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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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玻璃微加工工藝的研究

時間: 2021-02-25
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本文介紹了玻璃微加工的工藝,包括噴砂,濕法蝕刻,反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和玻璃回流技術(shù)。根據(jù)實驗介紹并討論了每種方法的優(yōu)缺點。噴砂和濕法蝕刻技術(shù)是簡單的工藝,但是在小而高縱橫比的結(jié)構(gòu)中卻面臨困難。演示了噴砂處理過的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蝕刻深度約為150 μm。通過濕蝕刻工藝觀察到具有蝕刻深度和側(cè)面約20μmTempax玻璃結(jié)構(gòu)。這項工作最重要的方面是開發(fā)RIE和玻璃回流焊技術(shù)。這些方法的當前挑戰(zhàn)在此得到解決。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通過RIE技術(shù)獲得了直徑為1μm的玻璃柱,縱橫比為2μm,蝕刻深度為10μm的高深寬比為10的玻璃。通過玻璃回流技術(shù)成功地演示了嵌入在Tempax玻璃內(nèi)部的貫穿硅晶片互連。研究了玻璃回流到大腔體(大于100μm),微溝槽(0.8μm寬溝槽)和微毛細管(直徑1μm)的情況。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。并研究了微毛細管(直徑為1μm)。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。并研究了微毛細管(直徑為1μm)。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。

關(guān)鍵詞:玻璃微加工,濕法蝕刻,噴砂,反應(yīng)離子蝕刻,玻璃回流工藝

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1.簡介

由于玻璃的優(yōu)異材料性能,包括透明度,機械強度,和介電性能,該玻璃已經(jīng)被廣泛用于微納米機械系統(tǒng)[ 12 ],微納米流體裝置[ 34 ],和光學MEMS(微機電系統(tǒng))設(shè)備[ 5 ]。的玻璃基板,可以容易地連接到經(jīng)由陽極接合工藝的硅襯底沒有任何額外的粘合劑,而這些鍵的密封件表現(xiàn)出良好的氣密真空[ 6,7 ]和高粘合強度[ 8 ]。不幸的是,玻璃很難以微米級的尺度精確地加工。

在過去的幾十年中,硅的微納米制造技術(shù)已經(jīng)得到研究和發(fā)展。高深寬比的硅圖形結(jié)構(gòu)可通過深RIE技術(shù)輕松實現(xiàn)[ 9 ]。反過來,對玻璃微機械加工的研究較少。有在SiO的蝕刻許多研究2 [ 10,1112 ]; 然而,玻璃的蝕刻比SiO 2的蝕刻困難更大。TEMPAX玻璃的組分包括大約75%的SiO 2,13%的Na 2 O,10.5CaO和其它少量添加劑,如1.3%的Al 2 ? 3,0.3K 2 O,等。因此,玻璃不是純SiO 2,而是向玻璃中添加在蝕刻過程中具有不同蝕刻速率的其他成分。因此,低縱橫比,低蝕刻速率,有限的掩模選擇性和高表面粗糙度仍然是玻璃微加工中的當前問題。

