掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過使用兩個(gè)硅晶片的晶片鍵合技術(shù)制備的。該生產(chǎn)過程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈和平坦。為了有效提高氧化后二氧化硅膜厚的均勻性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評(píng)估以表明可以通過數(shù)值計(jì)算再現(xiàn)水的速度和層厚度。接下來，假設(shè)簡單的速率方程，可以得到氟化氫水溶液對(duì)二氧化硅的蝕刻速率。該模型可以同時(shí)闡明擺動(dòng)噴嘴的作用。然而，計(jì)算和測量之間的蝕刻速率仍然存在小的差異。為了獲得準(zhǔn)確實(shí)用的計(jì)算模型，表面化學(xué)反應(yīng)過程及其速率，如朗繆爾模型，應(yīng)像化學(xué)氣相沉積一樣適當(dāng)?shù)孛枋觥?shí)驗(yàn)性 顯示了本研究中使用的單晶片濕法蝕刻機(jī)。該蝕刻機(jī)有一個(gè)直徑為 200 毫米的晶片，在圓柱形容器中以 100-1400 rpm 的速度旋轉(zhuǎn)。氟化氫水溶液（3%）從直徑 4 毫米的噴嘴垂直于晶片表面以 1 L/min 的流速向下注入 1 分鐘。注入后，氟化氫水溶液沿旋轉(zhuǎn)的晶片表面從注入位置輸送到晶片邊緣，最后從晶片邊緣甩出到外部。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)信息摘要 本文介紹了一種低成本低溫封裝技術(shù)，用于在任意基板上制造的 MEMS 器件的晶圓級(jí)封裝。此處介紹的封裝工藝不涉及晶圓鍵合，并且可以在其制造序列完成后應(yīng)用于各種 MEMS 器件。我們的技術(shù)通過聚合物涂層帽利用犧牲聚合物材料的熱分解，并且可以應(yīng)用于表面和本體微機(jī)械結(jié)構(gòu)。介紹了高 Q 絕緣體上硅諧振器、厚硅陀螺儀和加速度計(jì)的封裝。 簡介 晶圓級(jí)封裝是微系統(tǒng)制造中一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性且成本高昂的任務(wù) [1]。已經(jīng)報(bào)道了幾種用MEMS 器件晶圓級(jí)封裝的技術(shù)，包括各種晶圓鍵合 [2-6] 和基于犧牲膜的方法。大多數(shù)報(bào)道的技術(shù)要么成本高昂（需要晶圓鍵合、研磨和帽蓋形成），要么需要高溫，要么是特定于設(shè)備的。圖案化包裝 (PVP) 第一種方法更適用于表面微加工器件，例如 SOI 諧振器。圖 1(a) 顯示了封裝工藝順序，稱為通過圖案化 (PVP) 封裝。光可定義犧牲材料 Unity 2000P [9] 首先進(jìn)行旋涂和軟烤。然后使用深紫外曝光 (248nm) 對(duì) Unity 聚合物進(jìn)行圖案化，然后在 110°C 下烘烤顯影以分解曝光區(qū)域。圖案化的犧牲材料被負(fù)性光可定義聚合物涂層 Avatrel 覆蓋。封裝后，通過 Avatrel ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 最先進(jìn)的 65 nm 柵極氧化物通常被氮化以減少泄漏并增加 k 值。將它們集成到 65 納米三柵極氧化物流中是一個(gè)真正的挑戰(zhàn)。關(guān)鍵是控制入膜的氮濃度峰值位置。實(shí)際上，摻入的氮對(duì)所有種類的氧化都非常敏感，尤其是濕式操作。關(guān)鍵詞： 氮化氧化物、三重柵極氧化物、氮濃度分布結(jié)果與討論 某些器件需要在同一芯片上集成三重柵極氧化物（圖 1）。第一個(gè)專用于輸入/輸出功能。第二個(gè)，LP（低功耗）用于低電流消耗，最后一個(gè)，GP（通用）用于高速應(yīng)用。使用了幾個(gè)濕法處理步驟并與 LP 柵極氧化物相互作用。這些氧化物是通過快速熱氧化、等離子體氮化和 PNA（氮化后退火）產(chǎn)生的（圖 2）。 必須嚴(yán)格控制三個(gè)主要參數(shù)才能獲得可重現(xiàn)和準(zhǔn)確的設(shè)備性能：厚度、氮深度分布和含量。雖然氮位于 90 nm 節(jié)點(diǎn)中的氧化物襯底界面處，但它在 65 nm 節(jié)點(diǎn)中更靠近頂部表面，以防止任何 NBTI 問題（圖 3）。 