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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文為后化學機械拋光工藝開發(fā)了新型清洗液,在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨(TMAH)和/或螯合劑乙二胺四乙酸(EDTA),以增強對金屬和有機污染物的去除。從實驗結果可以發(fā)現,化學機械拋光后的清洗顯著提高了顆粒和金屬的去除效率和電特性。 介紹      化學機械拋光(CMP)工藝已成為制造深亞微米集成電路的主流平面化技術。隨著尺寸的縮小,CMP過程后對清潔表面的要求變得比以往任何時候都更加嚴格。有兩個主要的問題。一個是粒子,另一個是晶片表面的金屬雜質污染。刷洗滌技術已應用多年,被認為是CMP工藝后去除顆粒最有效的方法。在清洗溶液方面,去除顆粒的最有效的方法是使用稀釋的氫氧化銨(NHOH+HO)堿性水溶液,這將導致晶片表面的蝕刻和電排斥力來去除顆粒。      本研究采用表面活性劑四甲基氫氧化銨(TMAH)提高顆粒去除效率,采用螯合劑乙二胺四乙酸(EDTA)減少金屬雜質污染。我們發(fā)現,使用這種新溶液可以顯著提高粒子、金屬去除效率和電特性。 實驗  略 結果和討論      圖1說明了硅表面在接觸角測量中的潤濕性。將一個300nm的...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經過商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制反應,代替脫蠟器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結合,以減少蠟去除時間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導致表面接觸角小于5°,這表明不需要進一步的清洗步驟。通過將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過程相結合,進一步提高了顆粒去除效率。通過在脫蠟過程中引入DIO3清洗,縮短了處理時間。 介紹      通過幾種拋光和清洗工藝,已經生產出通過直拉法生長的用于器件芯片制造的硅晶片。隨著用于器件大規(guī)模生產的晶片尺寸的增加,半導體制造需要硅晶片的改善的均勻性和接近零的缺陷。通常,真空吸盤或薄膜類型的薄膜用于將晶片附著在拋光頭上進行拋光處理。然而,有機蠟也被用于將晶片附著在頭上,用于最終的批量型拋光工藝,特別是為了實現晶片的高均勻性。在拋光過程之后,應該從晶片背面去除有機蠟及其殘留物。商業(yè)和專有的脫蠟器用于去除厚的有機蠟,但是在常規(guī)的晶片背面清洗工藝中,為了去除殘留物和顆粒,遵循了SC-1清洗的幾個步驟。它需要較長的處理時間、高溫、大量的化...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹      聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗被認為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而,許多研究人員指責全接觸擦洗導致了晶片表面的劃痕,并建議應避免全接觸。非接觸式去除力較弱,但不會產生劃痕。如果在非接觸模式下,去除力可以通過流體動力阻力的最大化來克服與清洗液的附著力,那么非接觸模式擦洗將是最佳的清洗方法。為了通過刷子和晶片之間的小間隙使流體動力阻力最大化,壓電傳感器安裝在晶片上以檢測由接觸產生的信號。為了研究磨料顆粒對銅和聚硅酸乙酯的粘附性,測量了膠體二氧化硅磨料、銅和聚硅酸乙酯之間的相對zeta電位。本文研究了聚乙烯醇刷非接觸擦洗對化學機械拋光后清洗的影響。 實驗      利用zeta電位分析儀研究了銅和PETEOS表面的磨料粘附性,以測量膠體硅、PETEOS和Cu表面之間的相對zeta電位。實驗中使用的CMP漿料為商業(yè)漿料,含膠體硅磨料(平均直徑約為60nm,4.75wt%)。為了研究PVA電刷在非接觸模式下旋轉引起的水動力阻力的影響,實驗中使用了可控制到60~240rpm旋轉的研發(fā)清潔劑(GnPCleaner428,GnP技術)。清潔器可以調整電刷子和晶片之間的間隙。...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 15
