ＴＺ一１０７自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)及功能：該機(jī)的主要技術(shù)指標(biāo)；可測(cè)片徑；７５、１００１２５ｍｍ。工作臺(tái)最大行程；ｘ向２６５ｒａｍ，Ｙ向２０５ｍｍ４工作臺(tái)速度：５０ｍｍ／Ｓ。定位精度：±０.Ｏ１３ｍｍ。重復(fù)精度：±０．００３ｍｍ。行進(jìn)分辨率：０．Ｏｌｍｍ。ｚ向行程：Ｏ～Ｏ．８ｍｍ可誦。該機(jī)工作臺(tái)調(diào)整采用多功能集中控制手柄?？蓪?shí)現(xiàn)微動(dòng)（１０ｍ／步）、連續(xù)點(diǎn)動(dòng)’快動(dòng)、步進(jìn)等ｌ６種功能。通過(guò)鍵盤(pán)命令，可實(shí)現(xiàn)“掃描”、圖形／探邊方式選擇、自檢、公制／英制步距選擇、單圖測(cè)試、中停、ｚ向升降及微調(diào)。機(jī)器還具有同步／延時(shí)打點(diǎn)選擇，工作狀態(tài)顯示及聲光報(bào)警功能，以及品片平墼：墨：跟蹤。并可根據(jù)配接的測(cè)試儀不同進(jìn)行狀態(tài)預(yù)置。測(cè)試完畢，承片臺(tái)自動(dòng)高速“回零”到下料位置，便于裝卸晶片。 該系統(tǒng)由滾珠絲杠、電機(jī)座ｌ、底座２、溜板３、軸承座４和６、連板５以及軸承、直線(xiàn)滾動(dòng)導(dǎo)軌、步進(jìn)電機(jī)等組成。用以完成）０一Ｙ步進(jìn)運(yùn)動(dòng)、掃描、裝卸片時(shí)快速進(jìn)中心和回零。ｘ、Ｙ向均采用最高精度的Ｃ級(jí)滾球絲杠，較高精度的Ｄ級(jí)滾動(dòng)直線(xiàn)導(dǎo)軌，和高速大力矩步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。使精度和可重復(fù)性達(dá)到美［Ｅｌｅｃｔｒｏｇｌａｓ公司生產(chǎn)的ｌＯ３４ｘ一６型５自動(dòng)探針臺(tái)的水平。由于選用了新型滾動(dòng)功能部件，還使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定、易于維護(hù)保養(yǎng)。 該系統(tǒng)由吸盤(pán)１、芯軸２、擺桿５、托板８、偏心套１０和步進(jìn)電機(jī)等組成。...
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![半自動(dòng)刷片機(jī)]( "半自動(dòng)刷片機(jī)")
半自動(dòng)刷片機(jī)1主機(jī)毛刷由微型電機(jī)帶動(dòng)可做順逆時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)。同時(shí),硅片架由毛刷架撥動(dòng)作間隙轉(zhuǎn)動(dòng)。由于這兩個(gè)運(yùn)動(dòng)的結(jié)合,使硅片的每一部位都能刷到。為避免劃傷表面,采用較軟的羊毛制刷。本機(jī)還采用杠桿式取片機(jī)構(gòu),裝片、取片時(shí)能自動(dòng)抬起片架,從而避免了通常取片方式帶入的硅渣,確保了清洗質(zhì)量。 2控制器(見(jiàn)圖1)電路比較簡(jiǎn)單,由周期為約15秒和30秒兩檔的多諧振蕩器和三級(jí)分頻器、一個(gè)譯碼器組成。涂電源外,全部電路由十只三極管和十三只二極管組成(詳見(jiàn)控制電路如圖4和5)。電機(jī)轉(zhuǎn)向由第一級(jí)分頻器控制。電機(jī)啟動(dòng)前,全部計(jì)數(shù)器都置零,啟動(dòng)后開(kāi)始計(jì)數(shù),計(jì)到名時(shí),譯碼器給出脈沖,關(guān)斷電機(jī)電源。主機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖(圖2、3)及使用：工作前將待清洗的硅片置于硅片盤(pán)(5)上,清洗用水由進(jìn)水咀(1)注入到毛刷和硅片上。于交通電源,啟動(dòng)電機(jī)(9),毛刷(7)轉(zhuǎn)動(dòng)并自動(dòng)定時(shí)換向。就這樣邊沖水邊刷片達(dá)到清洗目的。和毛刷連在一起的撥桿(6)隨毛刷轉(zhuǎn)動(dòng)而不時(shí)撥動(dòng)硅片盤(pán),使盤(pán)間隙轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度,以保證硅片每個(gè)部分都能均勻刷到。