掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料本研究為了將硅晶片中設備激活區(qū)的金屬雜質分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質的方法。利用蝕刻plate實現(xiàn)硅晶片的蝕刻方法: 硅晶片為消除表面金屬雜質的影響，將10%HF溶液5 mL滴入擬蝕刻晶片面，將該溶液均勻地滾動，去除表面的金屬雜質，然后定量稱重，將HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均勻滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗凈的晶片擬蝕刻的另一面，將擬蝕刻的一面放上去與plate上的溶液接觸，并合上plate蓋。 20分鐘后，將晶片用真空tweezer抓取并取下，用約20 mg脫離子水沖洗表面的蝕刻溶液，將這些溶液全部收集起來，裝入蒸發(fā)容器，在微波烤箱中蒸發(fā)。 為了分析從表面到深度方向5米的金屬雜質量，需要將晶片稱為1 wn均勻，采用HF和HNO^混合溶液進行蝕刻，在這種混合溶液中，硅被HNQ氧化成SiOz，而SiQ被HF氧化成HzSiFs而被蝕刻。為了將硅晶片表面均勻蝕刻成1 gm厚度，通過改變HF和HNOj的體積比和蝕刻時間，求出了最佳體積比和蝕刻時間。 本實驗采用直徑為200mm的epitaxial硅晶片，Epitaxial晶片表面透過紅外線，單晶硅與沉積的epi.層之間的折射率不同，可以測量epi.層的厚度，將其...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料在半導體制造過程中的每個過程之前和之后執(zhí)行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對于有效地沖洗清洗化學物質以使它們不會在學位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如化學物質的過度使用、設備的巨大化和由于廢水造成的環(huán)境污染的問題，以及防止諸如水斑的污染物被再次污染是重要的?，F(xiàn)有的以烘房公司為中心的旋轉干燥方法存在問題，即在晶片表面留下水點，在晶片上傳播應力，并導致由靜電力引起的污染物的再污染，并且IPA蒸汽干燥方法被認為存在蒸汽不穩(wěn)定和著火的風險。因此，在最近的濕法清洗工藝中，正在努力減少化學物質和超純水的量，回收并開發(fā)新的清洗工藝，在干燥工藝中，正在引入使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法。在這項研究中，與傳統(tǒng)的馬蘭戈尼方法不同，考慮了使用超純水和異丙醇的混合溶液干燥矮星表面和去除污染顆粒。超純水和異丙醇混合溶液的浴槽是自制的，安裝在100級空氣的潔凈室中，在單獨的罐中進行預混合，以制備一定濃度的混合溶液，并保持混合溶液以3 LPM的流速恒定地注入浴中。還進行熱N2吹氣以促進晶片的干燥，為了觀察通路器的干燥和清潔性能，在將p-型100裸硅晶片放入混合溶液浴之前和之后觀察p-型100裸硅晶片，并且觀察每一方的數(shù)量，并且使用KLA-騰科公司的surfScan 5500表面掃描儀。隨著異丙醇濃度的變化，觀...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料通過電位學和電位步測量，研究了氫氧化鉀溶液中（100）和（111）電極的電化學氧化和鈍化過程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異，對n型和p型電極的結果進行比較，得出堿性溶液中硅的電化學氧化必須由化學反應觸發(fā)，溫度對（111）表面電流勢和電流時間結果的強烈影響支持了化學活化的重要性，在n型（111）電極上進行的光電流實驗表明，氧化物成核對無源層的生長具有重要意義，提出了一種結合表面化學和電化學的機理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。