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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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鍺拋光片清洗

時(shí)間: 2021-02-26
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以鍺為襯底的化合物電池由于具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗腐蝕、抗輻射等優(yōu)勢(shì),在航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。多節(jié)化合物電池用鍺襯底通常為高表面質(zhì)量的鍺拋光片,要求其表面無(wú)顆粒沾污、無(wú)有機(jī)沾污、無(wú)表面缺陷。要使鍺拋光片表面達(dá)到這一標(biāo)準(zhǔn),清洗是非常重要的環(huán)節(jié)。

紫外線/臭氧清洗技術(shù)是一種非接觸式的干法清洗技術(shù),不受溶液表面張力的影響。被清潔的表面僅與紫外線和臭氧作用,不與其他物體發(fā)生接觸。并且有機(jī)物經(jīng)過紫外光照射發(fā)生光敏氧化反應(yīng)后,僅生成可揮發(fā)性氣體,不會(huì)造成溶液清洗時(shí)的二次污染。與此同時(shí),紫外光是短波光線,能夠射入材料表面并在與臭氧的協(xié)同作用下與表面物質(zhì)發(fā)生氧化反應(yīng),形成均勻的氧化物薄膜。紫外光子輻照的能量相對(duì)比等離子體濺射或惰性氣體離子轟擊的能量小,一般情況下,經(jīng)過紫外線/臭氧處理的表面不會(huì)受到損傷或發(fā)生晶體缺陷。

在RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法中,利用DHF清洗來(lái)剝離自然氧化層,從而達(dá)到去除氧化層中金屬離子的目的。但由于HF并不溶解鍺O或其他非正四價(jià)態(tài)鍺氧化物,只溶解鍺O:和極少量的鍺混合態(tài)氧化物,所以本文采用對(duì)鍺0和鍺0:有很好溶解能力并且不與鍺發(fā)生反應(yīng)的鹽酸進(jìn)行清洗。紫外線/臭氧處理過程中,由于臭氧具有類似于H2O2的氧化電勢(shì),其可在鍺拋光片表面形成潔凈的氧化物薄膜,因此可以采用紫外線/臭氧干法氧化的方式替代H2O2的氧化作用。本文從降低鍺拋光片霧值、提高表面質(zhì)量為出發(fā)點(diǎn),以紫外線/臭氧代替H2O2氧化鍺片表面,并通過調(diào)節(jié)鹽酸濃度,得出一種提高鍺拋光片表面質(zhì)量的清洗方法。

1實(shí)驗(yàn)過程

1.1實(shí)驗(yàn)流程

實(shí)驗(yàn)片選用型號(hào)為P<100>,?。保埃埃恚淼逆N拋光片。經(jīng)過去除有機(jī)物、表面顆粒沾污的清洗步驟后,首先將鍺拋光片放入紫外線/臭氧清洗設(shè)備中,在相同紫外線輻照類型照射條件下,通過改變樣品與紫外線光源之問的距離,記錄使樣品表面達(dá)到最小接觸焦(大約40)所需的不同時(shí)問,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析。之后將鍺拋光片浸入到幾組不同濃度的鹽酸溶液中反應(yīng)一定時(shí)問,取出放入快排沖洗槽內(nèi)進(jìn)行QuickDump黜nse(以下簡(jiǎn)稱QDR)循環(huán)清洗,最后放入旋轉(zhuǎn)沖洗甩干機(jī)內(nèi)甩干,通過表面分析儀對(duì)鍺拋光片進(jìn)行霧值分析。

1.2實(shí)驗(yàn)及測(cè)試用設(shè)備

兆聲清洗采用ST600.32TL型清洗機(jī),氣相清洗采用紫外線/臭氧清洗設(shè)備;甩干機(jī)表面目測(cè)檢驗(yàn)采用強(qiáng)光燈,接觸角測(cè)試采用承德金和儀器制造有限公司生產(chǎn)的JY—PHB型接觸角測(cè)定儀,表面霧值測(cè)試采用WM一7S表面分析儀。

2實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

2.1紫外線,臭氧工藝分析

紫外線能打開和切斷有機(jī)物分子的共價(jià)鍵,使有機(jī)物分子活化,分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等,從而清除粘附在拋光片表面的有機(jī)物沾污。

Vig和LeBus等人[2]通過采用接觸角測(cè)量、濕度測(cè)試和俄歇電子譜(AES)發(fā)現(xiàn),低壓汞燈產(chǎn)生的184.9nm和253.7nm兩種主要波長(zhǎng)的紫外線對(duì)被照射樣品具有最好的氧化效果。這是由于184.9nm的紫外波長(zhǎng)可以被氧氣分子吸收,氧氣吸收紫外線產(chǎn)生原子氧和臭氧;253.7nm的紫外波長(zhǎng)不能被氧氣吸收,但可被臭氧吸收M,臭氧吸收紫外線分解成原子氧和氧氣,這樣臭氧將處于產(chǎn)生與分解的動(dòng)態(tài)變化過程中。臭氧產(chǎn)生與分解的中間產(chǎn)物原子氧是非常強(qiáng)的氧化劑,它與活化的襯底表面發(fā)生氧化反應(yīng),可生成致密、均勻的氧化物薄膜。