機(jī)器自動(dòng)來(lái)回八次轉(zhuǎn)向后自動(dòng)關(guān)斷電源，工作人員可打開(kāi)機(jī)器上蓋，（10）壓動(dòng)杠桿（2）使托片盤(pán)（4）翹起，自動(dòng)抬起硅片，已使取片，清洗用水由出水詛（3）流出。 免責(zé)聲明：文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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PVD技術(shù)及設(shè)備玻璃表面鍍膜：?玻璃表面鍍膜是玻璃表面改性的常用方法，通過(guò)鍍膜可以改變玻璃的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、力學(xué)、化學(xué)性質(zhì)、膜層既可是功能性的，也可以是裝飾性的。?玻璃表面鍍膜方法化學(xué)還原、高溫分解、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、電浮等。氣相沉積方法：?PVD：物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現(xiàn)象來(lái)進(jìn)行薄膜沉積。?CVD:化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸氣相經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)后，在玻璃表面形成固相薄膜。 1、 湯生放電區(qū)：離子撞擊陰極產(chǎn)生二次電子，參與與氣體分子碰撞，并使氣體分子繼續(xù)電離，產(chǎn)生新的離子和電子。這時(shí)，放電電流迅速增加，但電壓變化不大，這一放電階段稱(chēng)為湯生放電。湯生放電后期稱(chēng)為電暈放電。?電極間無(wú)電流通過(guò)，氣體原子多處于中性，只有少量的電離粒子在電場(chǎng)作用下定向運(yùn)動(dòng)，形成極微弱的電流。2和3、輝光放電區(qū)：湯生放電后，氣體會(huì)突然發(fā)生電擊穿現(xiàn)象。此時(shí)，氣體具備了相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電能力，稱(chēng)這種具有一定導(dǎo)電能力的氣體為等離子體。電流大幅度增加，放電電壓卻有所下降。導(dǎo)電粒子大量增加，能量轉(zhuǎn)移也足夠大，放電氣體會(huì)發(fā)生明顯的輝光。電流不斷增大，輝光區(qū)擴(kuò)大到整放電長(zhǎng)度上，電壓有所回升，輝光的亮度不斷提高，叫異常輝光放電，可提供面積大、分布均勻的等離子體。氣體放電現(xiàn)象4、 ...
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GPP器件關(guān)鍵工藝設(shè)備制造技術(shù)研究１GPP二極管工藝制程圖ｌ為GPP二極管制造主要工藝流程示意圖，包括晶片來(lái)料濕法清洗、磷預(yù)擴(kuò)散、硼擴(kuò)散及磷再分布、一次光刻、Ｖ形溝槽刻蝕、ｓ口OS（SE．ｍｉ—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON）半絕緣多晶硅保護(hù)膜淀積、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃燒結(jié)、LTO（LOWTEMPERAN】ｒｅｏｘｉｄ撕ｏｎ）低溫氧化層淀積、三次光刻、接觸面刻蝕、鍍鎳、鎳燒結(jié)、鍍金、電性測(cè)試。 從以上流程可以看出，GPP二極管的制程主要為三層保護(hù)膜的制作，其中ＳＩＰＯＳ起到束縛電子的作用，燒結(jié)玻璃是對(duì)ＰＮ結(jié)的保護(hù)、Ｓｉ０：是防止鎳層與玻璃的附著；而這三層保護(hù)膜的完成都是基于同一位置——晶圓Ｖ形深溝槽中，由此可見(jiàn)溝槽的寬度、深度、形狀、均勻性等直接影響著玻璃覆層的附著及厚度，進(jìn)而影響著GPP二極管的性能參數(shù)。以往多采用機(jī)械式劃槽技術(shù)，采用高速砂輪劃Ｖ型槽，由于易造成碎片，溝槽深度也有一定的限制，因此現(xiàn)在多采用半導(dǎo)體平面刻蝕槽工藝技術(shù)，即光刻掩膜后利用濕法腐蝕的原理刻蝕Ｖ形槽。Ｖ型槽腐蝕液配比通常為硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝５：５：２，腐蝕溫度為一１０℃～０℃，時(shí)間２０～２５ｒｎｊｎ（腐蝕時(shí)間隨槽深而確定），通常為100～120斗ｍ，關(guān)鍵是控制好腐蝕速率。２GPP器件關(guān)鍵工藝設(shè)備GPP二極管主要工藝流程為溝槽制作及保護(hù)膜的制作，因...
