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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 摘要眾所周知,高劑量離子注入 (HDI) 光刻膠難以通過常規(guī)濕法剝離(例如硫酸-過氧化物混合物)去除,而不會因為其碳化外殼層而導(dǎo)致基板損失。為了克服這個問題,提出了幾種方法,例如干蝕刻濕法,輔助物理清潔。在本文中,介紹了一種在同一腔室中使用干法和濕法相結(jié)合的剝離 HDI 光刻膠的新方法,以實現(xiàn)在不損失基板的情況下去除 HDI 光刻膠。一個新的過程包括兩個步驟。第一個過程通過大氣壓電感耦合氫等離子體去除碳化外殼層,第二個過程通過硫酸-臭氧混合物去除剩余的本體光刻膠。新工藝可以去除 HDI 光刻膠而不會造成任何基板損失。傳統(tǒng)上,光刻膠已使用等離子灰化的組合剝離,低壓氧氣和浸漬濕法處理。然而, 由于等離子體灰化后的材料損壞,典型的灰化工藝已成為納米技術(shù)節(jié)點器件中的一個關(guān)鍵問題。因此,在光刻膠剝離中實施全濕法或其他無損傷工藝是必不可少的。實驗性氣壓電感耦合等離子體 (AICP)?!?低壓等離子體已用于半導(dǎo)體行業(yè)。然而,這里描述的新工藝要求在大氣壓下產(chǎn)生干凈的等離子體,因為它用于開放室單晶片、自旋清潔系統(tǒng)。因此,我們采用了 AICP 技術(shù)。該技術(shù)具有以下特點。 1. 等離子體非常干凈,因為電感耦合等離子體 (ICP) 沒有電極,這是金屬污染的來源。2. 該設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常簡單,因為不需要封閉的腔室。3. 可以產(chǎn)生高密度等離子體...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要半導(dǎo)體器件的制造工程使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在貝爾實驗室發(fā)明晶體管以及大約十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成電路開始,半導(dǎo)體器件極大地推動了計算和電子行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體材料,如硅、鍺、砷化鎵和磷化銦,既不是良好的絕緣體,也不是良好的導(dǎo)體,但它們具有固有的電氣特性,因此通過控制添加雜質(zhì),它們的導(dǎo)電性可以達到改變了。由于需要制造微米級和納米級器件,半導(dǎo)體行業(yè)遵循“摩爾定律”,即集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年呈指數(shù)增長的趨勢。制造這些集成電路的微小特征是通過對半導(dǎo)體材料進行等離子體蝕刻來實現(xiàn)的。介紹InGaP 和 InGaAsSb 等半導(dǎo)體對于發(fā)光設(shè)備以及通信設(shè)備和電子設(shè)備都很重要。這些器件的制造是通過等離子蝕刻實現(xiàn)的,其中電離氣體混合物通過化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊來蝕刻基板。在用于這些目的的等離子蝕刻中,銦產(chǎn)品沒有那么易揮發(fā),而且通常比其他半導(dǎo)體材料更難去除。實驗性  圖 1 是晶片層的簡化的表示結(jié)果與討論在第一輪蝕刻過程之后,結(jié)果尚無定論。看來濕蝕刻溶液沒有選擇性地蝕刻晶片。假設(shè)晶片可能已經(jīng)倒置,這意味著正在蝕刻更厚的 GaAs 底層而不是 750Å 頂層。在第二輪蝕刻過程中,小心地使用劃線器標...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要已經(jīng)研究并實現(xiàn)了成功的 AlN 和 GaN 表面的非原位和原位清潔程序。暴露于 HF 和 HCl 溶液分別在 AlN 和 GaN 表面產(chǎn)生最低的氧覆蓋率。然而,檢測到大量殘留的 F 和 Cl。這些鹵素在氮化物表面束縛了懸掛鍵,阻礙了再氧化。