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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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全自動光刻版清洗機

時間: 2021-03-03
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光刻是制造半導體器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關鍵工藝,其工藝質(zhì)量直接影響著器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數(shù)指標。光罩是光刻工藝中的一個重要環(huán)節(jié),光刻版必須非常潔凈,所有硅片上的電路元件都來自版圖。如果光刻版不潔凈,存在污染顆粒,這些顆粒就會被復制到硅片表面的光刻膠上,造成器件性能的下降。然而,光刻版在使用過程中不可避免的會粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。

為了保證光刻版潔凈,必須定期對光刻版進行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。

本文對全自動光刻版清洗機進行了介紹,主要包括清洗的工藝原理和清洗的工作過程。

1工藝原理

1.1清洗藥液

1.1.1丙酮溶液

對于光刻膠及其他有機污染物,比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同時,可以采用超聲,提高浸泡效果。對于比較干凈的光刻版,浸泡基本就能將有機污染物去除干凈。對于光刻膠較多的光刻版,浸泡只能將光刻膠泡軟,還需要用無塵布或無塵棉,蘸取丙酮輕輕擦洗,或在光刻版清洗設備中采用毛刷刷洗,通過外力將頑固的光刻膠去除掉。

1.1.2濃硫酸+雙氧水

濃硫酸加雙氧水的混合物,對于所有的有機材料都是有效的。它采用濃硫酸和過氧化氫的混合物,之后是去離子水(DI)沖洗,稱為Piranha刻蝕。這種方法對于特別難去除的光刻膠或由于接觸過高溫等環(huán)境導致已經(jīng)變性的光刻膠非常有效,并且可以得到很高的去膠效率。隨后的清潔即去除圖案化,檢查和修復任何殘留在光刻版表面的光刻膠或顆粒污染物。在最有效的工藝中,強氧化劑清洗之后是氫氧化銨噴霧,以抵消殘留酸(從而形成硫酸銨,一種易去除的鹽);然后用去離子水沖洗以消除硫酸銨。

1.1.3其他藥液

由于用戶的工藝環(huán)境、工藝方法不同,所使用的藥液也不盡相同,很多用戶都根據(jù)自己工藝特點,設計了滿足自身工藝需求的清洗藥液。另外,科研工作者正積極探索新型光刻版清洗藥液。

1.2清洗方式

1.2.1毛刷刷洗

利用毛刷對光刻版進行刷洗,通過機械摩擦,用外力將頑固的光刻膠去除掉,可以達到很好的清洗效果。毛刷材料為PVA或尼龍。毛刷進行刷洗時,卡盤承載光刻版以角速度ω1勻速旋轉(zhuǎn),安裝有毛刷的擺臂下降,使毛刷接觸到光刻版表面,并具有一定壓力,然后擺臂以角速度ω2勻速往復擺動。噴嘴向光刻版表面噴灑丙酮等化學液,使得光刻膠由于溶解而變得松軟。光刻版與毛刷產(chǎn)生相對運動,對光刻版表面起到刷洗作用。毛刷刷洗通常有兩種方式:方式一如圖1所示,利用常規(guī)毛刷對光刻版進行刷洗;方式二如圖2所示,利用滾柱毛刷對光刻版進行刷洗。

全自動光刻版清洗機?

1.2.2高壓沖洗

刷洗完成后,通常采用高壓DI水沖洗光刻版,通過高壓微細水滴的沖擊力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻膠。高壓DI水的壓力可以設定。

1.2.3兆聲清洗

對于較大顆粒的去除,前面所述的有機溶劑去膠方式和氧化劑氧化方式都會緊接著用DI水沖洗或輔助高壓水沖洗,大顆粒已經(jīng)去除干凈。對于較小顆粒[(0.20.5)μm],由于光刻版表面靜流層(Viscousboundarylayer)的存在,普通的DI水沖洗的方式無法將其去除。通常采用在DI水中加兆聲的方式,利用兆聲產(chǎn)生高速水分子流動,清洗微小顆粒。利用兆聲噴頭對光刻版進行清洗的原理如圖3所示。兆聲噴頭噴灑的水柱與光刻版具有一定傾斜角度θ,以達到最佳的清洗效果。在利用兆聲清洗時,卡盤承載光刻版以角速度ω1勻速旋轉(zhuǎn),安裝有兆聲噴頭的擺臂下降,使兆聲噴頭接近到光刻版表面,并具有一定距離,然后擺臂以角速度ω2勻速往復擺動,兆聲噴嘴向光刻版表面噴灑DI水溶液。

全自動光刻版清洗機?

1.3干燥方式

在手工清洗工藝中,一般采用氮氣噴槍將光刻版吹干,這種方式受人為因素影響大,人手接觸光刻版時可能將其再次污染,氮氣噴槍使用不當導致液體飛濺,易在光刻版表面殘留水漬。目前比較成熟的干燥方式是在單片旋轉(zhuǎn)清洗設備上采用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將光刻版甩干,在這個過程中可以采用氮氣噴頭提高干燥速度。若仍需要提高效率,氮氣也可以采用加熱的方式或氮氣噴頭在光刻版表面做掃描運動。

2工作過程

2.1設備結(jié)構(gòu)介紹

包括上下料單元、清洗單元、翻轉(zhuǎn)單元、光刻版?zhèn)鬏攩卧?、定位單元、藥液供給與循環(huán)單元和溫度控制單元等幾個模塊??梢詥纹謩庸ぷ髂J降倪\行,也可以自動批量處理。