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鉻和釩的摻雜含鉻和釩的硬質(zhì)合金有很高的硬度及一定的韌性，其熱膨脹系數(shù)接近鋼。使用這些材料沉積擴(kuò)散涂層可獲得非常好的結(jié)合力。工業(yè)CAD工藝在中溫下，在油淬的碳鋼制零部件上沉積硬質(zhì)涂層，某些情況下會(huì)產(chǎn)生不一致的結(jié)合力。通過(guò)含ｃｒ或Ｖ的擴(kuò)散過(guò)渡層，工藝和結(jié)合力可得到很好的控制。圖１展示了結(jié)合力較差的涂層（見(jiàn)圖ｌａ）和通過(guò)Ｃｒ擴(kuò)散涂層獲得的結(jié)合力較好的涂層（見(jiàn)圖１ｂ）。 這些復(fù)合涂層的實(shí)現(xiàn)需要額外的前驅(qū)物質(zhì)及設(shè)施用于沉積工藝。在上例中，需要額外的發(fā)生器來(lái)產(chǎn)生揮發(fā)性的含Ｃｒ化合物——Ｃ尤ｌ。口１。在此發(fā)生器中，不同的金屬（粒狀或碎屑狀）與氯氣或氯化氫進(jìn)行反應(yīng)。而此發(fā)生器的使用不應(yīng)將最終的ｃｒ或Ｖ殘留物帶人到后序的涂層中（如氧化鋁）。使用帶內(nèi)部金屬氯化物發(fā)生器的同一CAD設(shè)備，可沉積帶摻雜的CAD涂層，通過(guò)加入一定量的一種或幾種合金（如鉻、釩、鎢或鉈）來(lái)改善ＴｉＮ，ＴｉＣ或Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）涂層性能。形成的涂層一般為（Ｔｉｌ０Ｑ“一。ｃｒ。Ｖ６ｗ。）Ｃ，Ｎ，Ｏ：，其中戈＋ｙ＋ｚ＝１，其機(jī)械性能（如硬度及韌性）與ＴｉＮ，ＴｉＣ和Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）類(lèi)似，但由于合金元素的存在，其抗腐蝕性能也得到改善。３硼的添加從早期的研究ｐ１可知，在中溫Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）中添加硼可改變Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）典型的柱狀結(jié)構(gòu)，獲得相當(dāng)高的硬度。在實(shí)際應(yīng)用中，由于其較高的內(nèi)部應(yīng)力及脆性，這種涂層僅限于非常薄的涂層。因此，通過(guò)改變多...
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砷化鎵的制造工藝：1.主動(dòng)層的形成：由于目前砷化稼器件市場(chǎng)定位以高性能特性取勝,因此器件皆以異質(zhì)接面方式成長(zhǎng)為主,以求達(dá)到最佳的器件功能,目前器件以理及為市場(chǎng)主流,主要都是以磊晶成長(zhǎng)方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取決于磊晶層的品質(zhì)的好壞,所以需要成長(zhǎng)出品質(zhì)非常好的磊晶層,才能得到良好的器件特性。而要成長(zhǎng)出良好的砷化稼磊晶品質(zhì),目前最普遍的是以或等方式成長(zhǎng),因?yàn)檫@些方式可以精準(zhǔn)的控制磊晶純度、厚度、摻雜濃度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的異質(zhì)接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工藝目前主要以離子布植形成主動(dòng)層,即使是有磊晶成長(zhǎng),皆是以為主,并無(wú)精確控制其接口成分的必要性。另外目前新興以硅鍺材料為主的制造工藝,其磊晶成長(zhǎng)主要以技術(shù)為主,成長(zhǎng)時(shí)需在工藝技術(shù)中使用選擇性成長(zhǎng)方式以便與技術(shù)集成,因此并無(wú)像砷化稼磊晶一般有專(zhuān)業(yè)代工廠成長(zhǎng)磊晶層。2.微影制造工藝：砷化稼制造工藝中有干式蝕刻和濕式蝕刻,其中濕式蝕刻應(yīng)用在一些砷化稼材料本身的蝕刻上,為制造工藝上極為關(guān)鍵的步驟。砷化稼濕式蝕刻基本上有非等方向的本質(zhì),其使用的蝕刻化學(xué)溶液和硅制造工藝不同,如硅是使用硝酸與氫氟酸的混合溶液來(lái)進(jìn)行蝕刻,而砷化稼可以用磷酸、雙氧水與水的混合溶液蝕刻。比較特別的是,由于砷化稼為二元化合物,在不同面蝕刻后形狀會(huì)不一樣,隨著不同平面、不同方向、不同溶液侵蝕,蝕刻后的形狀可能為字型,亦可能為...
