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發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...
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藍(lán)寶石晶片清洗工藝

時(shí)間: 2016-03-23
點(diǎn)擊次數(shù): 466

????????藍(lán)寶石晶片的凈化包括清洗方式、清洗劑的配方、清洗設(shè)備、清洗環(huán)境和清洗工藝。清洗方式主要分為濕式清洗和干式清洗, 目前濕式清洗在藍(lán)寶石晶片表面凈化中仍處于主導(dǎo)地位。下面主要就藍(lán)寶石晶片的濕式清洗的清洗劑性質(zhì)、清洗設(shè)備、清洗環(huán)境分別闡述。????


清洗劑的性質(zhì)??
??????? 清洗劑的去污能力,?對(duì)濕式清洗的清洗效果有決定性的影響,?根據(jù)藍(lán)寶石晶片清洗目的和要求,?選擇適當(dāng)?shù)那逑磩┦菨袷角逑吹氖滓襟E。藍(lán)寶石晶片清洗中常用的化學(xué)試劑和洗液主要有無機(jī)酸、氧化劑、絡(luò)合劑、雙氧水溶劑、有機(jī)溶劑、合成洗滌劑、電子清洗劑等七大類


清洗設(shè)備?
??? ●超聲波清洗機(jī)??超聲波清洗機(jī)是微電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用的一種清洗設(shè)備,?超聲波的清洗原理是:?在強(qiáng)烈的超聲波作用下(常用的超聲波頻率為20-40kHz),?清洗劑內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生疏部和密部,?疏部產(chǎn)生近乎真空的空穴,?當(dāng)空穴消失的瞬間,?其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力,?使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂,?從而使藍(lán)寶石晶片表面的雜質(zhì)解吸。當(dāng)超聲波的頻率和空穴的振動(dòng)頻率共振時(shí),?機(jī)械作用力達(dá)到最大,?泡內(nèi)積聚的大量熱能,?使溫度升高,?促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。提高超聲波功率,?有利于促進(jìn)清洗效果。由于超聲波清洗機(jī)對(duì)于小于1μm的微小顆粒的去除效果并不太理想,?所以超聲波清洗機(jī)多用于清除藍(lán)寶石晶片表面附著的大塊污染顆粒。?
??? ●兆聲波清洗機(jī)??兆聲波清洗機(jī)不但保存了超聲波清洗機(jī)的優(yōu)點(diǎn),而且克服了超聲波清洗機(jī)的不足。兆聲波清洗的機(jī)理是:?通過高頻振動(dòng)效應(yīng),?對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行清洗。在清洗時(shí),?由換能器發(fā)出波長(zhǎng)為1.5μm?頻率為0.8MH?z的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動(dòng)下作高速運(yùn)動(dòng),?最大瞬時(shí)速度可達(dá)到300?mm/s。因此形成不了超聲波清洗那樣的空穴,?只能形成高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,?使藍(lán)寶石晶片表面附著的沾污和細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。兆聲波清洗拋光片可去掉晶片表面上小于0.2μm?的粒子,?起到超聲波起不到的作用。目前兆聲波清洗機(jī)已成為藍(lán)寶石晶片清洗的一種有效設(shè)備。?
??????? 可與蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司了解這兩款設(shè)備的詳細(xì)資料。


清洗環(huán)境??
??????? 整個(gè)藍(lán)寶石的加工環(huán)境對(duì)最終藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量有很大的影響,對(duì)開盒即用的藍(lán)寶石晶片,通常拋光、清洗需要在100級(jí)以下的凈化室中進(jìn)行,最后的凈化和封裝需要在10級(jí)的凈化臺(tái)中進(jìn)行。同時(shí)操作人員需要著防塵服,人員進(jìn)入凈化室要經(jīng)過風(fēng)淋處理。


清洗工藝??
??????? 針對(duì)開盒即用藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量要求,?根據(jù)上述的凈化原理,?對(duì)切割、磨削、研磨、拋光等不同工序的晶片清洗工藝進(jìn)行了優(yōu)化,?由于拋光后的清洗是最復(fù)雜的清洗,?也是要求最高的最后一道凈化工序,?清洗后就封裝,?交用戶進(jìn)行GaN?外延生長(zhǎng)。所以這里詳細(xì)分析拋光后藍(lán)寶石晶片的清洗方法,?拋光后的藍(lán)寶石晶片的具體清洗工藝和清洗劑的配方如下:?
??????? a?拋光后的藍(lán)寶石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆聲波清洗15分鐘；?
???? ?? b?在20℃-25℃的丙酮中清洗2分鐘；?
???? ?? c?用去離子水流清洗2分鐘；??
????? ? d?在80℃-90℃的2號(hào)液（該清洗劑各組分的體積比是1:4:20）中，兆聲波清洗10分鐘；??
?????? ?e?用去離子水流清洗2分鐘；??
?????? ?f?擦藍(lán)寶石晶片（可用擦片機(jī)）；??
????? ? g?在90℃-95℃的1號(hào)液（該清洗劑各組分的體積比是1:5:30）中，兆聲波清洗10分鐘；??
????? ? h?用去離子水流清洗5分鐘；??
????? ? i?在100℃的硫酸和硝酸的混合溶液中（兩酸的體積比是1:1），浸泡10分鐘；?
????? ? j?用去離子水流清洗5分鐘；?
?????? ?k?甩干藍(lán)寶石晶片。


清洗效果??
??????? 根據(jù)上面優(yōu)化后的清洗工藝和清洗劑的配方,?對(duì)拋光后的2英寸藍(lán)寶石晶片凈化效果分析如下。具體的凈化試驗(yàn)條件是:晶片為?50.8?mm*0.3mm?藍(lán)寶石晶片;去離子水的電阻率為18?MΩ?cm;兆聲清洗機(jī)為HPQ?-?200?型;?藍(lán)寶石拋光機(jī)為日本產(chǎn)LMP-?36型;?顆粒檢測(cè)設(shè)備為激光檢測(cè)器LS?-?5000型;?藍(lán)寶石晶片表面微觀形貌由產(chǎn)自美國DI(Digital?Instruments)公司生產(chǎn)的Nanoscope?IIIA?型原子力顯微鏡(Atomic?Force?Microscope簡(jiǎn)稱AFM?)檢測(cè)。對(duì)一組25片Φ50.8?mm的藍(lán)寶石晶片清洗,?然后進(jìn)行檢測(cè),?藍(lán)寶石晶片表面的最大顆粒長(zhǎng)度方向尺寸0.13μm,?顆粒總數(shù)最多為8個(gè)/片,?最少為2個(gè)/片。清洗后藍(lán)寶石拋光面的AFM?檢測(cè)結(jié)果反映其表面粗糙度Ra為0.275nm。


小結(jié)??
??????? 這里提出的藍(lán)寶石晶片凈化工藝和清洗劑的配方,?對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行清洗,?能夠使表面微粒長(zhǎng)度尺寸小于0.13μm,?顆?？倲?shù)小于8個(gè)/片,?已經(jīng)滿足了GaN外延生長(zhǎng)的表面質(zhì)量要求。
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