我們實驗的起點是一個4英寸的實驗，通過在表面形成對齊的掩模圖案，并通過掩模的窗口在5.0M氫氧化鉀內各向異性蝕刻硅，形成明確的（111）面，由于硅的（111）面的化學蝕刻率遠低于其他面，因此形成了1、2個v形溝槽，露出了（111）的側壁（見圖1）。 圖 1通過這種方法，我們從一個（100）表面開始，當溝槽完全形成時，有一個（111）表面,用光學顯微鏡觀察其圖案,然后，第二個包含矩形窗口的掩模沿著方向與邊緣對齊，精度為0.05°（見圖1）,該圖案隨后被用于蝕刻v形凹槽,將掩蔽晶片切成20×20mm2的樣品中。根據(jù)光學顯微鏡和系統(tǒng)的幾何形狀（見圖1），可以計算出完全形成的凹槽的（111）表面積,A電極和B電極的厚度分別為55和40mm2,在（100）面實驗中，使用未掩蔽的丁樣品，表面...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料本文利用流電位技術測量了不同清洗過程下低壓和等離子體增強化學氣相沉積氮化硅晶片的電動學特性，一個用于處理5in的流媒體電勢單元，設計和制造晶圓是為了進行這些測量，氮化硅的等電點(IEP)取決于清洗方法和沉積技術，用x射線光電子光譜測量了薄膜的Si/O和Si/N比，以解釋測量到的IEP值的差異，研究了聚苯乙烯乳膠顆粒從水溶液沉積到氮化硅晶片上，并與電動勢數(shù)據(jù)的相關性。晶圓是專門為zeta電位測量而設計和構造的，是由兩個超高分子量聚乙烯(UHMWPE)塊構建的，每個塊都有一個精確的切割凹陷，取5英寸，封信條用直徑為14.7cm、厚度為0.076cm的聚四氟乙烯(PTFE)墊片分離氮化硅晶片，在墊片的中心切割一個0.814.2厘米的區(qū)域，形成一個液體流動通道，頂部塊有合適的液體入口和電極放置，如圖所示1，兩個鉑鉑電極位于電池的頂部，以測量流電位，鉑電極用摻雜0.005%(w/v)氯鉑酸溶液定期鉑化，以減少極化產(chǎn)生的不對稱電位。 圖1本研究采用以鋁陽極(K~1.2=1486.6eV)為x射線源的VGscalabMKII光電子能譜儀進行XPS分析，用PerkinElmer1800傅里葉變換紅外光譜儀在800~4000厘米-z區(qū)域獲得了氮化物晶片的傅里葉變換紅外(FTIR)光譜，在測量過程中，用氮氣凈化樣品室，以減少含水量。20次分辨率為4cm-1...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻速率數(shù)據(jù)庫，得到的數(shù)據(jù)庫澄清了取向依賴性隨氫氧化鉀濃度和蝕刻溫度的變化而變化很大，最后，我們分析了不同氫氧化鉀濃度下的蝕刻譜，蝕刻輪廓因方向依賴性的變化而變化。使用了一個單晶硅的半球形樣品，如圖所示1，被機械地磨碎，拍打，并拋光成一個鏡像表面，腦半球的半徑為22mm，球形度不到晚上10點，大腦半球的頂部朝向，朝向平面朝向外圍，所有的晶體取向都出現(xiàn)在半球形表面。測量蝕刻前后的輪廓并記錄變化，可以在任何方向計算蝕刻速率。 圖1當蝕刻進行時，試樣表面呈現(xiàn)多邊形輪廓，考慮了相鄰方向之間的干擾問題，這個問題如圖所示2,根據(jù)他們自己的蝕刻率，當平面B到達點C之前時，指向A方向的蝕刻前方消失。在這種情況下，無法正確評估方向a中的蝕刻率，我們研究了試樣的尺寸參數(shù)，以找到那些可以正確評估蝕刻率，而不讓理想的方向從半球表面消失，結論是，在晶體學取向方面，評估所需的密集數(shù)據(jù)網(wǎng)的蝕刻速率，使用了一種氫氧化鉀溶液和水作為蝕刻劑，以85%的顆粒供應，蝕刻劑的氫氧化鉀濃度根據(jù)顆粒重量在30~50%的范圍內變化，所選擇的溫度在40到90度的范圍內°C，蝕刻過程中溫度...