這些劑量分布圖通過兩個(gè)步驟獲得：濕斜角蝕刻，然后沿晶片直徑進(jìn)行 XPS 測量。兩種斜角蝕刻輪廓是可能的：從上到下（在 HF 浴中緩慢浸入）或旋轉(zhuǎn)蝕刻機(jī)上的徑向輪廓。結(jié)論 需要...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 GaN、AlGaN 和 InGaN 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍從照明和紫外線 (UV) 技術(shù)到高功率、抗輻射、高溫、太赫茲 (THz) 和亞太赫茲電子和熱電子學(xué). 纖鋅礦（六邊形）對(duì)稱性使這些材料與傳統(tǒng)的立方半導(dǎo)體截然不同。與纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)的自發(fā)極化和壓電極化在 AlGaN/GaN、AlInN/GaN 和 AlGaN/InGaN 界面產(chǎn)生二維電子氣，其片層濃度比 Si CMOS 中的高 10 到 20 倍。高載流能力和高擊穿場使這些材料非常適合高功率應(yīng)用。通過改變摩爾分?jǐn)?shù)來調(diào)整 AlxGa1-xN 和 InxGa1-xN 的能隙會(huì)改變它們發(fā)射或吸收的光的波長，并使光和紫外線發(fā)射器、太陽能電池和光電探測器在太赫茲和紅外線到深紫外線范圍內(nèi)工作。使用 InGaN 的藍(lán)色、綠色和白色 LED 徹底改變了智能固態(tài)照明。AlGaN UV LED 用于水凈化、對(duì)抗抗生素抗性細(xì)菌和病毒，并顯著延長產(chǎn)品儲(chǔ)存時(shí)間。InN、ZnO 和 BN 具有與 AlN/GaN 系列競爭的潛力。金剛石不僅作為記錄散熱的基材重新出現(xiàn)，而且作為可行的太赫茲探測器材料重新出現(xiàn)。WBG 技術(shù)有許多難以解決的問題。WBG 材料中的高位錯(cuò)密度導(dǎo)致深 AlGaN UV LED 的效率低和高功率器件的可靠性問題。介紹 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個(gè)開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個(gè)開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個(gè)開口。去除第一抗蝕劑圖案以露出第一抗蝕劑圖案下方的基板。背景 半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展到更小的特征尺寸，例如縮小到 65 納米、45 納米及以下的特征尺寸。用于產(chǎn)生如此小的特征尺寸的圖案化光刻膠（抗蝕劑）層通常具有高縱橫比。由于各種原因，尤其是對(duì)于具有高縱橫比的抗蝕劑層，保持所需的臨界尺寸 (CD) 可能非常困難。引入雙重圖案化工藝以形成具有更小尺寸的各種特征。然而，傳統(tǒng)的雙重圖案化工藝涉及多個(gè)蝕刻工藝，制造成本高且產(chǎn)量低。詳細(xì)說明 應(yīng)當(dāng)理解，以下公開提供了許多不同的實(shí)施例或示例，用于實(shí)現(xiàn)各種實(shí)施例的不同特征。下面描述部件和布置的具體示例以簡化本公開。當(dāng)然，這些僅是 55 個(gè)示例，并非旨在進(jìn)行限制。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接觸形成的實(shí)施例，并且還可以包括其中可以在之間形成另外的60個(gè)特征的實(shí)施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接觸。此外，本公開可以在各種示例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 隨著器件幾何尺寸的減小以增加 VLSI 和 VHSIC 集成電路的有源元件密度，為基礎(chǔ)半導(dǎo)體加工制備清潔的 Si 和 SiO2 襯底已成為一個(gè)更重要的技術(shù)問題。傳統(tǒng)的表面分析技術(shù)如俄歇光譜法和 ESCA 分析不再具有足夠的靈敏度來檢測和定量表面雜質(zhì)水平。