F 的解吸需要溫度 850 °C。在 450 °C 時,遠程 H 等離子體暴露可有效去除兩種氮化物表面的鹵素和碳氫化合物,但對氧化物去除效果不佳。在 700–800 °C 的 NH3 中對 GaN 進行退火可產(chǎn)生原子級清潔以及化學(xué)計量的 GaN 表面。介紹氮化鋁 (AlN)、氮化鎵 (GaN) 和氮化銦 (InN) 是帶隙分別為 6.2、3.5 和 1.9 eV 的半導(dǎo)體。最近演示的基于 InGaN 的藍色激光器量子阱結(jié)構(gòu),重點介紹了該領(lǐng)域最近取得的許多進展。GaN、AlN 及其合金也可用于高功率、高頻和高溫器件應(yīng)用。 最近觀察到的 AlN6 和 AlxGa1-xN7 合金的負電子親和力也使這些候選材料成為可能用于場發(fā)射器冷陰極電子器件。 表面清潔工藝是大多數(shù)半導(dǎo)體器件制造步驟的基礎(chǔ)。在硅和砷化鎵技術(shù)中獲得的經(jīng)驗表明,表面清潔對外延缺陷、金屬接觸電阻/穩(wěn)定性、和整體設(shè)備質(zhì)量。因此,表面清潔度的標準必須考慮表面的整個電氣、結(jié)構(gòu)和物理狀態(tài)。這包括去除天然氧化物、有機污染...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 27
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進行表征表明,使用超臨界二氧化碳/共溶劑配方,可以實現(xiàn)離子注入光刻膠的有效剝離,同時避免超臨界制造過程中的硅凹陷和摻雜劑消耗。 CMOS 晶體管的淺結(jié)。介紹用于 45 nm 及以上節(jié)點的高級 CMOS 器件需要高驅(qū)動電流和超淺結(jié),以滿足電路在速度和靜態(tài)泄漏方面的規(guī)范。在剝離用于制造源極/漏極擴展的光刻膠時,硅凹陷和摻雜劑消耗對結(jié)輪廓的影響變得至關(guān)重要。使用光刻膠掩模多次以各種不同劑量水平注入各種離子,以形成各種不同MOS晶體管的源/漏擴展。目前,氧等離子體灰化和硫酸/過氧化氫處理已被用于光刻膠剝離。用這種等離子體和化學(xué)氧化工藝形成的二氧化硅被后續(xù)的 SC1 清洗步驟蝕刻掉,導(dǎo)致超淺結(jié)的硅凹陷。實驗方法本研究中使用的樣品是具有 1.3 nm 厚化學(xué)氧化膜的 15 x 15 mm 硅晶片。在硅表面上以 0.3 微米間距在化學(xué)氧化膜的表面上制備 1 微米寬的光刻膠掩模圖案,該硅表面具有由聚苯乙烯衍生物制成的 700 納米厚、254 納米正性光刻膠。未圖案化的光刻膠薄膜也在硅襯底上用與覆蓋光刻膠樣品相同的聚合物制備。砷離子以2 x 10 13 至2 x 10 15/cm2 的劑量范圍注入晶片表面。結(jié)果與討論確定極...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹和背景? 選擇性氮化硅到氧化硅蝕刻有許多應(yīng)用,主要的應(yīng)用是在 MOSFET 中形成柵極側(cè)壁間隔。? Si3N4 是絕緣的,具有高熱穩(wěn)定性,并且是防止摻雜劑擴散的屏障。? 柵極隔離物有助于準確定義溝道長度、S/D 摻雜分布,并有助于消除短溝道效應(yīng)。? 需要選擇性來準確地停止在 1 -2nm 厚的底層 SiO2 上。? 在 基于 F 的等離子體,氮化物蝕刻行為比 SiO2 更接近 Si。? 氮化物 蝕刻更依賴于 F 濃度而較少依賴于離子轟擊。? 氮化物的能力 消耗氟碳沉積層更接近于氧化硅。? 親戚 氮化物和氧化物的蝕刻速率主要由 FC 相互作用層厚度和等離子體化學(xué)中的 C:F:H 比決定。? 來自聚合物形成氣體 (CHF3, CH2F2) 的 H 自由基通過產(chǎn)生 HCN 蝕刻產(chǎn)物和減少氮化硅上相對于氧化硅的 FC 沉積來促進從 Si3N4 中去除 N。? SF6 由于大量生成原子 F 以及相對較低的直流偏壓,是實現(xiàn)氮化物對氧化物的高選擇性的最佳選擇。 聚合物 阻塞性    背景? 氮氣 是氮化硅蝕刻中重要的蝕刻產(chǎn)品。? 氮的解吸通常是氮化物蝕刻的限制因素。? 在等離子體...