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結構。在蝕刻研究中，在1100C下熱生長1lm二氧化硅掩蔽層，然后通過常規(guī)光刻和氧化物圖案蝕刻對氧化物層形成圖案,對于垂直的側壁，掩模圖案應平行于方向對齊,在將樣品浸入蝕刻溶液中之前，在緩沖的高頻溶液中去除天然氧化物，然后在去離子(DI)水中沖洗,為了更好地晶片區(qū)域的均勻性，我們將樣品水平保存在蝕刻溶液中。將氫氧化鉀薄片溶解到去離子水中制備氫氧化鉀溶液,在500ml的氫氧化鉀溶液中進行了一系列的蝕刻實驗,濃度在10~50wt%之間變化，溫度在80~120C之間不等,TMAH溶液（500毫升）是通過稀釋市售的TMAH溶液制備的。TMAH濃度在5~25wt%之間變化，蝕刻槽的溫度在60~90C之間變化。本研究采用500ml乙烯二胺、80g吡氯苯乙烯和水(DI)作為蝕刻溶液，蝕刻溶液中的EDP含量從71~95wt%不等，蝕刻浴的溫度從70~125C不等。 圖2圖2顯示了不同蝕刻浴溫度下不同氫氧化鉀濃度下硅蝕刻速率的依賴關系，研究表明，20wt%氫氧化鉀溶液在80C下的最大硅蝕刻速率分別為1.52lm/min，在120C下分別為15.06lm/min，10w...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉移，制備了具有100nm周期性自有序結構的孔和柱陣列納米結構，納米圖案的轉移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。陽極氧化鋁的多孔模式可以轉移到硅襯底中，這可以通過去除氧化硅來實現(xiàn)，氧化硅是由陽極氧化硅阻擋層下的局部陽極化產(chǎn)生的，并試圖通過改變化學蝕刻條件，任意制造一個負的或正的圖案，一個孔陣列或柱陣列。并提出了一種新的方法來制造硅表面的有序納米孔陣列或納米柱陣列，使用的結合過程包括局部陽極化和隨后不同的化學蝕刻。本研究將陽極氧化電壓設置為40V，草酸溶液的自有序條件產(chǎn)生了一個約100nm周期性的有序空穴結構，通過測量恒定電壓下的電流密度瞬態(tài)，監(jiān)測了硅襯底上陽極多孔氧化鋁的形成過程，陽極化在不同階段停止。圖2顯示了濺射在硅襯底上的鋁膜陽極氧化的電流密度瞬態(tài)，這個電流-時間曲線可分為兩個階段，上鋁膜和底層硅襯底的陽極化，在第一恒流階段，鋁在硅襯底上發(fā)生了陽極化。 圖 2用原子力顯微鏡~原子力顯微鏡觀察到硅襯底上的殘留,對硅襯底上形成的納米結構的轉變的詳細觀察,基于局域陽極化的硅襯底上的氧化硅圖案的形成機理與在SPM中使用導電探針的光刻技術相似,在使用陽極化的SPM光刻情況下，當尖端施加負偏差時，在尖端和樣品之間潮...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)了一種創(chuàng)新的晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究了IPA濃度是運行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量蒸發(fā)造成的經(jīng)濟損失，將干燥器上部封閉，以期開發(fā)出IPA和熱能不流失的干燥工藝。隨著半導體元件的高集成化，線寬變窄，但這種方式由于干燥器上部是開放式的，無法避免在干燥工藝中IPA大量蒸發(fā)而造成經(jīng)濟損失，由于IPA泄漏到干燥器上部，氣味導致工作環(huán)境的惡化，判斷為非環(huán)保工藝, 此外，由于干燥器上部開放，空氣進入干燥器內部自由。這種環(huán)境友好的工藝不僅可以降低IPA和熱能的成本，還可以改善工作環(huán)境，提高水分和氧氣的質量。