因此，已經(jīng)開展了將二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析應(yīng)用于進(jìn)行清洗處理的晶片表面的前幾個(gè)納米的程序。在確定執(zhí)行可重復(fù)分析所需的 SIMS 儀器參數(shù)后，對(duì)通過 FSI-A、王水、發(fā)煙硝酸和食人魚加 HF 清潔程序清潔的晶片進(jìn)行了分析。每個(gè)清潔程序都會(huì)去除一些堿元素（Na、K），但最佳和最差性能之間的差異導(dǎo)致表面堿含量的變化超過 10 倍。典型的晶片污染物（Mg、Ca、Cr、Cu、Al 和 B）通過使用的各種清潔工藝以大不相同的效率去除。將提供有關(guān)各種清潔過程的相對(duì)效率及其對(duì)不同污染物的適用性的數(shù)據(jù)。此外，還將介紹一個(gè)受污染的薄沉積氮化物膜分析示例。介紹 隨著集成電路密度的增加，硅基半導(dǎo)體技術(shù)的基本表面清潔度要求已成為一個(gè)越來越難以分析的問題。不再存在相對(duì)“海洋”的硅來吸收和分散一個(gè)加工步驟留下的污染物，因此它們不會(huì)影響后續(xù)步驟。俄歇電子能譜 (AES) 和化學(xué)分析電子能譜 (ESCA) 的基本靈敏度已經(jīng)擴(kuò)展到許多感興...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR/MIR) 中的傅里葉變換紅外光譜 (FTIRS)、高分辨率電子能量損失光譜 (HREELS)、X 射線光電子能譜 (XPS) 和原子用于分析用不同濕蝕刻程序處理的 GaAs (100) 樣品的力顯微鏡 (AFM)。通過與粉末狀氧化物（Ga2O3、As2O3 和 As2O5）相比，振動(dòng)和 XPS 光譜中存在的表面氧化物導(dǎo)致的不同特征的分配。這里描述的蝕刻程序，即，使用低濃度 HF 溶液的那些，大大減少了砷氧化物 (100) 表面中存在的砷氧化物和脂肪族污染物的數(shù)量，并完全去除了氧化鎵。關(guān)鍵詞： 砷化鎵 (100)；氧化物；濕蝕刻；ATR/中紅外；XPS; 人力資源；原子力顯微鏡介紹 GaAs (100) 表面具有高表面能。1 因此，它們具有很強(qiáng)的反應(yīng)性和化學(xué)穩(wěn)定性。GaAs (100) 表面上存在的不同氧化物的化學(xué)表征是有問題的，因?yàn)閮H通過紅外光譜和高分辨率電子能量損失光譜 (HREELS) 3 對(duì)氧化物進(jìn)行了幾次鑒定，并且在X 射線光電子能譜 (XPS) 值存在。上述所有方法在表面成分和粗糙度方...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 隨著半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)階段深入到亞 100 納米范圍，監(jiān)測空氣分子污染 (AMC) 已成為潔凈室管理的關(guān)鍵要素。本文根據(jù)過去十年的研究報(bào)告，全面介紹了當(dāng)前對(duì) AMC 的理解，特別是對(duì)有機(jī)來源的理解。從回顧 AMC 問題的時(shí)間順序發(fā)展和 AMC 分類的幾種方法開始，本文還研究了幾種可用的環(huán)境采樣和表面分析方法的優(yōu)點(diǎn)。本文的重點(diǎn)是通過實(shí)驗(yàn)將有機(jī) AMC 的表面形態(tài)和豐度與其物理和化學(xué)特性相關(guān)聯(lián)，來解決有機(jī) AMC 的表面沉積潛力，連同描述單一和多種污染物情況的沉積速率的動(dòng)力學(xué)模型。此外，本文還考察了 AMC 控制策略的當(dāng)前進(jìn)展，特別是化學(xué)過濾技術(shù)的發(fā)展。介紹 潔凈室的設(shè)計(jì)是為了最大限度地提高環(huán)境敏感材料（微電子和制藥元件或產(chǎn)品）、工藝（晶圓制造）或操作（醫(yī)療程序）的生產(chǎn)率和產(chǎn)量。然而，只有在晶圓制造工藝領(lǐng)域，潔凈室的概念才足夠統(tǒng)一，因此空氣潔凈度要求之間的比較才變得有意義；因此，關(guān)于微污染的討論嚴(yán)格集中在半導(dǎo)體潔凈室環(huán)境上。