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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...

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128薄膜應(yīng)力硅片翹曲度檢測(cè)part1

時(shí)間: 2016-03-23

點(diǎn)擊次數(shù): 1302

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Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement
128 128L 128LC2C薄膜應(yīng)力測(cè)試產(chǎn)品簡(jiǎn)介

128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介紹
? Product Pictures產(chǎn)品圖片
? Basic principles of 128 Line? 128產(chǎn)品系列基本原理
? Film Stress薄膜應(yīng)力
? Dual laser scanner雙激光掃描
? Stoney equation for film stress薄膜應(yīng)力Stoney方程式
? Who needs the products?誰(shuí)需要這種產(chǎn)品？
? Film property monitor and/or R&D薄膜性能監(jiān)測(cè)及研發(fā)
? What are the simple specifications?什么是基本參數(shù)？
? Film stress range / reproducibility薄膜應(yīng)力范圍/可再生性

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128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )
薄膜應(yīng)力和平整度測(cè)試設(shè)備（室溫）

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Film Stress & Wafer Yield薄膜應(yīng)力和硅片領(lǐng)域

What causes Film Stress ?什么導(dǎo)致了薄膜應(yīng)力？
When a thin film is deposited onto a substrate like a flat wafer - mechanical stress will be induced .
薄膜沉積到基板（比如說硅片平面）上時(shí)-會(huì)產(chǎn)生一個(gè)機(jī)械應(yīng)力。
This is exhibited as a wafer bow, where the film will be under tension / “Stress”
這樣會(huì)表現(xiàn)出一個(gè)硅片上的弓起，薄膜就會(huì)在張力和壓力下。

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How Residual Stress is created? 剩余應(yīng)力是如何產(chǎn)生的？

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Problems caused by Stress 應(yīng)力導(dǎo)致的問題
When induced stress exceeds the strength of the deposited film ....
如果產(chǎn)生的應(yīng)力超過了沉積薄膜的強(qiáng)度….
Cracking of deposited film沉積薄膜開裂
Delamination & Buckling of film stack薄膜堆棧分層&翹曲
Metallization hillocks金屬化小丘
Voids空隙
All lead to yield loss ($$$)這些導(dǎo)致?lián)p失

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Principle of Film Stress Measurement 薄膜應(yīng)力檢測(cè)原理

?Technology for FSM Stress and Wafer bow Measurements
應(yīng)力和硅片翹曲測(cè)量技術(shù)
Non Destructive Contactless Method
無(wú)損害非接觸式方法
Optilever laser scanning? (Patented) Optilever激光掃描（專利）

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Procedure for Thin Film Stress Measurement or Map 薄膜應(yīng)力檢測(cè)或映射步驟
1.?? Pre-Measure預(yù)檢測(cè)
Measure bare wafer surface profile(First Scan or Map )
裸露的硅片表面輪廓測(cè)量（第一次掃描或映射）
Deposit Thin Film淀積薄膜
2.?? Post-Measure后檢測(cè)
Measure surface profile after film deposition (Second Scan or Map )
薄膜淀積之后表面輪廓測(cè)量（第二次掃描或映射）?

03232234237128薄膜應(yīng)力硅片翹曲度檢測(cè)part1.pdf_11.Jpeg