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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)

時(shí)間: 2021-04-12
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一、?紫外光表面清洗和改質(zhì)的工作原理

低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后,與有機(jī)污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能,從而提高物體表面的浸潤(rùn)性和粘合強(qiáng)度,或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)不同需要,既可以對(duì)物體進(jìn)行紫外光表面清洗,也可以進(jìn)行紫外光表面改質(zhì)(或叫表面改善),紫外光表面清洗和改質(zhì)的機(jī)理有相同點(diǎn),但也有區(qū)別。

1.1紫外光清洗工作原理

VUV低壓紫外汞燈能同時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)254nm和185nm的紫外光,這兩種波長(zhǎng)的光子能量可以直接打開和切斷有機(jī)物分子中的共價(jià)鍵,使有機(jī)物分子活化,分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等。與此同時(shí),185nm波長(zhǎng)紫外光的光能量能將空氣中的氧氣(O2)分解成臭氧(O3):254nm波長(zhǎng)的紫外光的光能量能將O3分解成O2和活性氧(O),這個(gè)光敏氧化反應(yīng)過程是連續(xù)進(jìn)行的,在這兩種短波紫外光的照射下,臭氧會(huì)不斷的生成和分解,活性氧原子就會(huì)不斷的生成,而且越來越多,由于活性氧原子(O)有強(qiáng)烈的氧化作用,與活化了的有機(jī)物(即碳?xì)浠衔铮┓肿影l(fā)生氧化反應(yīng),生成揮發(fā)性氣體(如CO2,CO,H2O,NO等)逸出物體表面,從而徹底清除了粘附在物體表面上的有機(jī)污染物。

紫外光表面清洗原理表達(dá)式:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

1.2紫外光改質(zhì)工作原理

低壓紫外汞燈發(fā)射的185nm和254nm波長(zhǎng)的紫外光除有清洗去除物體表面的有機(jī)污染物的功能外,而且還能夠進(jìn)行表面改質(zhì)。其基本原理為:光子能量把物體的表層分子鍵打開的同時(shí)拉出H原子和C原子,與空氣中的氧氣分解出來的活性氧(O)生成極性很強(qiáng)的原子團(tuán)(OH,CHO,COOH)即羥基等活性基,同時(shí)材料表面有機(jī)污染物的清洗效果顯著,活化的基體表面具有良好的粘合力和鍵合特性,這些羥基和涂料、粘合劑、電鍍材料相結(jié)合,形成新的化學(xué)鍵,從而使材料表面得到通常情況下得不到的很強(qiáng)的粘結(jié)強(qiáng)度,或者使材料得到穩(wěn)定的表面性能。

紫外光表面改質(zhì)原理表達(dá)式:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

二、紫外光表面清洗和改質(zhì)技術(shù)的先進(jìn)性

2.1光清洗技術(shù)是隨著當(dāng)代光電子信息技術(shù)發(fā)展起來的,光電子產(chǎn)品的高性能、微型化要求表面潔凈度越來越高,常規(guī)的清洗方法(如水洗、化學(xué)溶液洗、超聲波清等)已不能滿足要求,UV光清洗能夠達(dá)到常規(guī)的清洗方法難以達(dá)到的高清潔度,而且不存在三廢處理問題,有利于環(huán)境保護(hù)。

2.2光清洗是在常溫、常壓的環(huán)境中進(jìn)行的,是一種非接觸式的干法清洗技術(shù)。光清洗時(shí)被清洗的表面除了光子,不與任何物體發(fā)生接觸,因?yàn)橛袡C(jī)物經(jīng)過紫外光照射發(fā)生光敏氧化反應(yīng)后,生成可揮發(fā)性氣體(CO2、CO、H2O等)從表面消散,隨著排風(fēng)系統(tǒng)抽走,不可能重返被清洗的表面,不會(huì)像溶液清洗時(shí)發(fā)生二次污染。

2.3一般情況下,光清洗的表面不會(huì)受到損傷,由于光子的能量相對(duì)比氬等離子體濺射或惰性氣體離子轟擊的能量小,光清洗后的表面不會(huì)受到損傷或發(fā)生晶體缺陷的現(xiàn)象。

