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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商
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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網(wǎng)，關注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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半導體光刻刻蝕

時間: 2021-03-01
點擊次數(shù): 190

半導體工藝-----光刻刻蝕

一、光刻膠的選擇

光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下

半導體光刻刻蝕

二、光刻工藝步驟

1.清洗硅片

通過化學清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、雜質(zhì)顆粒，減少針孔和其他缺陷從而提供光刻膠粘附性

2.預烘和底膜涂覆

使用HMDS作為底膠，可以去除SiO2表面的-OH基，在100℃下脫水烘焙去除圓片表面的潮氣

3.光刻膠涂覆

硅圓片放置在高速旋轉(zhuǎn)的真空卡盤上，將液態(tài)光刻膠滴在圓片中心，光刻膠以離心力向外擴展從而均勻涂覆在圓片表面。

4.前烘

促進膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使得膠膜干燥，增加與其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙時間不宜過長，溫度不宜過高。

5.對準

為了成功在硅片上形成圖形，必須把硅片上的正確圖形與掩膜版上的圖形對準，套準精度是測量對準系統(tǒng)把版圖套刻到硅片上圖形的能力。

6.?曝光

半導體光刻刻蝕

7.后烘

光刻膠分子發(fā)生熱運動，過曝光和欠曝光的光刻膠分子發(fā)生重分布，通過后烘可以平衡駐波效應（入射光與反射光干涉現(xiàn)象），提供分辨率

8.顯影

通過顯影、漂洗、干燥達到顯影液溶解掉光刻膠中軟化的部分的目的

9.堅膜

溫度通常要高于前烘溫度100-130℃，時間2分鐘。

蒸發(fā)光刻膠中所有有機溶劑、提高刻蝕和注入的抵抗力、提高光刻膠和表面的粘附性、聚合和使得光刻膠更加穩(wěn)定、光刻膠流動填充針孔

10.圖形檢測

通過SEM、OM檢測，若出現(xiàn)問題

如;未對準、掩膜旋轉(zhuǎn)、晶圓旋轉(zhuǎn)、X/Y方向錯位、臨界尺寸、表面不規(guī)則（劃痕、針孔、瑕疵和污染物）需要剝?nèi)ス饪棠z重新開始

半導體光刻刻蝕

三、濕法刻蝕

1.利用化學溶液溶解硅表面的材料，副產(chǎn)物是氣體、液體或可溶于刻蝕溶液的固體

2.工藝簡單，腐蝕選擇性好，鉆蝕嚴重，精度差，3um以上

3.一般用于刻蝕SiO2/Si/Poly-Si/Si3N4/Al2O3/TiO2

四、干法刻蝕

1.各向異性腐蝕強，分辨率高，可刻蝕3um以下線條

2.濺射刻蝕：形成能量很高的等離子體，轟擊被刻蝕的材料，使其被撞原子飛濺出來，形成刻蝕

3.等離子體（ Plasma）刻蝕：產(chǎn)生等離子體，刻蝕氣體經(jīng)輝光放電后成為具有很強化學活性的離子及游離基---等離子體，等離子體活性基團與被刻蝕材料發(fā)生化學反應。

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4.?反應離子刻蝕（RIE）：同時利用等離子體刻蝕和濺射刻蝕機制，活性離子加離子轟擊

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半導體光刻刻蝕
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