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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關(guān)鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關(guān)清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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真空鍍膜設備

時間: 2021-04-08
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真空鍍膜腔室,包括腔室門和對基板進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔

真空制程腔設于腔室門內(nèi);大氣傳輸腔室包括至少一個對鍍膜后的基板進行散熱的大氣腔;以及移動裝置,將基板移動至真空鍍膜腔室或者大氣傳輸腔室的輸

入端;其中大氣傳輸腔室的數(shù)量少于真空鍍膜腔室的數(shù)量。每個大氣傳輸腔室對應設有至少兩個真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室包括多個間隔設置的真空環(huán)境不同的真空制程腔和/或大氣傳輸腔室包括多個間隔設置的大氣環(huán)境不同的大氣腔。真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室包括腔室門和真空閥,腔室門設于真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室的端部真空閥連通真空制程腔和/或大氣腔的內(nèi)部和真空泵。真空鍍膜腔室可切換為大氣傳輸腔室/,大氣傳輸腔室可切換為真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室內(nèi)均設有傳輸機構(gòu),傳輸機構(gòu)包括設于腔室內(nèi)的磁性導軌以及傳送輥;移動裝置設于真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的同側(cè)端部;真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的兩側(cè)端部分別設置有移動裝置;

移動裝置的傳輸方向垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向;

還包括基板架基板固定設于所述基板架上基板架與所述磁性導軌磁性連接;所述基板架上設有與所述傳送輥連接的傳動軸。移動裝置包括移動組件和與其連接的固定組件固定組件固定所述基板架移動組件驅(qū)動所述固定組件移動。固定組件包括機架和設于其上的固定輥固定輥上設有允許所述傳動軸卡入的凹槽;所述移動組件包括帶輪傳動件機架與所述帶輪傳動件的傳動帶連接。固定組件還包括與所述固定輥對應設置的鎖緊氣缸鎖緊氣缸固設于所述機架上鎖緊氣缸推動所述基板架以將所述傳動軸固定鎖緊在所述凹槽中。

1.提供的真空鍍膜設備,其包括:真空鍍膜腔室,包括腔室門和對所述基板

進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔真空制程腔設于所述腔室門內(nèi);大氣傳輸腔室,包括至少一個對鍍膜后的所述基板進行散熱的大氣腔;以及移動裝置,將所述基板移動至所述真空鍍膜腔室或者所述大氣傳輸腔室的輸入端;其中所述大氣傳輸腔室的數(shù)量少于所述真空鍍膜腔室的數(shù)量。通過設置鍍膜真空室的數(shù)量大于大氣傳輸腔室的數(shù)量使得同一大氣傳輸腔室可輸入不同真空鍍膜腔室內(nèi)的基板由此提高了大氣傳輸腔室的利用率,從而提高了鍍膜設備的生產(chǎn)效率。

2.提供的真空鍍膜設備真空鍍膜腔室可切換為所述大氣傳輸腔室,/或大氣傳輸腔室可切換為真空鍍膜腔室。通過設置各個腔室的環(huán)境可切換,可使其滿足不同的生產(chǎn)需求,根據(jù)相應的需求制定各個腔室的環(huán)境,可根據(jù)真空鍍膜腔室與大氣傳輸腔室的傳輸速度比選擇設定真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的數(shù)量,由此進一步提高了該鍍膜設備的適用性和生產(chǎn)效率。

3.提供的真空鍍膜設備,移動裝置包括移動組件和與其連接的固定組件固定組件固定基板架,移動組件驅(qū)動固定組件移動;固定組件包括機架和設于其上的固定輥,固定輥上設有允許傳動軸卡入的凹槽;移動組件包括帶輪傳動件,機架與帶輪傳動件的傳動帶固定連接;固定組件還包括與固定輥對應設置的鎖緊氣缸鎖緊氣缸固設于機架上,鎖緊氣缸推動基板架向固定輥移動以將傳動軸固定鎖緊在凹槽中。通過設置凹槽和鎖緊氣缸將基板架固定鎖緊于移動組件上,并通過移動組件的移動實現(xiàn)基板架在各個腔室之間的移動,由此提高了設備的自動化,減少人工搬運,提高生產(chǎn)效率。

真空鍍膜設備?

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真空鍍膜設備?

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真空鍍膜設備?

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真空鍍膜設備?

