍的水濃度，還降低了銅電解拋光過(guò)程中的溶解速率，簡(jiǎn)化了鑲嵌工藝的可能應(yīng)用。對(duì)測(cè)得的極限電流密度進(jìn)行萊維奇分析，證明水是速率決定步驟中涉及的受體物種。所確定的有效擴(kuò)散系數(shù)與先前從電流體動(dòng)力阻抗獲得的幾乎完全一致，這不需要了解極限物質(zhì)。 介紹 電拋光長(zhǎng)期以來(lái)在工業(yè)上用于各種目的，最常見(jiàn)的是用于進(jìn)一步處理或分析的表面準(zhǔn)備和用于美容目的的表面拋光。電拋光可包括表面平整和或表面光亮。盡管這些術(shù)語(yǔ)經(jīng)?；Q使用，但調(diào)平通常與大于1微米的表面特征的平滑有關(guān)，而與小于1微米的特征的增亮有關(guān)。盡管廣泛使用，但這種機(jī)制電拋光通常發(fā)生在金屬表面鈍化的高陽(yáng)極電位下的質(zhì)量傳遞限制電流下。然而，研究人員提出了多種對(duì)電拋光至關(guān)重要的工藝，包括在電化學(xué)界面形成粘性膜，與該膜接近其溶解度極限相關(guān)的動(dòng)態(tài)效應(yīng)，以及溶解金屬離子的溶液相受體種類。這些不同效應(yīng)的相對(duì)重要性和相互依賴性仍不清楚。 在本報(bào)告中，我們介紹了銅在磷酸溶液中電拋光的研究，該溶液含有稀釋劑，并確定水是速率確定步驟中涉及的受體物種。實(shí)驗(yàn) &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 硅表面的濕化學(xué)處理經(jīng)常用于光伏、電子和其他工業(yè)中的幾個(gè)不同的處理步驟。例如，它們被用于去除鋸傷、表面清潔以及晶片表面的拋光或紋理化。這里我們報(bào)道了含有氫氟酸、鹽酸和過(guò)氧化氫的溶液，它們是用于硅晶片紋理化和清潔的新型酸性蝕刻混合物。顯示了溶液的反應(yīng)性和清潔特性，以及經(jīng)處理的硅晶片的表面形態(tài)和反射性能。 反應(yīng)性研究 在室溫下蝕刻金剛石線鋸晶片期間，觀察到高達(dá)8 nm s-1的硅蝕刻速率。反應(yīng)性取決于過(guò)氧化氫和鹽酸的濃度。這可以用氯作為硅表面原子氧化劑的形成增加來(lái)解釋。氫氟酸濃度的增加導(dǎo)致氧化硅物質(zhì)的溶解速度加快。 清潔屬性 鋸切后，金剛石線鋸切晶片表面有高濃度的金屬。用HF-HCI-H2O2混合物處理后，濃度要低10倍以上。清潔結(jié)果與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的清洗浴相當(dāng)。 表面形態(tài) 在高含量鹽酸的混合物中蝕刻后，在硅(100)晶片表面發(fā)現(xiàn)金字塔結(jié)構(gòu)。產(chǎn)生了規(guī)則的金字塔結(jié)構(gòu)，這迄今為止僅從堿性蝕刻溶液中得知。共焦激光掃描顯微鏡(CLSM)揭示了晶片表面的損傷去除和粗糙化。與切割表面Sz = 4.881 μm相比，紋理表面Sz = 4.063微米的最大高度變小。同時(shí)，在...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文通過(guò)繪制少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度、體中鐵濃度和表面污染（表面電荷和表面重組），介紹了表面光電電壓(SPV)在監(jiān)測(cè)化學(xué)清洗和化學(xué)品純度方面的應(yīng)用。新的SPV方法和精密儀器的非接觸性、晶片級(jí)的特性使該技術(shù)特別適合于重金屬監(jiān)測(cè)。該方法用于監(jiān)測(cè)BHF中的銅污染，通過(guò)測(cè)量其對(duì)表面重組的影響，并通過(guò)其對(duì)整體重組的影響，快速熱退火步驟用于驅(qū)動(dòng)在清洗過(guò)程中沉積在表面的鐵。鐵表面污染測(cè)量到1X109cm-2水平，而該方法的檢測(cè)限為2x108cm-2。不同等級(jí)的H202中不同的鐵污染水平(1~13ppb)很容易區(qū)分。該程序應(yīng)允許人們?cè)?ppt水平上監(jiān)測(cè)H202中的鐵污染。進(jìn)口化學(xué)品的清潔度并不總是一個(gè)限制因素，而且通常與使用點(diǎn)（在清潔站）的化學(xué)品的清潔度無(wú)關(guān)。 介紹 集成電路(IC)復(fù)雜性的持續(xù)增加，以及需要減少柵極氧化物厚度的臨界尺寸的減少，產(chǎn)生了更好地控制重金屬污染的需要。這就對(duì)清潔方法和表征技術(shù)提出了嚴(yán)格的要求，迫切需要一種快速、廉價(jià)、高通量的測(cè)量方法，可作為一種質(zhì)量控制(QC)方法，以實(shí)時(shí)確定清洗過(guò)程、進(jìn)入的化學(xué)品、使用點(diǎn)的化學(xué)品和清洗站的性能。