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晶片凸點(diǎn)電鍍設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

晶片凸點(diǎn)電鍍設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn)，例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn)，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn)：干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

酸/堿刻蝕機(jī)

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高溫磷酸清洗機(jī)

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實(shí)際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機(jī)臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機(jī)臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機(jī)臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護(hù)裝置： ●設(shè)有EMO(急停裝置)， ●強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離 ●設(shè)備三層防漏托盤傾斜漏液報警設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)

芯片鍍金設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

芯片鍍金設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點(diǎn)（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...

異質(zhì)結(jié)電池HIT HJT制絨清洗設(shè)備

發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06

異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途：對高效太陽能電池異質(zhì)結(jié)電池片進(jìn)行制絨、清洗設(shè)備工藝流程：l H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l O3工藝：預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點(diǎn)：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 機(jī)械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時l 結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu)，設(shè)備占地空間小l 先進(jìn)的400片結(jié)構(gòu)，有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l 工藝槽體采用“定排定補(bǔ)”模式和“時間補(bǔ)液”模式相結(jié)合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l 補(bǔ)配液采用槽內(nèi)與補(bǔ)液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu)，有效保證初配時間和微量精補(bǔ)配液的精度l 所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質(zhì)析出l 采用最新低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù)：l 設(shè)備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 產(chǎn)能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

單腔立式甩干機(jī)-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05

單腔立式甩干機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機(jī)優(yōu) 點(diǎn) 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝不同配置（可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨(dú)立、雙腔）適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設(shè)備帶有滾輪可移動優(yōu)越的可靠性獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修易于使用和操作一般特征適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃可選內(nèi)置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝用冷或熱的N2輔助晶圓干燥離心頭容易更換圖形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步多等級用戶密去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收電阻率監(jiān)測裝置機(jī)械手自動加載可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨(dú)立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪溶劑滅火裝置適用特殊設(shè)計的花籃設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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濕法加工中掩模對準(zhǔn)晶體方向的確定

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺寸精度的微結(jié)構(gòu)，對準(zhǔn)沿著晶體方向的掩模邊緣包括這些最慢的蝕刻平面。因此，掩模邊緣的精確對準(zhǔn)在微/納米制造中很重要。因此，確定精確的晶體方向至關(guān)重要，事實(shí)上，這是確保微結(jié)構(gòu)尺寸精確以提高性能的第一步。在這篇綜述文章中，我們對精確確定晶體學(xué)方向的不同技術(shù)進(jìn)行了綜合分析。我們已經(jīng)介紹了在二十多年的時間里提出的確定Si{100}和Si{110}晶片上的結(jié)晶方向的各種技術(shù)。除了詳細(xì)討論每種技術(shù)及其設(shè)計和實(shí)現(xiàn)之外，我們還對相關(guān)的限制、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)進(jìn)行了批判性分析。我們還總結(jié)了每種技術(shù)的關(guān)鍵方面，并以表格的形式呈現(xiàn)，以方便讀者參考。這篇綜述文章由詳盡的討論組成，對于在濕法各向異性蝕刻領(lǐng)域中的新手或想了解晶體方向測定技術(shù)的研究人員來說是一個方便的參考。介紹微機(jī)械加工是MEMS/NEMS工業(yè)中微/納米制造的一個組成部分。有兩種微加工方法，即表面微加工和體微加工。顧名思義，表面微加工技術(shù)利用襯底(例如晶片)的表面，并且使用表面上沉積的薄膜來制造微/納米結(jié)構(gòu)。沉積的薄膜用作結(jié)構(gòu)層和犧牲層。另一方面，體微加工選擇性地蝕刻體以制造三維特征、懸梁、薄膜等。體微加工進(jìn)一步分為兩類:干法和濕法蝕刻。干法蝕刻主要使用...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 26