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1為本發(fā)明的真空鍍膜設備的結(jié)構(gòu)示意圖;

2為圖1所示的移動裝置的側(cè)視圖;

3為本發(fā)明基板架的結(jié)構(gòu)示意圖;

4為本發(fā)明的真空鍍膜腔室的結(jié)構(gòu)示意圖;

5為本發(fā)明的大氣傳輸腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標記說明:

1-大氣腔;11-真空鍍膜腔室;12-大氣傳輸腔室;2-基板;3-移動裝置;4-腔室間隔件;5-真空制程腔;6-基板架;61-傳動軸;7-傳送輥;8-磁性導軌;9-固定輥;91-凹槽;92-框型機架;10-移動組件。

如圖1所示,其包括真空鍍膜腔室11、大氣傳輸腔室12和移動裝置3,其中真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12并行設置并行設置指并列平行設置,在真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12的兩端分別設有移動裝置3,移動裝置3用于將基板2移動至真空鍍膜腔室11的輸入端或者大氣傳輸腔室12的輸入端實現(xiàn)基板2的上下料或者在真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12之間的轉(zhuǎn)移。

真空鍍膜腔室11的設置數(shù)量大于大氣傳輸腔室12的設置數(shù)量;不同真空鍍膜腔室11的基板2依次輸出至大氣傳輸腔室12,并經(jīng)由大氣傳輸腔室12對外輸出。其中參見附圖1的真空鍍膜設備設有一個大氣傳輸腔室12和與其對應設置的四個真空鍍膜腔室11,四個真空鍍膜腔室11內(nèi)的基板2經(jīng)過各真空鍍膜腔室11進行鍍膜處理后依次進入同一個大氣傳輸腔室12由此提高了大氣傳輸腔室的利用率,同時提高了單位時間內(nèi)的產(chǎn)量。其中大氣傳輸腔室12不限于只設有一個,其也可設置為多個,每個大氣傳輸腔室12分別對應設有至少兩個真空鍍膜腔室11

其中真空鍍膜腔室11包括多個間隔設置的真空環(huán)境不同的真空制程腔5/或大氣傳輸腔室12包括多個間隔設置的大氣環(huán)境不同的大氣腔1。當然,也可設置多個真空制程腔5內(nèi)的真空環(huán)境均相同用于對單個或同時對多個基板進行同時鍍膜處理;當然,也可設置多個大氣腔1的大氣環(huán)境均相同用于對單個或者同時對多個基板進行散熱處理。

如圖4所示,真空鍍膜腔室11包括腔室門和對基板2進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔5,真空制程腔5設于腔室門內(nèi)的真空鍍膜腔室11內(nèi)設置有至少一個腔室間隔件4用于將其分隔成多個真空制程腔5。當然也可不設置腔室間隔件此時真空鍍膜腔室11只包含一個真空制程腔5。

其中各個真空真空制程腔5內(nèi)的真空環(huán)境可通過設于其內(nèi)設置的溫度調(diào)裝置、濕度調(diào)節(jié)裝置以及真空調(diào)節(jié)裝置進行相應的溫度、濕度和真空度的調(diào)節(jié)其中的每個真空鍍膜腔室11均分別至少包括兩個真空環(huán)境不同的低真空制程腔和高真空制程腔。其中各個真空鍍膜腔室11內(nèi)的真空環(huán)境可以設置為相同,其中相同是指每個真空鍍膜腔室11的真空制程腔5的設置數(shù)量和真空環(huán)境均設置為相同;例如用于對同一種產(chǎn)品進行鍍膜處理時,可將各個真空鍍膜腔室11內(nèi)的真空環(huán)境調(diào)節(jié)為相同。當然,當需要對不同產(chǎn)品同時進行鍍膜處理時,也可設置部分或者全部真空鍍膜腔室11的真空環(huán)境不同,其中不同指各個真空鍍膜腔室11之間的真空制程腔的數(shù)量和/或環(huán)境可以設置為不同。如圖5所示大氣傳輸腔室12包括腔室門和對基板2進行散熱處理的至少一個大氣腔1,大氣腔1設于腔室門內(nèi),的大氣傳輸腔室12內(nèi)設置有至少一個腔室間隔件4用于將其分隔成多個大氣腔1。當然也可不設置腔室間隔件,此時大氣傳輸腔室12只包含一個大氣腔1。其中各個大氣腔1內(nèi)的大氣環(huán)境可通過設于其內(nèi)設置的溫度調(diào)裝置和濕度調(diào)節(jié)裝置進行相應的溫度和濕度的調(diào)節(jié)。

其中的真空鍍膜腔室11設有真空閥,腔室門設于真空鍍膜腔室11的兩個端部,真空閥連通各真空制程腔5和真空泵。其中通過真空泵對各真空制程腔5抽真空,當然各真空制程腔5內(nèi)還設有對其內(nèi)的真空度進行檢測的真空表。

大氣傳輸腔室12也可設有真空閥,腔室門設于腔室的端部,真空閥連通各大氣腔1和真空泵,此時,各大氣腔1內(nèi)也可設有對其內(nèi)的真空度進行檢測的真空表。由此可使得每個大氣腔1均可實現(xiàn)其內(nèi)部真空環(huán)境的調(diào)節(jié),即可通過調(diào)節(jié)其內(nèi)部環(huán)境使該大氣傳輸腔室12切換成真空鍍膜腔室11,由此,當需要更多數(shù)量的真空鍍膜腔室時將其切換成真空鍍膜腔室以滿足不同的生產(chǎn)需求。也可對真空鍍膜腔室11內(nèi)的各個真空制程腔5的環(huán)境進行調(diào)節(jié),使該真空鍍膜腔室11切換成大氣傳輸腔室12,由此當需要更多數(shù)量的大氣傳輸腔室時,可將其切換成大氣傳輸腔室滿足不同的生產(chǎn)需求。真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12內(nèi)分別設有傳輸機構(gòu),基板2固定設于基板架6,其中基板架6與傳輸機構(gòu)傳動連接。如圖1所示,的移動裝置3的傳輸方向垂直于傳輸機構(gòu)的傳輸方向。