2.4光清洗對(duì)物體表面微細(xì)部位(如孔穴、微細(xì)溝槽等)具有有效而徹底的清洗效

果。由于紫外光是納米短波紫外線,能夠射入材料表面的極為細(xì)微的部位,發(fā)生光敏

氧化反應(yīng),充分表現(xiàn)出光清洗的徹底性。

2.5世界上先進(jìn)工業(yè)化國(guó)家已經(jīng)開始將光清洗技術(shù)由光電產(chǎn)品向金屬、光學(xué)、塑料、橡膠等相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)過程發(fā)展,光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣闊,具有很強(qiáng)的

技術(shù)生命力。

二、?光清洗效果實(shí)例

曾用自行研制的系列UV光表面清洗機(jī)(GQX-LX型、GQX-WF型等)對(duì)白玻璃、ITO玻璃、半導(dǎo)體材料、光學(xué)玻璃、鉻板玻璃、膜塊、液晶屏斑馬線以及殘余的光刻膠和聚酰亞胺等多種材料進(jìn)行了光清洗試驗(yàn),均取得了滿意效果。經(jīng)過光清洗后的物體表面清潔度更高,浸潤(rùn)性更好,粘合力更強(qiáng),可使臟點(diǎn)、黑點(diǎn)、白點(diǎn)、針孔、起皮等影響涂敷的質(zhì)量問題大大減少,膜層更加牢固。

3.1對(duì)ITO玻璃用GQX—LX光清洗機(jī)進(jìn)行光清洗前后對(duì)比試驗(yàn),檢測(cè)情況如下:

3.1.1采用掃描俄歇微探針儀對(duì)LCD用ITO玻璃樣片進(jìn)行光清洗試驗(yàn)的檢測(cè)結(jié)果

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

a光清洗前

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

b光清洗后

1ITO玻璃樣片光清洗前后的俄歇能譜分析曲線對(duì)比圖

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對(duì)相同的二片ITO玻璃基片,同時(shí)進(jìn)行嚴(yán)格的化學(xué)溶液清洗,再把其中一片置于光清洗工作室內(nèi)進(jìn)行光清洗,然后把二片基片同時(shí)送入掃描俄歇微探針儀中進(jìn)行分析。圖1為ITO玻璃基片光清前后的俄歇能譜分析曲線的對(duì)比圖??v坐標(biāo)為元素能譜能量,橫坐標(biāo)為元素能譜位置,C元素能譜位置為271.5,從能譜圖上可知:圖1a未經(jīng)光清洗的ITO玻璃片的俄歇能譜曲線,我們可以看出對(duì)應(yīng)271.5能譜位置上能譜曲線有明顯的碳峰,而碳峰是表征碳?xì)浠衔铮ㄓ袡C(jī)污染物)存在與否的標(biāo)示;圖1b是經(jīng)光清洗后ITO玻璃的俄歇能譜曲線,此曲線上的碳峰消失了,這表明經(jīng)過光清洗后,ITO玻璃基片表面上的有機(jī)污染物已經(jīng)清除,達(dá)到了原子清潔度。

3.1.2與上述同一試驗(yàn),采用接觸角測(cè)試儀對(duì)ITO玻璃樣片進(jìn)行光清洗試驗(yàn)的檢測(cè)結(jié)果

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

2ITO玻璃樣片光清洗前后的接觸角測(cè)試對(duì)比圖

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本次接觸角測(cè)試是在普通工作間進(jìn)行的,光清洗后的ITO玻璃在空氣中會(huì)受到二次污染。接觸角測(cè)試法是一種半定量檢測(cè)方法。從圖2可以看出光清洗后接觸角下降了24.23度,表明ITO玻璃表面的潔凈度大大提高了。

3.2對(duì)OLED用ITO玻璃光清洗前后進(jìn)行檢測(cè)結(jié)果我們用GQX-WF02UV光清洗機(jī)在北京某公司OLED生產(chǎn)線,采用經(jīng)過化學(xué)清洗后的ITO玻璃進(jìn)行了光清洗前后對(duì)比試驗(yàn),并送清華大學(xué)分析中心檢測(cè),其俄歇能譜曲線如下:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

由圖3可知,經(jīng)過嚴(yán)格的化學(xué)清洗后,樣品表面依然存在碳峰,再經(jīng)過光清洗后,碳峰被徹底清除。GQX-WF02光清洗機(jī)一年后的反饋報(bào)告中指出:「ITO玻璃在涂膜前經(jīng)過光清洗能夠提高表面的潔凈度,增加表面潤(rùn)濕性和粘接強(qiáng)度,對(duì)提高OLED產(chǎn)品質(zhì)量是有益的?!?/span>

3.3對(duì)半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)光清洗效果檢測(cè)結(jié)果我們采用由北京某公司提供的GaAs晶片,對(duì)經(jīng)過化學(xué)清洗后的GaAs晶片進(jìn)行光清洗,其對(duì)比如下:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機(jī)?