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HCL處理對多孔硅光電應(yīng)用的影響

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文采用電化學(xué)陽極氧化法在p型取向硅片上形成多孔結(jié)構(gòu)。電化學(xué)蝕刻的多孔硅(PS)樣品在設(shè)定的時間間隔內(nèi)暴露于HCl溶液，導(dǎo)致該材料的穩(wěn)定和增強(qiáng)的發(fā)光。掃描電子顯微照片顯示了伴隨PS表面的HCl處理的深刻變化。通過幾何方法使用SEM圖像確定PS的孔隙率。有效介質(zhì)近似方法揭示了折射率隨著孔隙率的增加而減小。當(dāng)樣品陽極氧化時，電解液中含有HCl材料表面上Si-H基團(tuán)的濃度有凈下降。在光致發(fā)光研究中觀察到在498 nm處的強(qiáng)可見發(fā)射峰，其相對于蝕刻參數(shù)的變化沒有明顯的偏移。介紹多孔硅(PS)由納米級尺寸的硅線和空隙的網(wǎng)絡(luò)組成，這些空隙是在恒定陽極氧化條件下在氫氟酸基電解質(zhì)溶液中電化學(xué)蝕刻晶體硅晶片時形成的?？紫堵屎秃穸鹊木_控制允許定制多孔硅的光學(xué)性質(zhì)，并為光電子技術(shù)中的大量應(yīng)用打開了大門。多孔硅由于其在可見光范圍內(nèi)的室溫光致發(fā)光而引起了極大的關(guān)注。然而，關(guān)于多孔硅表面的光致發(fā)光有兩種不同的假說。第一個包括量子限制效應(yīng)，這是由于分隔孔壁的窄晶體硅壁中的電荷載流子，第二個是由于作為源光發(fā)射的內(nèi)壁中捕獲的發(fā)光表面物質(zhì)的存在，第三個是由于表面限制的分子發(fā)射體即硅氧烷的存在。表面鈍化的作用對于確定多孔層的輻射效率非常重要。多孔硅結(jié)構(gòu)具有良好的機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性和與現(xiàn)有硅技術(shù)的兼容性，因此具有廣泛的潛在應(yīng)用領(lǐng)域，例如波導(dǎo)、1D光子晶體、化學(xué)傳感器、生物傳感器...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 25

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晶圓表面處理和預(yù)清潔動態(tài)

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機(jī)殘留物和表面氧化物是必不可少的。已知多種蝕刻劑可有效去除天然GaAs氧化物。然而，對于在特定的加工步驟中使用什么樣的處理以及需要什么樣的濃度和加工時間來達(dá)到有效的結(jié)果，工業(yè)上幾乎沒有標(biāo)準(zhǔn)化。此外，與制備特定蝕刻化學(xué)物質(zhì)相關(guān)的成本和所涉及的化學(xué)物質(zhì)的有效壽命以前沒有被仔細(xì)研究過。這篇合作論文將回顧幾個大批量生產(chǎn)組織中濕法氧化物去除蝕刻的一般實(shí)踐，以及對這些實(shí)踐有效性的研究。介紹作為制造過程的一部分，所有半導(dǎo)體制造廠都使用酸、堿、溶劑和等離子體清洗來去除氧化物、抗蝕劑浮渣或GaAs以及相關(guān)的外延化合物。舉例來說，圖案化光致抗蝕劑開口可能需要等離子體清潔來移除在顯影步驟之后殘留的殘余抗蝕劑，且這通常隨后是氧化物移除以確保蒸發(fā)膜的良好粘附。類似地，可能需要表面清潔來為下一層光刻或電介質(zhì)沉積準(zhǔn)備晶片表面。在濕法處理的情況下，化學(xué)物質(zhì)可以作為通風(fēng)櫥中的浴槽獲得，或者從晶片軌道或其他自動單晶片處理工具分配。確定使用什么樣的鍍液、采用什么樣的濃度以及有效的鍍液壽命應(yīng)該是工程的責(zé)任。本文提供了這些選擇的例子，并討論了美國一些主要制造廠如何利用這些加工步驟。圖1 在蝕刻前、蝕刻1小時內(nèi)和間隔2...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 24