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要近年來,在減薄步驟后提高晶圓強度一直是砷化鎵(GaAs)晶圓制造的一個持續(xù)問題。晶圓強度的提高將顯著減少拆卸和清洗過程中的晶圓破損。優(yōu)化減薄工藝以最小化機械應(yīng)力源非常關(guān)鍵。提高薄 GaAs 晶片強度的一種明顯方法是在晶片研磨后應(yīng)用濕蝕刻步驟以去除表面損傷。本文將討論 Skyworks 設(shè)施開發(fā)的晶圓減薄和拋光工藝的改進。 簡介研磨工藝在晶圓減薄操作中提供最佳平整度 ,但也會引入大量微裂紋,從而在晶圓中產(chǎn)生機械應(yīng)力。濕法蝕刻或拋光的目的是去除研磨過程中殘留的表面損傷。過去,我們了解到晶圓拆卸步驟中的高破損率與機械應(yīng)力直接相關(guān),濕蝕刻晶圓的成品率低于拋光晶圓。然而,本文將表明晶圓強度與表面粗糙度直接相關(guān),拋光方法對晶圓強度提高的影響比濕蝕刻方法更顯著。不同組的晶圓強度 設(shè)計了一個特殊的夾具來固定減薄的晶片。這種特殊的夾具有一個開口,其形狀與 4 英寸 GaAs 晶片的形狀相同,帶有一個大平面和一個小平面。有一個帶有抽拉裝置的封閉室,用于將破裂的晶片固定在開口下方。當(dāng)晶片固定臺朝尖端向上移動時,臺速度設(shè)置為 10 毫米/秒。當(dāng)尖端使晶片破裂時,晶片臺停止,顯示的最大載荷是晶片的強度。不同晶片組的結(jié)果繪制在圖 2 中。   表面粗糙度與晶圓強度之間的關(guān)系圖 3 顯示了表面粗糙度和晶片強度之間的關(guān)系。晶...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 使用高腐蝕性化學(xué)品去除晶片表面上的納米顆粒會導(dǎo)致基板損失。這導(dǎo)致使用提供聲空化以去除小顆粒的兆聲波。兆聲波確實會產(chǎn)生氣泡空化,它對晶圓結(jié)構(gòu)施加機械力,劇烈空化如過境空化或微射流會損壞圖案結(jié)構(gòu)。本文提出了一種新的兆聲波技術(shù),該技術(shù)提供了對氣泡空化的穩(wěn)定控制,在不同模式下不會損壞圖案。與行業(yè)標準的雙流體噴嘴清潔技術(shù)相比,該技術(shù)顯示出更好的顆粒性能。這種及時通電氣泡振蕩模式提供穩(wěn)定的空化和寬功率窗口。它不同于傳統(tǒng)的兆聲波,后者在氣泡內(nèi)爆時會產(chǎn)生過境空化和損壞。這種新的兆聲波技術(shù)可用于清潔 28 納米及以下的“敏感”結(jié)構(gòu),而不會損壞任何圖案。關(guān)鍵詞: 無損傷清洗、穩(wěn)定的非暴力空化、顆粒去除、兆聲技術(shù)、單晶片清洗 簡介隨著特征尺寸的縮小和電路結(jié)構(gòu)密度的增加,“致命缺陷”——可能導(dǎo)致芯片在良率測試中失敗的最小缺陷尺寸——會減少。從更小、更密集的芯片中去除隨機缺陷更加困難,尤其是當(dāng)缺陷尺寸小于晶圓表面所謂的“邊界層”的尺寸并且清潔效率下降到接近于零時。由于邊界層的厚度,使用兆聲清洗可以將較小的力傳遞給小顆粒。兆聲清洗中小顆粒的去除主要是由于氣體空化。聲致發(fā)光測量進一步支持了這一結(jié)論 [3,4]。為了更好地去除顆粒,一項關(guān)于用兆聲波增強空化活性的研究發(fā)現(xiàn),研究了最佳脈沖關(guān)閉時間對氣體濃度的依賴性,并確定了溶解氣體含量的最佳工藝范圍 脈沖...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 該研究顯示了去離子 (DI) 沖洗和氧化物 HF 濕蝕刻工藝對硅襯底的影響 光刻工藝。在互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 器件的制造過程中,我們在 DI 沖洗步驟后發(fā)現(xiàn)晶圓中心出現(xiàn)故障,稱為 Si 凹坑。我們試圖通過在 CMOS 制造中使用硅晶片并分析由 DI 沖洗引起的摩擦電荷的影響來找出 Si 凹坑的機制。該實驗的關(guān)鍵參數(shù)是每分鐘轉(zhuǎn)數(shù) (rpm) 和時間。觀察到超過 10 秒的孵育時間對于形成 Si 凹坑,并且沖洗時間比 rpm 對 Si 凹坑的形成更有效。