目前微機械加工玻璃的幾種技術(shù)存在的,包括鉆孔[ 13 ],銑[ 13 ],激光[ 13 ],噴砂[ 13 ],濕式蝕刻[ 1415 ],干蝕刻[ 16,1718 ],玻璃模制技術(shù)[ 6,19,2021,22 ],等。前三種方法通常用于較大的圖案尺寸和較小結(jié)構(gòu)的面問題。噴砂技術(shù)會導致粗糙的蝕刻表面,并且難以制造100μm以下的小圖案。深玻璃蝕刻的濕法蝕刻可通過光滑的側(cè)壁實現(xiàn);然而,由于其各向同性的刻蝕行為,長寬比受到限制。而且,關(guān)于側(cè)面蝕刻,尺寸再現(xiàn)性可能是困難的。與干法刻蝕相反,它可以實現(xiàn)精確的微加工;然而,在深蝕刻中仍然存在蝕刻速率,掩模選擇性和蝕刻質(zhì)量的挑戰(zhàn)。玻璃成型技術(shù),也稱為玻璃吹制和玻璃回流,是用于廣泛的微系統(tǒng)應(yīng)用的潛在技術(shù)。在本質(zhì)上,玻璃吹制可以認為是玻璃回流的反向。在以前的出版物中已經(jīng)描述了玻璃吹制[19 ]。首先,將硅中的蝕刻腔與薄玻璃晶圓結(jié)合在一起。然后,將該晶片在爐內(nèi)在高溫下加熱。由于空腔中截留氣體的膨脹,玻璃被吹入三維球形殼中。已經(jīng)提出了高Q因子微玻璃吹制的酒杯諧振器[ 20 ]。另外,使用玻璃吹制已成功地證明了雙面微透鏡陣列[ 21 ]。反過來,對于玻璃回流,需要真空腔。真空在真空腔內(nèi)的玻璃上施加力,在高溫過程中將其拉入腔中。玻璃可以滲透到大空腔中;但是,玻璃不容易拉成狹窄的圖案[ 6,22 ]。

在這項工作中,研究和評估了四種用于玻璃微加工的技術(shù),包括噴砂,濕法蝕刻,RIE和玻璃回流技術(shù)。噴砂和濕法蝕刻技術(shù)是簡單的工藝,但是它們面臨著小而高縱橫比的結(jié)構(gòu)的難題。通過使用RIE,還研究了具有光滑表面,垂直形狀和高縱橫比的深Tempax玻璃柱結(jié)構(gòu)。最后,研究了玻璃回流到大腔體,微溝槽和微毛細管中的情況。

2.實驗與討論

2.1。噴沙

噴砂是一種技術(shù),其中將微粒射流引向目標(樣品)以通過高速磨料顆粒的撞擊通過機械腐蝕去除材料。噴砂工藝可用于蝕刻各種材料,例如玻璃[ 13 ],陶瓷[ 2 ](例如:LTCC(低溫共燒陶瓷))和硅。

1圖中所示為噴砂裝置,通常由噴嘴,微粉和可移動平臺組成。通過噴砂機的噴嘴,高壓氣流使顆粒向樣品加速。樣品的蝕刻速率通常由粉末的噴射速度(80-290 m / s)和工作臺移動速度(X速度和Y速度)控制。在這項工作中,噴砂工藝用于Tempax玻璃的圖案化,使用的Al 2 O 3粉末的粒徑為14μm。圖2說明了在玻璃晶圓上噴砂的實驗過程。厚度為300 μm的玻璃基板(圖2a)用于此過程。粘貼厚度為50μm的干膜抗蝕劑(MS 7050,Toray,東京,日本),然后執(zhí)行光刻,如圖圖2b。接下來,通過噴砂蝕刻具有干膜抗蝕劑圖案的玻璃晶片。如圖所示,在噴砂條件下,玻璃蝕刻深度約為150 μm。表格1。噴砂效果的插圖圖像顯示在圖3。圖中給出了2 cm×2 cm的玻璃晶片和AA'橫截面圖3ab。玻璃蝕刻表面非常粗糙,蝕刻輪廓演變?yōu)?/span>V形,如圖所示圖3。

玻璃微加工工藝的研究?

玻璃微加工工藝的研究?

玻璃微加工工藝的研究?

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綜上所述,噴砂技術(shù)的優(yōu)點是簡單,成本低,定向刻蝕準確。然而,由于干膜抗蝕劑分辨率的限制和粉末顆粒的大尺寸,對于小圖案來說是困難的。此外,如上所述,粗糙的蝕刻表面和錐形蝕刻輪廓面臨困難。在噴砂過程中滲透到蝕刻表面的Al 2 O 3粉末可以在后處理過程中釋放出來。因此,在器件制造的表面上可能會出現(xiàn)許多顆粒。將該方法的優(yōu)缺點與其他方法進行了比較表2。

玻璃微加工工藝的研究


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