一、主要生產(chǎn)設(shè)備
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二、工藝流程簡(jiǎn)述
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晶體、合成莫桑寶石生產(chǎn)工藝流程
1、粉料研磨：本項(xiàng)目外購(gòu)的硅粉有的時(shí)候粒徑較大，為了后續(xù)合成，需利用粉料研磨機(jī)將其進(jìn)行研磨。整個(gè)研磨過程全部在密閉倉(cāng)內(nèi)進(jìn)行。由于需要研磨的硅粉一般粒徑均較大，因此研磨投料過程中無(wú)粉塵產(chǎn)生。研磨好后的細(xì)硅粉由密閉輸送管道送至塑料包裝袋內(nèi)儲(chǔ)存?zhèn)溆?，在物料輸送至塑料包裝袋的過程中可能會(huì)有少量硅粉散逸。全部為無(wú)組織排放。
2、粉料合成：將研磨好的粉料裝入 SIC 粉料合成爐配套的石墨堆塌內(nèi)（每次可投加物料約1公斤）,蓋好蓋，然后將爐內(nèi)抽真空至0.5*10-3pa,同時(shí)為了進(jìn)一步防止粉料合成過程中碳粉被氧化，還需通入氧氣進(jìn)行保護(hù)。SIC粉料合成爐加熱溫度約為2000℃，采用電加熱，加熱時(shí)間約20個(gè)小時(shí)。經(jīng)粉料合成后的碳粉和硅粉就基本已經(jīng)成為碳化硅小晶體了，只是晶體粒徑較小，完全不能滿足客戶的需求，還需將小的晶體進(jìn)一步生長(zhǎng)使其成為一塊大的碳化硅晶體。該工序污染物主要為粉狀物料在使用過程中散逸的少量粉塵。
3、晶體生長(zhǎng)：品體生長(zhǎng)的方法是在高溫和真空條件下，在石墨堆塌中心放入一顆很小的籽晶作為種子，然后在籽晶周圍放入粉料合成爐合成的小的碳化硅品體。在這種環(huán)境下，小的碳化硅晶體會(huì)不斷生長(zhǎng)變大，從而形成成塊的碳化硅品體，尺寸約為2英寸、三英寸，厚20mm左右的圓柱體。品體生長(zhǎng)所需溫度約為2200度，加熱采用電加熱，真空度約為0.5*10-pa,同時(shí)也需通入氯氣進(jìn)行保護(hù)，品體生長(zhǎng)所需時(shí)間約為100小時(shí)。該工序無(wú)污染物產(chǎn)生。
4、品體切割：利用切割機(jī)將晶塊切割成一片一片的晶片或莫桑石，一般切割后的品片尺可約為2英寸或3英寸，厚1mm的品片。該工序有少量邊角料產(chǎn)生，產(chǎn)生的邊角料一般由企業(yè)收集后放入晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)繼續(xù)生產(chǎn)。
5、晶體研磨：將切割好后的晶片利用研磨機(jī)進(jìn)行研磨，研磨采用金剛砂作為磨料，研磨的過程中，需加入水，以降低研磨溫度和研磨過程中產(chǎn)生的粉塵。該過程中由于研磨時(shí)需不斷噴水，因此無(wú)粉塵產(chǎn)生，但是有研磨廢水產(chǎn)生，產(chǎn)生的研磨廢水經(jīng)企業(yè)自建污水處理設(shè)施處理后回用。研磨所使用的金剛砂一般循環(huán)使用，使用到一定程度時(shí)需更換，更換頻率約為年次，更換產(chǎn)生的廢金剛砂由企業(yè)收集后外售，水印
6、清洗
研磨后的晶片表里殘留有少量研磨過程中產(chǎn)生的殘?jiān)?，因此，需用自?lái)水進(jìn)行清洗該工序有清洗廢水產(chǎn)生，清洗廢水產(chǎn)生量約為1t/d。清洗后的晶片放入濾框內(nèi)讓其自然干燥。
7、檢驗(yàn)
主要檢驗(yàn)晶片的電性能和莫桑石的透光率、顏色、光學(xué)性能等。該工序有不合格品產(chǎn)生。產(chǎn)生的不合格由廠家收集后外售。
5.3 主要污染工序
1、廢氣：本項(xiàng)目廢氣主要為粉料研磨過程中取料和粉狀物料使用過程中產(chǎn)生的少量散逸粉塵。
2、廢水：本項(xiàng)目廢水主要為研磨廢水、清洗廢水和職工生活污水。
3、固廢：本項(xiàng)目固廢主要為切割過程中產(chǎn)生的邊角料、研磨過程中產(chǎn)生的廢金剛砂、檢驗(yàn)過程中產(chǎn)生的不合格品、廢水處理設(shè)施產(chǎn)生的沉渣和職工生活垃圾等。
4、噪聲：本項(xiàng)目噪聲主要為設(shè)備生產(chǎn)運(yùn)行過程中產(chǎn)生的機(jī)械噪聲。
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