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TSV蝕刻后清洗工藝

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝，SAPS技術(shù)通過在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中改變兆頻超聲波的相位，在整個晶片的每個點(diǎn)上提供均勻的聲能，在這項(xiàng)研究中，使用了5x50 m蝕刻后(博世)TSV晶片，通過物理分析和電氣測試進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。配備有EDX的SEM用于檢測清潔前和清潔后的TSV試片的含氟聚合物殘余物(即CXFY)的存在，F(xiàn)IB-SEM用于評估鍍銅性能，TSV泄漏電流圖和電壓斜坡介電擊穿(VRDB)作為主要電氣可靠性指標(biāo)，也用于評估清潔效果，測試結(jié)果表明，兆聲能量可以傳播到TSV的底部，與傳統(tǒng)的單晶片噴淋清洗相比，經(jīng)過SAPS清洗的晶片表現(xiàn)出明顯的電學(xué)性能提高。硅通過(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動因素，以提高封裝密度和提高器件性能，TSV縮放對于實(shí)現(xiàn)3DIC對下一代設(shè)備的好處至關(guān)重要。在這項(xiàng)研究中，空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)被應(yīng)用于TSV蝕刻后清洗中的側(cè)壁殘留物去除，SAPS技術(shù)通過在兆頻超聲波換能器和晶片之間的間隙中改變兆頻超聲波的相位來向晶片表面提供均勻的聲能，清除殘留物的化學(xué)自由基在稀溶液中產(chǎn)生，并由兆頻超聲波能量促進(jìn)，此外，在超聲攪拌過程中產(chǎn)生的氣泡空化的機(jī)械力提高了質(zhì)量傳遞速率，并提高了清洗過程中殘余物的去除效率(圖1)。與傳統(tǒng)的濕法清洗方法相比，SAPS兆頻超聲波技...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 23

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450mm濕法清潔挑戰(zhàn)

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料隨著技術(shù)復(fù)雜性在亞20nm節(jié)點(diǎn)上的加速，半導(dǎo)體制造成本已經(jīng)快速增加，晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米將是解決這一問題的方法之一，平均而言，采用300毫米晶圓的成本比之前的200毫米晶圓降低了30%，300毫米設(shè)備的開發(fā)只是簡單地縮放200毫米工具，這不足以實(shí)現(xiàn)450毫米的成功，工藝技術(shù)、襯底處理/運(yùn)輸和工藝靈活性方面的創(chuàng)新是必要的，主要挑戰(zhàn)如下:先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的清潔度、圖案塌陷和損壞、濕法蝕刻均勻性、降低擁有成本、通過單晶片工具回收晶片、Si3N4選擇性蝕刻。對先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的清潔性：根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS ),可以肯定的是，半導(dǎo)體制造的未來將繼續(xù)面臨表面準(zhǔn)備和關(guān)鍵清洗步驟的重大挑戰(zhàn)，例如對顆粒和金屬污染的嚴(yán)格要求等，從硬件的角度來看，它可以從三個方面來解決，即室氣氛、流體的質(zhì)量控制以及部件清潔和老化，如表1所示，采用新的室氣氛控制設(shè)計理念，即使不考慮更大的晶片表面面積(x2.25)，450毫米alpha工具的顆粒性能也與300毫米生產(chǎn)工具相當(dāng)或略好。模式崩潰和損壞：隨著尺寸和間距的縮小，在濕法清洗步驟中圖案坍塌和損壞的風(fēng)險增加，使用20納米以下的FinFET使其更加脆弱，300毫米工具的可行解決方案，例如IPA干燥、低表面張力流體和先進(jìn)的分配方法，將全部轉(zhuǎn)移到450毫米工具，450毫米濕法清洗工具需要創(chuàng)新的解決方案，目標(biāo)...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 14

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蝕刻性能：需要考慮的 9 個因素

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進(jìn)行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當(dāng)懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實(shí)時測量蝕刻速率。蝕刻速度應(yīng)與應(yīng)用相稱，需要非常淺的蝕刻的應(yīng)用應(yīng)該具有相對低的蝕刻速率以保持控制，相反對于具有非常深的特征的應(yīng)用，實(shí)際上蝕刻速率更快以避免冗長的處理時間。重要的是要認(rèn)識到其他參數(shù)會影響蝕刻速率，例如開口面積的大小或結(jié)構(gòu)的縱橫比(特征寬度/特征深度)，當(dāng)調(diào)整蝕刻速率時，在均勻性、輪廓或選擇性之間也可能存在折衷，縱橫比也影響蝕刻速率，因?yàn)榭v橫比越大，蝕刻速率越慢。蝕刻中的均勻性是對特定參數(shù)下整個晶片一致性的度量，通常，均勻性是指蝕刻速率，但它也可以指其他蝕刻后特征，如選擇性和輪廓，由于數(shù)據(jù)是測量值的集合，因此通常使用統(tǒng)計數(shù)據(jù)，通過標(biāo)準(zhǔn)偏差來確定數(shù)據(jù)的分布，通常將一致性稱為一個、兩個或三個西格瑪，另一種方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值)，必須記住識別由于箝位或其他邊緣效應(yīng)而應(yīng)排除度量的區(qū)域。輪廓是指已經(jīng)被蝕刻的特征的輪廓或斜率，有些應(yīng)用需要垂直剖面，有些應(yīng)用需要傾斜剖面，當(dāng)開發(fā)一個規(guī)范時，概要文件經(jīng)常被作為要考慮的參數(shù)之一，輪廓控制是材料、工藝和掩模的函數(shù)。選擇性是兩個蝕刻速率之間的比率，通常是被蝕刻的材料和掩模之間的比率，通常，選擇性...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 13