由于鍺拋光片表面的氧化層是因臭氧產(chǎn)生與分解的中間產(chǎn)物原子氧的氧化作用而產(chǎn)生的,所以紫外線/臭氧的氧化能力強(qiáng)弱直接影響表面氧化層的產(chǎn)生,這種氧化能力我們利用鍺拋光片的最小接觸角來(lái)表征,即紫外線/臭氧作用的氧化能力越強(qiáng),高質(zhì)量表面氧化層形成的時(shí)間越短,達(dá)到最小接觸角(大約4o)所需時(shí)間越短。

為了研究樣品與紫外線光源間距離對(duì)表面氧化效果的影響,本組實(shí)驗(yàn)將鍺拋光片樣品分成五組,在253.7nm和184.9nm紫外線和臭氧組成的相同環(huán)境下,樣品與紫外光源距離分別為0.5cm、1cm、5cm、8cm、13cm,五組樣品達(dá)到最小接觸角(大約4。)的時(shí)間如表1所示。

為了使表面氧化所用時(shí)間縮短,待氧化的樣品應(yīng)盡可能放置在離紫外線源近的位置。通過表1可看出,將鍺拋光片放置在離紫外線光源0.5cm處照射30s,即可使鍺拋光片表面接觸角達(dá)到最小。

鍺拋光片清洗

2.2鹽酸溶液清洗工藝分析

傳統(tǒng)的SC2溶液由HCL、H2O:、H2O組成,H2O:的作用是在拋光片表面形成一層自然氧化膜,紫外線/臭氧處理過程中,由于臭氧具有類似于H2O:的氧化電勢(shì),其可在鍺拋光片表面形成潔凈的氧化物薄膜,因此將傳統(tǒng)的sC2溶液中H2O:除去。鹽酸能溶解鍺的氧化物且可與金屬離子反應(yīng),生成可溶性的氯鹽,從而達(dá)到去除鍺拋光片表面金屬離子的作用。這一部分實(shí)驗(yàn)采用不同濃度的鹽酸溶液對(duì)鍺拋光片進(jìn)行處理60s后,進(jìn)行目視檢驗(yàn)及霧值分析。鹽酸:H:O比值如表2所示。

鍺拋光片清洗

經(jīng)過表面顆粒度測(cè)試儀測(cè)試得到鍺拋光片的表面霧值圖,圖1為經(jīng)過不同濃度的鹽酸溶液處理60s的鍺拋光片表面霧值測(cè)試圖,表3為不同濃度的鹽酸溶液對(duì)應(yīng)的霧值測(cè)試平均值。

鍺拋光片清洗

當(dāng)鹽酸與H2O比例大于1:50,如圖1中(a)、(b)、(c)所示,霧值測(cè)試平均值分別為0.0658×10-6、0.0448×10-6、0.0295×10-6,使用GBT/6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法規(guī)定的光源對(duì)鍺片進(jìn)行觀察,鍺片表面均勻、中間有密集的凸起狀缺陷。當(dāng)鹽酸與H2O比例小于1:50時(shí),如圖1中(e)、(D所示,比例為1:100時(shí)霧值平均值為0.0204×10-6,目測(cè)有不均勻的淺霧;比例為1:1000時(shí)霧值平均值為0.0933×10-6擊,目測(cè)有均勻的較重的白霧;HCL:H2O1:50時(shí),HCl對(duì)氧化膜的化學(xué)剝離作用達(dá)到最佳效果,如圖l(d)所示,霧值平均值達(dá)到0.0098×10-6,在強(qiáng)光燈下檢驗(yàn)鍺拋光片表面潔凈且均勻、一致。

3結(jié)論

本文提出了一種紫外線/臭氧氧化鍺拋光片后鹽酸溶液清洗的方法,并通過實(shí)驗(yàn)找到了樣品與紫外光源的最佳距離以及鹽酸l溶液的最佳配比。

(1)鍺拋光片在紫外線/臭氧發(fā)生器內(nèi),利用紫外線/臭氧的氧化作用,放置在距光源0.5cm處反應(yīng)30s即可達(dá)到表面氧化效果。

(2)鹽酸溶液具有溶解鍺氧化薄膜且不與鍺本身發(fā)生反應(yīng)的特性,當(dāng)鹽酸:H2O1:50時(shí),其作用最為明顯,鍺拋光片表面霧值達(dá)到最小,表面質(zhì)量達(dá)到免洗拋光片標(biāo)準(zhǔn)。


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