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      熱磷酸被發(fā)現有助于蝕刻和表征生長在(0001)藍寶石基質上的外延氮化鎵晶體。得到的蝕刻速率為0.2-1.0um/min,在50℃~200℃鎵離子的溫度區(qū)域的活化能約為4.4千卡/摩爾被認為是蝕刻作用的速率決定步驟。x射線衍射和紅外光譜研究表明,正交離子和元磷離子在蝕刻過程中在攻擊離子中起著重要的作用。這種磷酸蝕刻顯示了未摻雜(n)、摻雜鋅(i)和in結構的氮化鎵外延晶體的晶體缺陷。圓錐形的六角形金字塔形凹坑和截斷的六角形凹坑在未摻雜的層中形成,它們傾向于沿著滑移方向排列,并歸因于一定的位錯。這些六角形的凹坑在外延層和基底的界面附近密集產生。凹坑的密度隨著晶體的增長而呈指數級減小。當載流子濃度較高(1019-1020cm3)時,凹坑的密度和尺寸容易增大。圓形的蝕刻圖在zn摻雜晶體中形成,有時在高載流子濃度(1019cm-3)的未摻雜晶體中形成。蝕刻現象還表明,即使鋅摻雜層連續(xù)沉積在未摻雜層上,鋅摻雜晶體和未摻雜晶體的生長模式也存在顯著差異。這意味著這些晶體之間的晶體生長機制有所不同。 介紹      氮化鎵是一種非常有前途的化合物半導體,因為它具有寬帶隙[3.5eV(1)]。由于Maruska和Tietjen通過氣相沉積技術(2)在藍寶石基質上生長了氮化鎵的外延單...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      寬帶隙半導體具有許多特性,使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻,包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸,在非酸性乙酰丙酮中,第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻,通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化鎵和碳化硅的各種蝕刻劑,包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導體技術中有多種應用,包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵和碳化硅,在室溫下電化學刻蝕在某些情況下是成功的。此外,光輔助濕法蝕刻產生類似的速率,與晶體極性無關。 介紹      寬帶隙半導體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對許多新興應用具有吸引力。例如,AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMTs)和單片微波集成電路(MMICs)的發(fā)展預示著高頻工作。此外,氮化鎵還用于紫外波長光電子器件。它具有高擊穿電場,大于硅或GaAs的50倍,這使得它可以用于高功率電子應用。氮化鎵的寬帶隙使其可以用于藍色/紫外線發(fā)光二極管和激光二極管,并且由于其固有載流子濃度低,可以在非常高的溫度下工作。 氧化鋅是一種具有纖鋅礦晶體結構的直接寬帶隙材料,可用于氣體傳感器、透...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      隨著集成電路變得越來越復雜。每個芯片的輸入/輸出連接數在增長傳統的引線鍵臺、引線框架、安裝技術已經跟不上了。當芯片封裝在一個擁有數百條引線的巨大器件中時;縮小芯片尺寸所節(jié)省的空間就會丟失。解決辦法是顛簸金、導電膠,但最重要的是焊料凸點。實際上,世界上每—家半導體制造商都在使用或計劃使用凸點技術來制造更大、更復雜的產品設備。      用于制造凸起晶片的幾種晶片凸起工藝。一些更流行的技術是蒸發(fā)、模板或絲網印刷、電鍍、化學鍍鐐、焊料噴射、柱形凸塊、貼花轉印、沖孔和沖模、焊料注入或擠出、粘性點處理和球放置。 ,      本文將討論使用這些技術來撞擊晶片的工藝步驟。關鍵清潔是這些過程的要求。需要去除的主要污染物是光刻膠和焊劑殘留物。去除這些污染物需 要濕法工藝,而濕法工藝不會      侵蝕、晶片金屬化或鈍化。研究的重點是滿足這一關鍵清潔要求的強化清潔解決方案。本文將介 紹定義從凸起晶片溶劑化和去除殘留物所需的時間、溫度、溶解能力和沖擊能量的工藝參數。 介紹      隨著技術的發(fā)展,將會有許多需要創(chuàng)新的挑戰(zhàn),一個關鍵的挑戰(zhàn)將是關鍵的清潔。 為了更好地理解臨界清洗,本文將比較精密...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      通過x射線光電子能譜、原子力顯微鏡、反射高能電子衍射、電流電壓和電子束誘導電流表征,研究了氫氧化鉀處理對n型氮化鎵表面性質和相關Au/n-GaN接觸點的影響。比較了分子束外延和金屬有機化學氣相沉積生長的氣體極性表面。氫氧化鉀處理后,Au/n-GaN接觸的非輻射重組特性增加,與表面Ga空位增加、表面N-H2含量增加和表面C污染減少有關。對于分子束外延生長的氮化鎵,Ga3d峰位置的0.3eV轉移和位錯對比的減少,這表明表面Ga空位和線程位錯在定義合成的金屬/GaN接觸特性方面只發(fā)揮了有限的作用。因此,在評價n-GaN表面的電學性質和相關的金屬接觸點的性能時,應考慮到氫氧化鉀處理后的表面原子含量和由此產生的表面狀態(tài)。 