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采用不同蝕刻方法的GaN薄膜

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電鏡分別觀察了蝕坑和T-Ds。圖1顯示了在熔融KOH中蝕刻的GaN膜的平面SEM圖像。如圖1中清楚示出的，蝕刻坑都具有相似的對比度，并且都是發(fā)育良好的六邊形，具有平邊緣和尺寸從0.2pm到1 μm的不同尺寸的面，這意味著蝕坑的來源是相同的，最大坑B都是孤立的中等坑和的0，下午7點(diǎn)和1點(diǎn)，可以清楚地看到過蝕刻區(qū)域中的不同凹坑，這說明蝕坑不是均勻分布的，蝕坑密度是可靠的，圖1( b)顯示了放大倍數(shù)更高的更清晰的SEM顯微照片，通過圖1(a ), EPD可以估計為4 X 107/cnr，圖2顯示了在混合酸溶液中蝕刻的GaN膜的平面圖SEM圖像，蝕坑也不是均勻分布的，它們的尺寸從0，下午1點(diǎn)到0點(diǎn)，5pm具有不同的對比度，從圖2估計的EPD約為5X 108/cm-1，比圖1中的EPD大一個數(shù)量級，這表明圖2中的蝕坑來源比圖1中的多。用化學(xué)腐蝕方法，如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH，鹽酸蒸氣腐蝕法，掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蝕坑和穿透位錯，HCl氣相刻蝕和濕法刻蝕GaN薄膜同一位置的SEM圖像顯示出明顯不同的腐蝕坑密度和形狀，結(jié)果表明，鹽酸氣相刻蝕可...

發(fā)布時間: 2022 - 05 - 10

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使用全濕法去除 Cu BEOL 中的光刻膠和 BARC

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料這項(xiàng)研究首先集中于去除直接沉積在硅襯底上的193納米厚的光刻膠和BARC層，使用FTIR和橢圓偏振光譜(SE)來評估去除效率，在第二部分中，研究了金屬硬掩模/多孔低k鑲嵌結(jié)構(gòu)上蝕刻后光刻膠和BARC層的去除，掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評估清洗效率，使用平面電容器結(jié)構(gòu)確定暴露于等離子體和濕化學(xué)對低k膜的介電常數(shù)的影響。圖1顯示了在50°c下使用溶劑基濕法去除后PR/BARC膜的FTIR光譜，原始PR的特征在于分別歸因于PR分子側(cè)基中內(nèi)酯和酯官能團(tuán)的約1795 cm-1和約1730 cm-1處的兩個吸收峰(數(shù)據(jù)未顯示)，對于所研究的所有實(shí)驗(yàn)條件，即使清洗時間很短，PR的吸收峰也完全消失，表明PR層被去除，BARC層更難去除。例如，在30-60秒的短清洗時間內(nèi)，BARC中酯功能的特征吸收帶(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在，更長的清洗時間導(dǎo)致BARC層的完全去除，如這些吸收帶的完全消失所證明的。圖2顯示了對于圖案化結(jié)構(gòu)獲得的C/Ti原子比的變化，使用實(shí)驗(yàn)部分中描述的等離子體序列蝕刻BARC和TiN硬掩模層導(dǎo)致在PR外殼中形成含氟和含鈦物質(zhì)，氟和無機(jī)物質(zhì)的引入使得PR的去除更具挑戰(zhàn)性，因?yàn)檫@些物質(zhì)會導(dǎo)致外殼溶解度顯著降低，使用XPS評估圖案化結(jié)構(gòu)的去除效率，圖2示出了通過XPS測量多孔低介電常數(shù)...