4半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)光清洗前后俄歇能譜曲線對(duì)比

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由圖4可知,砷化鎵樣品化學(xué)清洗后表面碳峰較大,再經(jīng)過光清洗后,碳峰徹底去除。

3.4對(duì)電子膜塊進(jìn)行光清洗結(jié)果:2007年6月上海某航天研究所在使用GQX-WF03光清洗機(jī)對(duì)電子膜塊加工工藝后出具的使用反饋報(bào)告指出:關(guān)于光清洗效果的檢測(cè)方法較多,例如:水滴檢查法、水膜檢查法、水蒸氣檢查法、接觸角檢測(cè)法、掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測(cè)方法去檢查其清潔度。其中掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測(cè)方法是定量檢測(cè),精度最高。

四、光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍

光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣泛,目前在現(xiàn)代信息技術(shù)行業(yè)中使用光清洗技術(shù)比較普遍,隨著我國(guó)工業(yè)現(xiàn)代化的發(fā)展,光清洗和光改質(zhì)技術(shù)還將逐步應(yīng)用于金屬、塑料、橡膠等工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域。

4.1在LCD、OLED生產(chǎn)中,在涂光刻膠、PI膠、定向膜、鉻膜、色膜前經(jīng)過光清洗,可以極大的提高基體表面潤(rùn)濕性,增強(qiáng)基體表面的粘合力;

4.2印制電路板生產(chǎn)中,對(duì)銅底板,印刷底板進(jìn)行光清洗和改質(zhì),在導(dǎo)線焊接前進(jìn)行光清洗,可以提高熔焊的接觸面積,大大增加連接強(qiáng)度。特別是高精度印制電路板,當(dāng)線距達(dá)到亞微米級(jí)時(shí),光清洗可輕易地去除在線距之間很小的微粒,可以大大提高印制電路板的質(zhì)量。

4.3大規(guī)模集成電路的密度越來越高,晶格的微細(xì)化越來越密,要求表面的潔凈度越來越高,光清洗可以有效地實(shí)現(xiàn)表面的原子清潔度,而且對(duì)芯片表面不會(huì)造成損傷。

4.4在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,硅晶片涂保護(hù)膜、鋁蒸發(fā)膜前進(jìn)行光清洗,可以提高粘合力,防止針孔、裂縫的發(fā)生。

4.5在光盤的生產(chǎn)中,沉積各種膜前作光清洗準(zhǔn)備,可以提高光盤的質(zhì)量。

4.6磁頭固定面的粘合,磁頭涂敷,以及提高金屬絲的連接強(qiáng)度,光清洗后效果更好。

4.7石英晶體振蕩器生產(chǎn)中,除去晶體檢測(cè)后涂層上的墨跡,晶體在銀蒸發(fā)沉積前,進(jìn)行光清洗可以提高鍍膜質(zhì)量和產(chǎn)品性能。

4.8在IC卡表面插裝ROM前,經(jīng)過光清洗可提高產(chǎn)品質(zhì)量。

4.9彩色濾光片生產(chǎn)中,光清洗后能徹底洗凈表面的有機(jī)污染物。

4.10敷銅箔層壓板生產(chǎn)中,經(jīng)過光照改質(zhì),不僅表面潔凈而且表面形成十分均勻的保護(hù)氧化層,產(chǎn)品質(zhì)量顯著提高。

4.11光學(xué)玻璃經(jīng)過紫外光清洗后,鍍膜質(zhì)量更好。

4.12樹脂透鏡光照后,能加強(qiáng)與防反射板的粘貼性。

4.13對(duì)清除石蠟、松香、油脂、人體體油、殘余的光刻膠、環(huán)氧樹脂、焊劑,以及帶有氧化膜的金屬表面處理,去除導(dǎo)電聚酰亞胺粘合劑上的有機(jī)污染物,光清洗是十分有效的方法。

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