在此，我們探討了表面光電電壓(SPV)在監(jiān)測(cè)化學(xué)清洗中的應(yīng)用。與其他技術(shù)如總反射x射線熒光光譜(TXRF)或原子吸收光譜(...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在半導(dǎo)體制造的干燥工藝中，水印抑制是重要的課題，對(duì)此，IPA直接置換干燥是有效的。 水印的生成可以通過(guò)三相界面共存模型進(jìn)行說(shuō)明。另外就馬蘭戈尼效果進(jìn)行說(shuō)明。 半導(dǎo)體制造中的表面干燥技術(shù) 個(gè)人計(jì)算機(jī)在普通家庭的普及和隨著互聯(lián)網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的完善需要大內(nèi)存和高速CPU。與此相對(duì)，現(xiàn)在晶體管 結(jié)構(gòu)框架中的解是微細(xì)化、高集成化。存儲(chǔ)單元的微小化使存儲(chǔ)容量的大容量化成為可能，布線的微小化會(huì)帶來(lái)時(shí)鐘頻率的提高和低功耗化。在半導(dǎo)體制造工藝中，表面的清潔保持清潔度是重要的。應(yīng)該管理的污染物作為物質(zhì)，除粒子外，還有有機(jī)成分、金屬、自然氧化膜。干燥方法的變遷 首先，從封入晶圓的容器的下部導(dǎo)入純水進(jìn)行沖洗。水洗后，一邊排出純水一邊排 出IPA 從容器上部安靜地導(dǎo)入蒸汽。IPA是純水從表面擴(kuò)散，在水的最表面形成IPA層。在該狀態(tài)下，相對(duì)降低液面后，晶片表面的接觸物質(zhì)按照100%的純水- 含有低濃度IPA的純水t含有高濃度IPA的純水-液相 IPA-氣相IPA的順序不斷變化。結(jié)果，得到了沒(méi)有水滴殘留的表面，不產(chǎn)生水印。 圖1水印的生成機(jī)制 水印可以認(rèn)為是被表面捕獲的水滴在物理或化學(xué)蒸發(fā)的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 氮化鋁是寬直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料。高溫強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好、熱膨脹系數(shù)小、耐腐蝕性強(qiáng)、介電性能好等特點(diǎn)使氮化鋁作為抗沖擊材料、坩堝材料、導(dǎo)電材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。綜述了氮化鋁粉末的生產(chǎn)方法及其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 介紹 氮化鋁是一種陶瓷絕緣體，第三代半導(dǎo)體材料。氮化鋁在室溫下的帶隙為6.42eV，熱膨脹系數(shù)為4.5×10-6°C；最大穩(wěn)定到2200°C。.本文介紹了基于氮化鋁粉末生產(chǎn)方法的氮化鋁的基本特性及其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。 氮化鋁的基本結(jié)構(gòu)和性能 氮化鋁和其他材料的比較如表1所示。與其他材料相比，可以看出氮化鋁的熔點(diǎn)更高，導(dǎo)熱系數(shù)更大，帶隙更寬。這些特性是由特殊氮化鋁的內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成的。 氮化鋁通過(guò)共價(jià)鍵連接。圖1顯示了氮化鋁的晶體結(jié)構(gòu)。它具有六方晶體結(jié)構(gòu)，與硫化鋅和硫化鋅礦石相同。氮化鋁空間群為P63mc 。它的空間結(jié)構(gòu)led氮化鋁具有很高的熱穩(wěn)定性，因此它應(yīng)該在壓制和焊接之前生產(chǎn)工業(yè)級(jí)材料。 表1 預(yù)測(cè)器變量的高低設(shè)置 圖1 氮化鋁的晶體結(jié)構(gòu)氮化鋁的制備方法 直接氮化法-...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 表面處理和預(yù)清洗在半導(dǎo)體工業(yè)中的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附性和金屬半導(dǎo)體觸點(diǎn)的低電阻，某些溶劑或等離子體清洗以及酸或堿處理對(duì)于去除有機(jī)殘留物和表面氧化物至關(guān)重要。已知多種蝕刻劑對(duì)于去除天然GaAs氧化物是有效的。然而，在特定的加工步驟中使用什么處理，以及需要什么濃度和加工時(shí)間來(lái)獲得有效的結(jié)果，在工業(yè)中幾乎沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)化。