???1、導電類型conductivity?type

?? 2、n-型半導體??n-type?semiconductor
???????多數(shù)載流子為電子的半導體。

???3、p-型半導體??p-type?semiconductor
???????多數(shù)載流子為空穴的半導體。

???4、載流子??carrier
???????固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如，半導體中導電空穴和導電電子。

???5、少數(shù)載流子minority?carrier
???????小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導體中的電子。

?? 6、雜質(zhì)濃度impurity?concentration
???????單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)目。

???7、電阻率（體）resistivity(bulk)
???????單位體積的材料對于兩平行面垂直通過的電流的阻力。一般來說，體電阻率為材料中平行電流的電場強度與電流密度之比。符號為ρ，單位為Ω﹡cm?。

???8、電阻率允許偏差?allowable?resistivity?tolerance
???????硅片中心或硅錠斷面中心的電阻率與標稱電阻率的最大允許差值，它可以用標稱值的百分數(shù)來表示。

???9、四探針?four?point?probe
???????測量材料表面層電阻率的一種探針裝置。排列成一直線、間距相等的四根金屬探針垂直壓在樣品表面上，使電流從兩外探針之間通過，測量兩內(nèi)探針的電位差。?

???10、壽命?lifetime
???????晶體中非平衡載流子由產(chǎn)生到復合存在的平均時間間隔，它等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到其始值的1/e(e=2.718)所需的時間。又稱少數(shù)載流子壽命，體壽命。壽命符號τ，單位為μs?。

???11、晶體?crystal
???????在三維空間中由原子、離子、分子或這些粒子集團按同一規(guī)律作周期性排列所構成的固體。

???12、孿晶?twinned?crystal
???????在晶體中晶體是兩部分，彼此成鏡象對稱的晶體結構。連接兩部分的界面稱為孿晶或孿晶邊界。在金剛石結構中，例如硅，孿晶面為（111）面。

???13、單晶?single?crystal
???????不含大角晶界或孿晶界的晶體。

???14、位錯?dislocation
???????晶體中由于原子錯配引起的具有伯格斯矢量的一種缺陷。

???15、位錯密度dislocation?density
???????單位體積內(nèi)位錯線的總長度（cm/?cm?3）。通常以晶體莫晶面單位面積上位錯蝕坑的數(shù)目來表示。cm?2。

???16、無位錯單晶?zero?D?Single?crystal
???????位錯密度小于500?cm?2的單晶。

???17、直拉法?vertical?pulling?method?(Czochralski?growth)?CZ
???????沿著垂直方向從熔體中拉制單晶體的方法。又稱切克勞斯基法。

???18、切割?cutting
???????把半導體單晶錠切成具有一定晶向和一定厚度的工藝。

?? 19、腐蝕?etching
???????用腐蝕液去除表面玷污、機械加工損傷，控制晶片厚度以及顯示晶片表面缺陷形狀和分布的工藝。

???20、晶片?slice
???????從晶錠切割下片狀的晶塊。

???21、直徑?diameter
???????橫穿圓片表面，通過晶片中心點且不與參考面或圓周上其他基準區(qū)相交的直線長度。