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濕法制程整體解決方案提供商

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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿(mǎn)足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專(zhuān)有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶(hù)要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線(xiàn)電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線(xiàn)擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿(mǎn)足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線(xiàn)上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶(hù)驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶(hù)需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶(hù)可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱(chēng)CSE-單片清洗機(jī)類(lèi)  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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太陽(yáng)能電池片潔凈度檢測(cè)測(cè)量三

時(shí)間: 2016-03-23
點(diǎn)擊次數(shù): 179

?Cost Impact Of Cleanliness Levels?清潔水平的成本對(duì)比
? Cleaning cost - directly proportional to level of cleanliness
??????????清潔成本-與清潔度水平直接成正比
? Non-conformance level - indirectly Proportional to level of cleanliness
???????????????? ??不符水平-與清潔度水平間接成比例
? Total cost = cost of cleaning + cost Of non-conformance
?????????? ????????總成本=清潔成本+不符水平?
?
Selection Criteria - Cleanliness Measuring Methods
選擇標(biāo)準(zhǔn)-潔凈度檢測(cè)方法
??????????Types of contaminant污染類(lèi)型
??????????Types of substrate基板類(lèi)型
??????????Level of cleanliness潔凈水平
??????????Measurement speed測(cè)量速度
??????????Acquisition & operating cost?獲得和運(yùn)行成本
??????????Skill level required技術(shù)水平要求
? Features of the measurement method
??????????測(cè)量方法特性
??????????Non-contact, non-destructive無(wú)接觸,無(wú)損傷
??????????Direct or indirect?直接或間接
?
Suggested Approaches: Defining Acceptable Cleanliness Level
推薦的方法:定義合適的潔凈等級(jí)
??????????Baseline testing基線(xiàn)測(cè)試
?
??????????Controlled experiment?控制實(shí)驗(yàn)
?
Baseline Testing基線(xiàn)檢測(cè)
??????????Measure cleanliness level of the current process當(dāng)前工藝潔凈等級(jí)測(cè)量
??????????Measure non-conformance rate attributed to surface cleanliness表面潔凈度屬性不符率測(cè)量
??????????If this measured rate is too high, then improve surface cleanliness process如果測(cè)量出的這種比率過(guò)高,那么改善表面清潔工藝
??????????If this measured rate is acceptable, then cleanliness level of current process becomes acceptable level如果測(cè)量出的這種比率合適,那么當(dāng)前工藝的清潔等級(jí)就是合適的等級(jí)
??????????If this measured rate is too low, then un-improve surface cleanliness process弱國(guó)測(cè)量出的這種比率過(guò)低,那么調(diào)低表面清潔工藝
?
?
Controlled Experiment
控制實(shí)驗(yàn)
??????????Define the desired “success” level定義需求合適等級(jí)
??????????Prepare parts with varying surface???cleanliness level準(zhǔn)備不同表面潔凈等級(jí)的部件
??????????Measure and record surface cleanliness levels測(cè)量并記錄表面潔凈等級(jí)
? Perform the next operation
??????????執(zhí)行下一個(gè)操作
? Measure the “success” level of the operation
??????????測(cè)量這個(gè)操作的合適等級(jí)
? Correlate cleanliness level to “success” level of the operation
??????????將這個(gè)操作合適等級(jí)同潔靜等級(jí)關(guān)聯(lián)
Example.例子
? Parts are coated with a film.
??????????部件用薄膜涂覆
? “Success” = desired adhesion.
??????????合適=需要的粘著系數(shù)
? “Success” level = minimum adhesion measured as peel strength.
??????????合適等級(jí)=剝離強(qiáng)度下測(cè)量的最小粘著系數(shù)
? Establish surface cleanliness limits
??????????建立表面潔凈度限值
? Limits based on minimum “success” measure desired
??????????基于最小“合適”需求的測(cè)量限制
? Implement cleanliness measurement method
??????????實(shí)施清潔度測(cè)量方法
? Begin monitoring of cleanliness process to established cleanliness limits
??????????從監(jiān)控清潔工藝至建立潔凈度限值
?
Surface Cleanliness Vs.Peel Strength
表面潔凈度?Vs?剝離強(qiáng)度
??
?
OSEE Principle
光學(xué)受激電子發(fā)射原理
– Surface exposed to UV light
–????????紫外線(xiàn)光照射表面
– UV light causes surface to emit electrons
–????????紫外線(xiàn)光另表面發(fā)射電子
– Emitted electrons collected and converted into a voltage signal
–????????發(fā)射的電子聚集并轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào)
– In general, clean surface gives high emission
–????????通常,潔凈的表面會(huì)有更高的發(fā)射
– Surface contamination partially blocks:
–????????表面污染部分阻礙:
– The UV light reaching the surface
–????????紫外光到達(dá)表面
– The flow of electron away from surface
–????????電子流離開(kāi)表面
– Contamination causes a drop in measured signal
–????????污染會(huì)引起測(cè)量信號(hào)的一個(gè)回落
?
?
How it works
它如何工作
??
?
Cleanliness Monitoring of Solid Rocket Motor (SR, M) Using OSEE
使用光學(xué)受激電子發(fā)射的Solid Rocket Motor (SRM)潔凈監(jiān)測(cè)
? SRM is made up of several segments of D6ACsteel, approx. 13 feet diameter and 10 feet long.
??????????固態(tài)引擎電機(jī)由幾段D6AC鋼制成,直徑約13英尺,長(zhǎng)約10英尺
? Segments are mechanically fastened to each other with a groove/ring arrangement.
??????????各段用一個(gè)凹槽/圈組合固定彼此
? This joint also houses the infamous “O” ring.
??????????連接處也覆蓋在“O”型圈內(nèi)
? An asbestos/rubber lining covers the inside surface of SRM including the joints
??????????一個(gè)石棉/橡膠內(nèi)襯覆蓋固態(tài)引擎電機(jī)及接頭內(nèi)表面
? Solid propellant is then cast into the SRM
??????????然后固體推進(jìn)劑被擲入固態(tài)引擎電機(jī)
? During the launch the propellant burns and generates intense heat
??????????推進(jìn)劑燃燒之前期間,產(chǎn)生高強(qiáng)度的熱量
? Several approx. 1 square foot sections of D6ACsteel were prepared with varying degree of surface contamination
??????????準(zhǔn)備幾個(gè)不同程度表面污染約1平方英尺區(qū)域的D6AC鋼
? Surface cleanliness of these samples was measured and recorded
??????????測(cè)量這些樣品的表面潔凈度并記錄
? Next the lining was bonded to these sections
??????????內(nèi)襯邊緣與這些區(qū)域連接
? Peel tests were performed to measure the adhesion strength of the lining
??????????執(zhí)行剝離實(shí)驗(yàn)是為了測(cè)量?jī)?nèi)襯的粘著強(qiáng)度
?
?
??OSEE Vs. Contamination Level
????? 光學(xué)受激電子發(fā)射Vs污染等級(jí)??
?
??Peel Strength Vs. Contamination Level
????? 剝離強(qiáng)度Vs污染等級(jí)?