其中如圖23所示的基板2采用豎直傳輸?shù)姆绞?/span>,因此固定基板2的基板架6也同樣豎直設置,因此,傳輸機構(gòu)包括設于真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12底部的傳送輥7和設于真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12上部的磁性導軌8,基板架6與磁性導軌8磁性連接。傳送輥7由驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動旋轉(zhuǎn),基板架6底部設有傳動軸61,傳動軸61與傳送輥7傳動連接;通過傳送輥7旋轉(zhuǎn)帶動其上的傳動軸61水平移動磁性導軌8引導并限定

了基板架6的水平移動。

如圖1所示的移動裝置設有兩個,分別設于真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12兩端,分別為過渡移動裝置和上下料移動裝置其中移動裝置的移動方向垂直于真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12的傳輸方向布置;上下料移動裝置設于真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12的左側(cè),過渡移動裝置設于真空鍍膜腔室11和大氣傳輸腔室12的右側(cè);因此與之對應的的各真空鍍膜腔室11的左側(cè)為輸入端右側(cè)為輸出端大氣傳輸腔室的右側(cè)為輸入端左側(cè)為輸出端。

其中位于圖1左側(cè)的上下料移動裝置3用于將換料處的未處理基板2運輸至真空鍍膜腔室11左側(cè)的輸入端,同時將大氣傳輸腔室12內(nèi)處理完成的基板2由大氣傳輸腔室12左側(cè)的輸出端運輸至換料處進行基板2的更換;位于圖1右側(cè)的過渡移動裝置3用于將經(jīng)過真空鍍膜腔室11鍍膜處理完成的基板2由真空鍍膜腔室11右側(cè)的輸出端運輸移動至大氣傳輸腔室12右側(cè)的輸入端。當然作為可以變換的實施方式,也可僅在圖1中右側(cè)設置有移動裝置3,用于將基板2自真空鍍膜腔室11的輸出端運輸至大氣傳輸腔室12的輸入端。

各移動裝置均包括移動組件10和與其連接的固定組件,其中移動組件10包括電機以及傳動帶傳動帶由電機驅(qū)動運動。固定組件固定基板架6,移動組件驅(qū)動固定組件移動。其中固定組件包括框型機架92、固定輥9和鎖緊氣缸,固定輥9上設有允許傳動軸61卡入的凹槽91其中固定輥9的軸線垂直于基板架6設置,凹槽91沿平行于基板架6方向延伸設于固定輥9的外周面。框型機架92的底板與傳動帶固定連接,框型機架92底板上設有一排并列設置的固定輥9,通過框型機架92的頂部設置有鎖緊氣缸(和可與真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12中的磁性導軌對接的輔助磁性導軌,鎖緊氣缸與凹槽91對應設置,當基板架61從真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12滑入凹槽91的上方后由鎖緊氣缸向下運動將基板架61鎖緊于凹槽91內(nèi)。

移動裝置3上還設有驅(qū)動基板架6沿垂直于傳動帶移動方向運動的推動件(推動件設于基板架6上遠離真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12的一側(cè),用于將其上的基板架6推動進入真空鍍膜腔室11或者大氣傳輸腔室12中。其中推動件可為例如推動氣缸或者推動液壓缸。

還包括控制裝置,其與真空泵、真空閥、傳輸輥7的驅(qū)動機構(gòu)、傳動帶的驅(qū)動電機、推動件、鎖緊氣缸等電連接,用于控制上述機構(gòu)的運動。其中控制裝置可為PLC控制器。

本發(fā)明的工作過程為:

在左側(cè)人工上下料處通過人工將未處理基板2安裝于基板架6并通過鎖緊氣缸將基板架6的傳動軸61卡設于上下料移動裝置上的固定輥9中;上下料移動裝置的傳動帶運動將基板架6傳輸?shù)较鄳恼婵斟兡で皇?/span>11的輸入端鎖緊氣缸打開,推動件將基板架6推動進入真空鍍膜腔室11通過真空鍍膜腔室11內(nèi)的傳送輥7帶動基板架6向輸出端運動;基板架6由真空鍍膜腔室11的輸出端輸出至過渡移動裝置上,并通過頂部鎖緊氣缸將基板架6鎖緊于過渡移動裝置的固定輥9中;過渡移動裝置的傳動帶運動將基板架6傳輸?shù)较鄳拇髿鈧鬏斍皇?/span>12的輸入端,鎖緊氣缸打開,推動件將基板架6推動進入大氣傳輸腔室12,通過大氣傳輸腔室12的傳送輥7帶動基板架6向輸出端運動;基板架6運動至大氣傳輸腔室12的輸出端重新回到上下料移動裝置上,并由上下料移動裝置將其傳輸至人工上下料處進行卸料

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