介紹      基于砷化鎵的器件的性能受到用于連接到電源或其他器件的金屬觸點的質量的顯著影響。金屬/n-GaN接觸點的電學性能取決于各種各樣的處理參數,如氮化鎵表面的清洗和蝕刻,金屬接觸層的組成和厚度,以及用于激活接觸點的退火溫度和大氣。由于增強的擴散偶聯金屬化層和退火條件已經被確定以提高接觸性能,因此也越來越注意金屬化前氮化鎵表面的制備。 需要詳細的研究來評估所采用的化學處理、氮化鎵表面由此產生的化學/結構修飾與接觸點的電學性能之間的密切關系。...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文報道了用磷酸或氫氧化鉀溶液對鎵面和氮面氮化鎵進行化學腐蝕的特性。由{10-1-1}面組成的六邊形金字塔在氫氧化鉀(2M,100℃)蝕刻后出現在N面上。相比之下,使用H3PO4 (85WT%,100℃)溶液中,GaN的氮表面呈現十二邊形金字塔。當分別使用H3PO4或氫氧化鉀溶液時,十二邊形和六邊形金字塔重復出現在蝕刻表面上。低濃度的H3PO4 (H3PO4:去離子水= 1:32,1:64)產生了十二邊形和六邊形金字塔共存的粗糙表面。與未蝕刻表面相比,由于多次散射事件,蝕刻表面的光致發(fā)光強度顯著增加。因此,本研究中開發(fā)的蝕刻技術被證明可以提高發(fā)光二極管的光提取效率,避免等離子體蝕刻方法對氮化鎵的破壞。 介紹      由于根據Snell定律GaN (n = 2.5)和空氣(n = 1)之間的折射率差異,GaN LEDs具有非常小的臨界角(~23.6 ℃) 當GaN和空氣之間的界面非常平坦和寬時,據報道只有4%的產生的光子能夠逸出表面已經開發(fā)了許多方法來解決這個問題, 包括使用光子晶體結構、漸變折射率層和圖案化藍寶石襯底。在這些方法中,濕化學蝕刻通常用于第三族氮化物材料系統的表面紋理化,因為它具有設備設置簡單、沒有晶格損傷、可擴展性和良好的選擇性等特點.光增強化學...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 14
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文研究了一種用碳酸鈉和碳酸氫鈉溶液進行單晶硅太陽能電池織構化的新技術。通過一系列不同參數的對比實驗,如Na2CO3和碳酸氫鈉的濃度、溶液溫度和刻蝕時間,來說明半球表面反射率的相關性。經過四組實驗,我們在不同的硅表面獲得了均勻可靠的金字塔形織構化。此外,我們發(fā)現通過添加碳酸氫鈉可以獲得更好的金字塔結構.已經發(fā)現在85℃下30分鐘由20 wt%碳酸鈉和4 wt%碳酸氫鈉組成的混合溶液在硅表面上產生均勻的金字塔結構。紋理化的硅表面在太陽光譜的主要范圍(400納米-800納米)中表現出較低的平均反射率(約12.84%)。因為這種組織化方法經濟、無害、污染小。我們覺得它適合大規(guī)模生產。 介紹      對于小型電源來說,光伏技術是一種可靠且經濟的技術,其中最重要的因素之一是光電轉換效率。為了提高單晶硅太陽能電池的光電轉換效率,采用織構化降低硅片表面反射率,增強光吸收。在單晶硅的情況下,報道了許多關于氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)溶液與異丙醇(IPA)的混合物的研究,因為堿性溶液各向異性地蝕刻硅并在硅表面上產生小金字塔。      許多解決方案可用于通過改善硅晶片結構光捕獲來提高硅太陽能電池的效率,但是其中,碳酸鹽/碳酸氫鹽溶液可被...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文利用n型氮化鎵在堿性過氧二硫酸鹽S2O2?8溶液中的電化學研究,解釋了開路條件下半導體的光刻機理。觀察到的鉑直接接觸半導體或電接觸的光蝕刻速率的增強主要是光光效應。闡明了決定蝕刻動力學和表面形態(tài)的因素。 介紹      單晶氮化鎵和三元第三族氮化物引起了科學界的極大興趣,它們優(yōu)越的化學和物理性能在高性能光電和電子器件中得到了應用。蝕刻是器件制造中必不可少的步驟。可以使用干蝕刻技術;這些包括反應離子刻蝕RIE、電子回旋RIE、電感耦合等離子體RIE、磁控管RIE和化學輔助離子束刻蝕。然而,這些技術涉及復雜和昂貴的設備。此外,干法蝕刻可能導致損壞的表面和體電子狀態(tài),這對光電子器件的性能有害。濕化學蝕刻提供了一種簡單而有吸引力的替代方法, 避免了表面損壞的問題。      本文用S2O2-8堿性溶液中n型氮化鎵的電化學研究結果作為考慮半導體光刻的基礎。使用了三種方法:I)光陽極蝕刻,其中半導體的電位由電壓源穩(wěn)壓器固定,ii)光電流蝕刻,其中半導體在沒有電壓源的情況下短路到反電極,以及iii)無反電極的無電光刻。在另一篇論文中,我們描述了顯示缺陷和圖案蝕刻或拋光的最佳S2O 2-8/KOH比率的結果。還考慮了S2O2...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 12
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