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晶體硅太陽(yáng)電池制作流程太陽(yáng)電池基本結(jié)構(gòu)：一個(gè)單一的晶體硅電池輸出電壓在0.5V左右，而其最大輸出功率則與太陽(yáng)電池效率和表面積有關(guān)。如，一個(gè)接受光面積約為100cm2，效率為15%的太陽(yáng)電池的最大輸出功率僅為1.5W左右。達(dá)到一般應(yīng)用要求，必須將許多太陽(yáng)電池串聯(lián)及并聯(lián)在一起，形成所謂的模組（module）。并聯(lián)的目的是為了增加輸出功率，串聯(lián)的目的在于提高輸出電壓，進(jìn)一步的串聯(lián)或并聯(lián)則可形成陣列安排（array）。 在一把的太陽(yáng)電池應(yīng)用系統(tǒng)上，還包括蓄電池（storagebattery）、功率調(diào)節(jié)器（powerconditioner）和安裝固定結(jié)構(gòu)（mountingstructures）等周邊設(shè)施，統(tǒng)稱(chēng)為平衡系統(tǒng)（balanceofsystem）。隨材料和制造技術(shù)不同，太陽(yáng)電池的架構(gòu)會(huì)有不同變化，但最基本的結(jié)構(gòu)可分為基板、PN二極管、抗反射層、表面粗糙結(jié)構(gòu)化和金屬電極等五個(gè)主要部分。 為達(dá)到最佳的轉(zhuǎn)換效率，主要考慮的因素有：減低太陽(yáng)光的表面反射；減低任何形式的載流子再結(jié)合(carrierrecombination)；金屬電極接觸最優(yōu)化?；澹涸诰w硅太陽(yáng)電池中，以單晶硅能達(dá)到的能量轉(zhuǎn)換效率最高。要達(dá)到最優(yōu)的能量轉(zhuǎn)換效率，所使用的基板的品質(zhì)最為關(guān)鍵，這里的品質(zhì)指基板應(yīng)具有很好的結(jié)晶完美性、最低的雜質(zhì)污染等。就品質(zhì)的完美性而言，所有的結(jié)晶硅中以FZ硅片（FloatZon...
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Al2O3-GaN外延片結(jié)構(gòu)：?超晶格(異質(zhì)結(jié))就是將兩種晶格常數(shù)不同的材料交替生長(zhǎng)而成的多層薄膜結(jié)構(gòu)，超晶格材料是兩種不同組元以幾個(gè)納米到幾十個(gè)納米的薄層交替生長(zhǎng)并保持嚴(yán)格周期性的多層膜，事實(shí)上就是特定形式的層狀精細(xì)復(fù)合材料。?由于GaN與襯底晶格失配為15．4％，因此要生長(zhǎng)平坦而沒(méi)有裂紋的高質(zhì)量GaN外延層非常困難。Amano提出利用低溫生長(zhǎng)AlN或GaN作為緩沖再與高溫(1000℃)生長(zhǎng)GaN的二段生長(zhǎng)法得到表面平坦如鏡，低剩余載流子濃度，高電子遷移率的高質(zhì)量GaN外延層。 外延片制造的基本流程： 襯底的制備：(a)、結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。(b)、接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強(qiáng)。(c)、化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。(d)、熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。(e)、導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)。(f)、光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。(g)、機(jī)械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等。(h)、大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。(i)、價(jià)格低廉。襯底材料的選用：Al2O3襯底目前用于氮化鎵生長(zhǎng)的最普遍的襯底是Al2O3優(yōu)點(diǎn)：化學(xué)穩(wěn)定性好、不吸收可見(jiàn)光、價(jià)格適中、制造技術(shù)相對(duì)成熟；機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗缺點(diǎn)：(1)晶格失配和熱應(yīng)力失配(...