發(fā)布時間: 2022 - 04 - 29

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22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰(zhàn)和新方法

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文描述了去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關(guān)鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎(chǔ)的方法。隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MHM)蝕刻后留下的光刻抗蝕劑更難去除，因?yàn)闆]有或只有很小部分的光刻抗蝕劑(PR)沒有交聯(lián)的，采用MHM模式，干燥的PR帶通常會導(dǎo)致低k材料的頂角的第一類等離子體損傷，延伸到MHM層的邊緣下方，這個受損的區(qū)域在隨后的清洗中很容易受到攻擊，從而產(chǎn)生具有非平面頂部表面的介電線，這反過來又會導(dǎo)致嚴(yán)重的線間電容和隔離問題，因此探索了替代的非等離子體途徑來去除MHM上的PR。通過UV預(yù)處理和浸泡在溶解的溶劑中，從MHM中獲得了良好的PR去除效果，如下圖所示，這一過程去除了整個等離子體修飾的PR和有機(jī)BARC層，紫外處理是在222納米準(zhǔn)分子燈在25mW/cm2的真空下進(jìn)行的，沒有有意加熱，臭氧是通過以2標(biāo)準(zhǔn)l/分鐘總流量的氧氣流到臭氧發(fā)生器獲得的，其出口的臭氧濃度為20w-ppm，這種臭氧和氧氣混合物通過溶劑容器底部的擴(kuò)散器起泡，同時還證明，這三個方面都是必要的：紫外線預(yù)處理臭氧和溶劑，通過選擇性地消除每一個單獨(dú)。首先使用汞探針進(jìn)行的測量表明，由于單獨(dú)對部分蝕刻的低k材料進(jìn)行紫外處理，導(dǎo)致的k值增加小于0.1，這個過程被認(rèn)為是這樣工作的，紫外處理導(dǎo)致PR外殼中C=C結(jié)合濃度增加，由FTIR分析解釋，這些C=C...

發(fā)布時間: 2022 - 04 - 28

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氣相二氧化硅蝕刻和金屬污染物去除

掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文在高真空組合工具中研究了氣相預(yù)柵極氧化物表面制備：用無水氟化氫蒸汽和甲醇蒸汽蝕刻二氧化硅并通過改變晶片溫度、室壓和氣體流速，這樣就可以很好地控制氧化物蝕刻速率。本實(shí)驗(yàn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了氧化物蝕刻速率的5%的標(biāo)準(zhǔn)誤差。在60/分鐘的氧化物蝕刻速率下，每125毫米晶片產(chǎn)生的顆粒少于10個。原子力顯微鏡測量顯示沒有增加硅表面的微觀粗糙度，這歸因于蒸氣氟化氫(HF)蝕刻。介紹現(xiàn)代集成電路(IC)制造中最重要的工藝之一是預(yù)柵氧化晶片表面制備。事實(shí)表明，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件的性能取決于柵極氧化物生長之前的清潔工藝。然而，在傳統(tǒng)制造工藝中，每次工藝完成后，晶圓會在潔凈室中從一個工具轉(zhuǎn)移到另一個工具，因此會面臨再次污染的風(fēng)險。對于一些關(guān)鍵的工藝順序，例如柵極氧化物生長，應(yīng)該在晶片清洗后立即生長氧化物，以減少氧化物缺陷并獲得高的器件成品率。為了實(shí)現(xiàn)無污染制造，集群是選項(xiàng)之一。組合工具允許單晶片處理，在此期間，晶片在真空下在處理模塊之間轉(zhuǎn)移，并且降低了再污染的風(fēng)險。配備原位診斷，可以更好地控制過程穩(wěn)定性。隨著晶片尺寸越來越大，單晶片加工變得越來越有吸引力。與真空兼容的氣相清潔工藝目前正受到越來越多的關(guān)注。在氣相過程中，氧化物和其他表面污染物可能會通過活性氣體和表面層/污染物之間的反應(yīng)而被去除。氣相處理也具有清潔較小特征的潛力，因?yàn)闈穹ㄌ幚硎艿饺?..

發(fā)布時間: 2022 - 04 - 27

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