通過使用等離子體密度監(jiān)測器測量充電水平,研究了 Si 凹坑的形成機制和優(yōu)化的沖洗工藝參數(shù)。關(guān)鍵詞 光刻、DI 沖洗、摩擦充電、Si 坑、PDM。簡介 隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,超大規(guī)模集成(VLSI)制造工藝也在以非常快的速度發(fā)展,集成電路的集成度進一步提高,電路的線寬越來越大。也變得很好。半導(dǎo)體制造工藝可以基于CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝集成來解釋。光刻,今天被用作一種形成圖案的方法,用于制造幾乎所有的集成電路。半導(dǎo)體制造工藝重光工藝起到蝕刻掩膜的作用,形成所需的膜結(jié)構(gòu),或形成掩膜的工藝,將適量的離子注入所需的區(qū)域?;旧希c采取a的工藝幾乎相同如圖,在晶圓上經(jīng)過抗蝕劑涂布→曝光→顯影三步過程??刮g劑涂覆工藝是在硅片上涂上PR(光刻膠)的工藝,曝光工藝使一定波長的光通過...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要在這項工作中,對通過物理氣相沉積生長的幾種不同薄膜氧化物的濕蝕刻性能進行了評估。MgO、Al2O3、SiO2、TiO2、HfO2、ZrO2和Y2O3被涂覆在兩種類型的基材上;Si 和硼硅玻璃以及蝕刻測試在不同的蝕刻溶液中進行。MgF2 薄膜也已被評估。考慮到薄膜選擇的重要方面,以匹配良好的光學(xué)性能,如折射率 (n)、消光系數(shù) (k) 和光學(xué)厚度 (TP) 以及濕蝕刻中的良好化學(xué)性能過程。描述了濾光片的物理原理以及不同氧化物相互堆疊的組合如何創(chuàng)建干涉濾光片。介紹了使用物理氣相沉積 (PVD) 的薄膜的制造過程。研究了由多孔涂層引起的光譜熱位移,并通過橢圓光度法、表面輪廓法和透射分光光度法對薄膜進行了分析。 介紹在某些情況下,需要在光學(xué)涂層和濾光片上制作光刻圖案。這種光刻的用途主要是在照明業(yè)務(wù)中投影圖像。帶有涂層的圖案化設(shè)備還有其他用途,用于光學(xué)儀器和探測器。制造這些組件的一種方便的方法是對由光刻膠圖案化的薄膜進行濕法蝕刻。在本報告中,研究了不同的化學(xué)溶液如何蝕刻不同的氧化物。背景生產(chǎn)基于 PVD的光學(xué)干涉濾光片。這種濾光片的主要用途是在照明行業(yè)投射圖案。為了進行這種光刻,涉及使用光刻膠的濕法蝕刻工藝。定界沒有研究薄膜的形態(tài)。為了制造涂層,僅對最佳涂層工藝參數(shù)進行了估計。一些有趣的氧化物如 Nb2O5 和 Ta2O5 沒有被研究。涂層上...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要制備了 53 種已使用或可能可用于制造微機電系統(tǒng)和集成電路的材料樣品:具有兩種摻雜水平的單晶硅、具有兩種摻雜水平的多晶硅、多晶鍺、多晶 SiGe、石墨、熔融石英,Pyrex 7740,二氧化硅的其他九種制劑,氮化硅的四種制劑,藍寶石,氧化鋁的兩種制劑。簡介HEN 在設(shè)計微加工工藝時,必須知道要蝕刻的每種材料的蝕刻速率。例如掩蔽膜和底層,使得可以選擇蝕刻工藝以獲得良好的選擇性(目標材料的蝕刻速率與其他材料的蝕刻速率的高比率)。蝕刻速率 略濕蝕刻   略干蝕刻    磷: 磷酸(按重量計 85%),160。它是為數(shù)不多的氮化硅濕法蝕刻之一。因為它會蝕刻光刻膠,所以必須使用另一種掩蔽材料,例如氧化物。這里報告的化學(xué)計量和富含硅的 LPCVD 氮化硅的蝕刻速率比之前報告的要快 。蝕刻速率對溫度非常敏感,這個浴槽可能要高幾度。還發(fā)現(xiàn)熱磷酸能快速蝕刻鋁。  略蝕刻速率變化蝕刻速率變化的許多原因在前面已經(jīng)列舉過。其中最重要的一項是材料的特性,這是生產(chǎn)方法和后續(xù)加工(例如退火)的結(jié)果。通過檢查表 III 可以看出這一點:主要是二氧化硅的材料在 5:1 BHF 和其他蝕刻劑中的蝕刻速率差異很大。結(jié)論表中的數(shù)據(jù)顯示了對大多數(shù)材料有用的蝕刻劑,并指出了材料在哪種蝕刻...
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