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真空鍍膜腔室，包括腔室門(mén)和對(duì)基板進(jìn)行真空鍍膜的至少一個(gè)真空制程腔，真空制程腔設(shè)于腔室門(mén)內(nèi)；大氣傳輸腔室，包括至少一個(gè)對(duì)鍍膜后的基板進(jìn)行散熱的大氣腔；以及移動(dòng)裝置，將基板移動(dòng)至真空鍍膜腔室或者大氣傳輸腔室的輸入端；其中大氣傳輸腔室的數(shù)量少于真空鍍膜腔室的數(shù)量。每個(gè)大氣傳輸腔室對(duì)應(yīng)設(shè)有至少兩個(gè)真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室包括多個(gè)間隔設(shè)置的真空環(huán)境不同的真空制程腔和/或大氣傳輸腔室包括多個(gè)間隔設(shè)置的大氣環(huán)境不同的大氣腔。真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室包括腔室門(mén)和真空閥，腔室門(mén)設(shè)于真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室的端部，真空閥連通真空制程腔和/或大氣腔的內(nèi)部和真空泵。真空鍍膜腔室可切換為大氣傳輸腔室，和/或，大氣傳輸腔室可切換為真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室內(nèi)均設(shè)有傳輸機(jī)構(gòu)，傳輸機(jī)構(gòu)包括設(shè)于腔室內(nèi)的磁性導(dǎo)軌以及傳送輥；移動(dòng)裝置設(shè)于真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的同側(cè)端部；真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的兩側(cè)端部分別設(shè)置有移動(dòng)裝置；移動(dòng)裝置的傳輸方向垂直于所述傳輸機(jī)構(gòu)的傳輸方向；還包括基板架基板固定設(shè)于所述基板架上基板架與所述磁性導(dǎo)軌磁性連接；所述基板架上設(shè)有與所述傳送輥連接的傳動(dòng)軸。移動(dòng)裝置包括移動(dòng)組件和與其連接的固定組件固定組件固定所述基板架移動(dòng)組件驅(qū)動(dòng)所述固定組件移動(dòng)。固定組件包括機(jī)架和設(shè)于其上的固定輥固定輥上設(shè)有允許所述傳動(dòng)軸卡入的凹槽；所述移動(dòng)組件包括帶輪傳動(dòng)件機(jī)架與所述帶輪傳動(dòng)件的...
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石英二元衍射光學(xué)元件制作工藝1.石英二元光學(xué)元件的制作二元光學(xué)元件的設(shè)計(jì)遵循光的衍射理論。衍射效率的高低是評(píng)價(jià)元件的重要指標(biāo)。在表1中可見(jiàn),理論上臺(tái)階級(jí)數(shù)越多衍射效率越高,但制作難度也加大,隨之的制作誤差也變大,它又將導(dǎo)致元件的衍射效率降低。根據(jù)我們現(xiàn)有的工藝手段和設(shè)備制作8個(gè)臺(tái)階的元件是比較合理的。 8個(gè)臺(tái)階的元件要經(jīng)過(guò)一次曝光,兩次套刻曝光,三次刻蝕才能完成,其整個(gè)過(guò)程如圖1所示。 1.1基片預(yù)處理預(yù)處理主要是用各種方法洗凈基片表面粘附的臟物,增加光刻膠與基片的粘附能力,避免脫膠現(xiàn)象發(fā)生。處理后基片表面要鍍一層厚度為100～200nm的鉻層。它既可以增強(qiáng)光刻膠的粘附能力,又可以作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,以便在套刻時(shí)有良好的觀察對(duì)比度。1.2甩膠及前烘處理好的基片要涂上一層光刻膠,用它來(lái)傳遞掩模版上的圖形,然后經(jīng)過(guò)反應(yīng)離子刻蝕(RIE)把圖形傳遞到基片上,這里膠的厚度W是一個(gè)主要參數(shù),它主要由刻蝕深度h和刻蝕選擇比C決定W=Ch實(shí)驗(yàn)時(shí)決定膠厚的因素有甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)速、甩膠時(shí)間、膠的類(lèi)型以及稀釋程度等。對(duì)這些因素作適當(dāng)?shù)呐浜暇涂梢缘玫嚼硐氲哪z厚。甩好的基片要及時(shí)放到恒溫箱中烘烤。1.3曝光及處理工藝衍射元件設(shè)計(jì)好后可以由計(jì)算機(jī)處理成圖形數(shù)據(jù)。量化級(jí)數(shù)L與曝光次數(shù)N的關(guān)系為L(zhǎng)=2N例如,制作8個(gè)相臺(tái)階的菲涅爾透鏡就要曝光3次,對(duì)應(yīng)3組圖形數(shù)據(jù)。如果用激光直寫(xiě)制作DOE,就可由計(jì)算...
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