2.1.1上下料單元

包括片盒A和片盒B,用于承載待清洗和已經(jīng)清洗的光刻版。光刻版?zhèn)鬏攩卧獜纳舷铝蠁卧ト〈逑吹墓饪贪?,放入清洗單元進行清洗處理,處理結(jié)束后,放回上下料單元。片盒A和片盒B的具體作用可以通過軟件進行任意設定。

2.1.2清洗單元

是一個封閉的腔室,腔室內(nèi)具有如下結(jié)構(gòu):承載光刻版旋轉(zhuǎn)的卡盤;安裝有藥液噴嘴、毛刷、兆聲噴頭、高壓DI水噴嘴、常壓DI水噴嘴、氮氣噴管,并且可以往復擺動的多個擺臂;防濺腔;自動門等。在全自動光刻版清洗機中可以設計多個清洗腔室,以提高清洗效率。

2.1.3翻轉(zhuǎn)單元

是一個翻轉(zhuǎn)機構(gòu),對光刻版進行翻轉(zhuǎn)。用戶往往需要對光刻版的正反兩面進行清洗。在清洗光刻版的正面后,光刻版?zhèn)鬏攩卧獙⒐饪贪嬷糜诜D(zhuǎn)單元內(nèi),光刻版翻轉(zhuǎn)后,傳輸單元將背面朝上的光刻版置于清洗腔內(nèi),對光刻版背面進行刷洗,達到光刻版正反兩面清洗的效果。

2.1.4光刻版?zhèn)鬏攩卧?/span>

是一個折臂抓取機械手,用于傳輸光刻版,抓取部分為氣缸夾持。同時,具有掃描識別光刻版位置的功能。

2.1.5定位單元

用于光刻版位置的校正。

2.1.6藥液供給與循環(huán)單元

將丙酮、濃硫酸等清洗液從供液罐或是儲液槽輸送到清洗單元的噴嘴。同時,具有藥液循環(huán)過濾、回收利用等功能。

2.1.7溫度控制單元

用于藥液的溫度控制,將藥液控制在合理的工藝溫度范圍內(nèi)。

全自動光刻版清洗機設備外形和工作臺面布局如圖4所示。

全自動光刻版清洗機?

2.2工作過程

下面以丙酮和IPA溶液作為清洗溶液,介紹全自動光刻版清洗機對光刻版進行清洗的過程。

其工作過程為:將待清洗的光刻版置于上下料單元,對設備進行初始化,確認系統(tǒng)狀態(tài)正常。編輯工藝文件,設定工藝參數(shù)。啟動自動工藝處理程序。機械手對片盒A、片盒B進行掃描,控制器記錄光刻版的位置;機械手從片盒A取片,置于定位機構(gòu);定位機構(gòu)對光刻版位置進行校正后,機械手從定位機構(gòu)抓取光刻版,置于1號腔內(nèi)的卡盤上。全自動光刻版清洗機根據(jù)設定好的工藝文件,開始執(zhí)行清洗工藝。

工藝步驟1首先進行40s的丙酮刷洗工藝,啟動擺臂11,對光刻版噴灑丙酮2s,同時進行毛刷刷洗。為了節(jié)省丙酮溶液的用量,在噴灑丙酮溶液2s后,停止噴灑2s;然后再重新噴灑丙酮2s,再停止噴灑2s,……;直到40s刷洗工藝時間結(jié)束。丙酮噴灑和停止噴灑的時間間隔可以根據(jù)用戶的工藝需求,任意設定。

工藝步驟2當?shù)?/span>1步丙酮刷洗結(jié)束后,進行15sIPA清洗。IPA溶液也可以通過程序設定,進行間隔噴灑。

工藝步驟330sDI水清洗。

工藝步驟445s的氮氣吹干,進行干燥。

用戶還可以根據(jù)實際的工藝需求,增加高壓DI水沖洗、兆聲清洗等工藝步驟,改善光刻版的清洗效果。

上述清洗工藝結(jié)束后,承載光刻版的卡盤停止旋轉(zhuǎn),機械手從卡盤抓取光刻版,置于翻轉(zhuǎn)機構(gòu)中。光刻版翻轉(zhuǎn)后,機械手將背面朝上的光刻版取走,置于2號腔中,進行背面的清洗工藝。機械手將第2片光刻版置于1號腔中,同時處理第2片光刻版正面的清洗。第1片光刻版背面清洗結(jié)束后,機械手將其置于片盒B中,第1片光刻版清洗結(jié)束。按照上述工藝處理順序,每片光刻版依次進行正反兩面清洗,直至所有光刻版清洗結(jié)束??梢酝ㄟ^修改程序參數(shù),任意設定光刻版的清洗順序。

5是光刻版清洗前后的對比照片,沾有光刻膠的光刻版經(jīng)過全自動光刻版清洗機的清洗后,光刻膠被去除,光刻版潔凈,滿足光刻工藝要求。大量工藝試驗證明,全自動光刻版清洗機工作效率高、節(jié)省藥液、工藝一致性好。

全自動光刻版清洗機全自動光刻版清洗機?

3結(jié)束語

介紹了常用的光刻版清洗工藝,并詳細講解了全自動光刻版清洗機的工作過程。該設備自用戶投入使用以來,大量的產(chǎn)品證明,采用全自動光刻版清洗機對光刻版進行清洗,光刻版潔凈度高,工藝效果理想,工藝參數(shù)穩(wěn)定,自動化程度高,批量處理能力強,可以廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)之中。


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