多年來，潔凈度是指盡量減少潔凈室中的空氣傳播顆粒，以防止形成產(chǎn)品缺陷。這一要求促使半導(dǎo)體潔凈室的設(shè)計(jì)分類為嚴(yán)格顆粒定義的環(huán)境，例如 10 級(jí) (ISO 4)、100 級(jí) (ISO 5) 潔凈室。對(duì)溫度和濕度、壓力均勻性、氣流速度和分布、噪聲和振動(dòng)水...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 低氧含量的濕法加工可能會(huì)提供一些優(yōu)勢，但是，完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個(gè)晶圓工具上的短流程工業(yè)化的挑戰(zhàn)。在線氧濃度監(jiān)測用于工藝優(yōu)化。然后，根據(jù)記錄的氧濃度和處理室中氣氛控制的硬件可用選項(xiàng)，評(píng)估稀釋 HF 溶液中的鈷蝕刻。關(guān)鍵詞：低氧工藝、溶氧計(jì)、BEOL 清洗介紹 FEOL 應(yīng)用和 BEOL 已經(jīng)證明了在液體（沖洗水、稀釋的酸，如 HF、HCl）和大氣中（氮?dú)饬?、密閉室）中低氧含量的濕法加工的優(yōu)勢應(yīng)用 ，以及 2010 年 ITRS 路線圖建議在晶圓廠設(shè)施提供給潤濕設(shè)備的超純水中添加 10ppb。然而，在晶圓加工過程中完全控制避免吸氧仍然是在非常短的工藝時(shí)間的單晶圓工具上進(jìn)行工藝工業(yè)化的挑戰(zhàn)。 在這項(xiàng)工作中，我們將專注于超稀釋 HF 溶液中的氧氣控制。事實(shí)上，已經(jīng)證明用于 BEOL 互連蝕刻后清潔的“HF 預(yù)算”隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)而不斷減少，但可能仍然需要確保低成本工藝和良好的清潔效率。為了最大限度地減少絕緣多孔電介質(zhì)的橫向蝕刻，即使對(duì)于 10nm 節(jié)點(diǎn)，也建議將 HF 濃度降低至 0.05%wt，并改進(jìn)氧濃度控制。然而，由于過程穩(wěn)健性可能會(huì)受到非常短的過程時(shí)間（例如 實(shí)驗(yàn)性 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個(gè)晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關(guān)重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)傳輸，結(jié)果表明在沖洗時(shí)間的一般分析中必須考慮由于流體層上的非均勻速度而導(dǎo)致的徑向分散現(xiàn)象。介紹 更好地了解硅晶片制造中的濕法工藝對(duì)于提高清潔效率以及優(yōu)化水分配和工藝時(shí)間非常重要。在這里，我們專注于沖洗過程，執(zhí)行該過程是為了消除已分配在晶片表面的清潔溶液，并考慮代表單個(gè)晶片工具的情況。DIW（去離子水）的中心注入以及施加到系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)引起沿晶片表面的徑向流動(dòng)和從邊緣排出水溶液。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)輸運(yùn)，重點(diǎn)研究了由穿過流體層的非均勻速度場引起的徑向分散現(xiàn)象。流體動(dòng)力學(xué)和傳輸現(xiàn)象。 在這項(xiàng)工作中，沖洗過程被分析為純水對(duì)水溶液的混溶置換。為簡單起見，化學(xué)物質(zhì)和殘留物被視為單一溶解的溶質(zhì)。如圖 1 所示，去離子水 (DIW) 從晶片和屏蔽板之間的中心注入。兩者都以相同的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。區(qū)分了兩種主要配置（圖 1）。在第一種情況下，稱為密閉情況 (a)，流速足夠高，液體可以完全充滿晶片和屏蔽板之間的空間。第二個(gè)，稱為自由表面情況（b），對(duì)應(yīng)于旋轉(zhuǎn)速度或屏蔽板高度足夠高...
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