使用干燥的IPA采用了半導體用試劑級，并對COD進行了測定，以進行含氮流體中IPA的濃度分析，在蒸汽發(fā)生室連接工藝室的生產(chǎn)線的中間安裝了冷凝器，將汽化的IPA冷凝，接在10 L的容器中作為試樣，為了準確分析，COD采用了Standard Method的closed reflux方法，利用K2Cr2O7用吸光光度計測量，采用吸光光度法分析、計算了氮氣中IPA的濃度。 運載氣體氮氣經(jīng)液化氮氣汽化調整流量后使用。 圖 3為了在單位時間內蒸發(fā)大量IPA，改變蒸汽發(fā)生室的溫度，測定了干燥效率（圖3），通過測量工藝室晶片表面出水時間和IPA完全干燥時間，對干燥效果進行了定量...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料傳統(tǒng)濕法清洗工藝在新一代半導體制作中具有根本的局限性，而濕法清洗后利用超臨界二氧化碳的干法干燥法是克服這一局限性的替代方法，考察了超臨界干燥法作為中間置換溶劑對IPA的二氧化碳溶解度。首先為了比較，采用超臨界二氧化碳的干燥方法與傳統(tǒng)濕法干燥方法，將IPA中的蝕刻試樣之一置于自然狀態(tài)，另一試樣在40℃、140bar條件下超臨界二氧化碳， 4分鐘后用SEM觀測，并觀察了IPA的stiction程度，其長寬比增長率為2.5，最大長寬比為37.5的示例，長寬比15后均可見下支撐體粘附現(xiàn)象，但是用超臨界二氧化碳，可以看到長寬比沒有stiction到最大長寬比由于用最大長寬比為37.5的示例很難判斷超臨界二氧化碳的效果，所以用最大長寬比為75的示例2觀察了不同時間、不同壓力、不同溫度的效果。為了了解懸臂梁在不同流動時間下的靜摩擦力程度，對不同流動時間分別進行了6分鐘、8分鐘、10分鐘和12分鐘的實驗，結果表明:6分鐘時高寬比為30，8分鐘時為45，10分鐘時為55，12分鐘時為65，可見懸臂梁不發(fā)生坍塌，這使得flow時間越長，IPA的去除量越大，結構的stiction就越小。（圖19）在此基礎上對IPA各內部余量的長寬比進行了比較分析, 基于前面使用VOC的數(shù)據(jù)，當室內余量為850ppm時，長寬比為37.5，當407.8 ppm時，長寬...
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掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機蠟膜和顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。DIO3代替脫蠟劑在8000a左右對蠟有較多的去除率。將脫蠟器與dio3結合，以減少脫蠟時間和SC-1步驟，DIO3沖洗后的蠟厚度小于50A，而去離子水沖洗后的膜厚度大于200A。用DIO3沖洗代替DI沖洗后，接觸角較低，表面完全親水。用DIO3處理過的表面的光學圖像顯示了更薄的蠟層，這表明不需要進一步的清洗步驟。將SC-1清洗步驟與DIO3沖洗工藝相結合，進一步提高了顆粒去除效率。為了在短時間內去除蠟，將商用除蠟劑與dio3結合，新工藝的目標是減少脫蠟時間和SC-1步驟。在脫蠟機（1：40）中處理樣品4min后，剩余蠟厚度隨時間的變化，用dio3沖洗法處理膜后，即使在較短的處理時間內，膜的厚度也低于100a，脫蠟劑處理4分鐘后，常規(guī)脫蠟和去離子水沖洗工藝后仍有厚度大于200A的蠟殘留。另一方面，脫蠟過程后的dio3沖洗而不是去離子水沖洗的蠟含量小于50A。用dio3代替DI沖洗后，接觸角降低，蠟殘留較少，這表明沒有進一步的清洗步驟來去除所需的蠟，沖洗后加入SC-1步驟，無論臭氧處理如何，接觸角都完全親水性。為了確認包括SC-1清洗的幾個步驟的PRE，使用200mmp型（100）進行...
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