此外，與制備特定蝕刻化學(xué)物質(zhì)相關(guān)的成本和所涉及的化學(xué)物質(zhì)的有效壽命以前沒(méi)有被仔細(xì)研究過(guò)。這篇合作論文將回顧幾個(gè)大規(guī)模制造組織中濕法氧化物去除蝕刻的一般實(shí)踐，并研究這些實(shí)踐的有效性。 介紹 作為制造過(guò)程的一部分，所有半導(dǎo)體制造場(chǎng)所都使用酸、堿、溶劑和等離子清洗來(lái)去除氧化物、抗浮渣或GaAs和相關(guān)外延化合物。例如，圖案化光致抗蝕劑開(kāi)口可能需要等離子體清潔以去除顯影步驟后殘留的殘余抗蝕劑，并且這之后經(jīng)常是氧化物去除以確保蒸發(fā)膜的良好粘附。類似地，可能需要表面清潔來(lái)為下一層光刻或電介質(zhì)沉積準(zhǔn)備晶片表面。在濕法處理的情況下，化學(xué)制劑可以作為通風(fēng)柜中的浴液獲得，或者從晶片軌道或其他自動(dòng)化單晶片處理工具中分配。工程部門(mén)有責(zé)任決定使用什么樣的浴缸，使用什么樣的濃度，以及有效的浴缸壽命應(yīng)該是多少。本文提供了這些選擇的示例，并討論了這些加工步驟...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 介紹了用聚四氟乙烯聚合物覆蓋石英反應(yīng)器中二氯化碳F2/O2等離子體刻蝕硅的基本結(jié)果。以刻蝕聚四氟乙烯聚合物為代價(jià)，建立了在活性輸送化學(xué)活性粒子(CAP)條件下，等離子體CCl2F2/O2中硅刻蝕(PCE)的等離子體化學(xué)非一致性模型。進(jìn)行高達(dá)180 mkm的硅深度蝕刻30分鐘。然而硅的深度蝕刻的各向異性較低。 介紹 納米和微機(jī)電設(shè)備和系統(tǒng)的發(fā)展帶來(lái)了與微電子學(xué)在電子學(xué)領(lǐng)域同樣的工程革命。微電子力學(xué)的基礎(chǔ)是微電子技術(shù)中先進(jìn)的表面微加工與體積加工和新材料的使用以及物理效應(yīng)的結(jié)合。創(chuàng)建了新的體積構(gòu)造元素大厚度的膜、梁、腔、孔。它在微型發(fā)動(dòng)機(jī)、微型機(jī)器人、微型泵、各種物理參數(shù)(壓力、加速度、溫度等)傳感器的超靈敏、微型光學(xué)等領(lǐng)域取得了進(jìn)展。納米和微機(jī)電系統(tǒng)的技術(shù)方面 微系統(tǒng)工程產(chǎn)品制造中三維制造模型的基本工具是初始材料的深度各向異性等離子體蝕刻。制造微機(jī)電系統(tǒng)(微系統(tǒng)工程領(lǐng)域最先進(jìn)的方向)的世界經(jīng)驗(yàn)是基于硅的廣泛使用——廉價(jià)且可獲得的材料。在這方面，開(kāi)發(fā)硅的等離子體化學(xué)蝕刻工藝的工作是迫切的。對(duì)微系統(tǒng)工程技術(shù)基礎(chǔ)發(fā)展特點(diǎn)的分析表明，它與微電子制造的經(jīng)典技術(shù)接受有著重要的區(qū)別。微機(jī)械元件的厚度可以比它們?cè)诒砻嫔系某叽绱蟮枚唷?..
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。 介紹 晶體硅的織構(gòu)化是太陽(yáng)能電池制造中必不可少的工藝之一。具有良好紋理的表 面可以提高太陽(yáng)能電池的光吸收效率，這被認(rèn)為對(duì)電池的IQE（內(nèi)部量子效率），已經(jīng)開(kāi)發(fā)了許多用于表面紋理化的技術(shù)，但是在c-Si（單晶硅）太陽(yáng)能電池， 的工業(yè)生產(chǎn)中通常使用熱堿性溶液的各向異性蝕刻。通過(guò)適當(dāng)應(yīng)用工藝參 數(shù)，氫氧化鉀（或氫氧化鈉）和異丙醇（異丙醇）的濕化學(xué)混合物與硅反應(yīng)，在（100）取向的cSi晶片表面上形成隨機(jī)金字塔，從而降低總表面反射率。雖然大部分努力都放在調(diào)整紋理化工藝參數(shù)以控制金字塔尺寸上，但很少關(guān)注晶 片表面質(zhì)量的變量以及紋理化前表面處理對(duì)紋理化結(jié)果的影響。本文通過(guò)應(yīng)用各種清洗條件和使用不同供應(yīng)商的晶片，研究了預(yù)清洗對(duì)c-Si太陽(yáng)能晶片堿性織構(gòu)化的影響，并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論。 實(shí)驗(yàn) 濕法化學(xué)工藝是在阿克里翁應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的GA...
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