Cleanliness Monitoring of Solid Rocket Motor (SRM) Using OSEE
使用光學(xué)受激電子發(fā)射的Solid Rocket Motor (SRM)潔凈監(jiān)測(cè)
? The predominant contaminant is HD2 grease that fluoresces
??????????主要的污染是發(fā)熒光的HD2油脂
? Prior to the use of OSEE surface cleanliness was checked with black light
??????????使用光學(xué)受激電子發(fā)射表面清潔之前需用黑光檢測(cè)
? The lowest level of contamination that could be detected was 100mg/ft2
??????????可檢測(cè)的最低等級(jí)污染是100mg/ft2?毫克/平方英尺
?
? This level of contamination resulted in an average peel strength of 50 pounds per linear inch (PLI)
??????????這種等級(jí)的污染導(dǎo)致一個(gè)50磅每線(xiàn)性英尺的平均剝離強(qiáng)度
? An acceptable level of 150 PLI was established
??????????合格等級(jí)150磅/線(xiàn)英寸建立
? This level of peel strength corresponds to an OSEE reading of 900
??????????這種剝離強(qiáng)度等級(jí)與讀取值900的光學(xué)受激電子發(fā)射相對(duì)應(yīng)
? Currently, in SRM production, this is the minimum acceptable level of OSEE reading
??????????當(dāng)前,在SRM生產(chǎn)中,這是光學(xué)受激電子發(fā)射讀取的最小標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)
?
Summary總結(jié)
??????????Why monitor cleanliness?為什么要檢測(cè)潔凈度?
??????????Types of contamination?污染類(lèi)型
??????????Types of cleanliness measurement methods潔凈度檢測(cè)方法類(lèi)型
??????????Most common verification/measurement methods最常用的確認(rèn)/測(cè)量方法
??????????Criteria for selecting a cleanliness monitoring method選擇清洗監(jiān)測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)
??????????Cost impact of cleanliness level清潔度水平的成本影響
???, ???????Suggested approaches to defining acceptable limits?推薦的定義合適限值的方法
??????????Example of defining acceptable limits定義標(biāo)準(zhǔn)限值示例
??????????Summary?總結(jié)

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