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摘要
本文簡要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術正面臨著先進的silicon技術向非平面器件方向發(fā)展結構和半導體改性清洗的需要， 除了硅。?在前一種情況下，關鍵問題是相關的 用于下一代CMOS柵極結構以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設備這些問題加速的步伐除硅以外的半導體正在被引進主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶圓清洗技術。?考慮與每個挑戰(zhàn)相關的問題。 ?
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關鍵詞: ?III-V化合物FinFET集成電路制造 ，MEMS, MOS柵極堆棧，半導體清洗
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介紹
晶片清洗是最常用的加工方法 ，這也是進軍高端硅集成電路制造領域。?因此，化學的測試和執(zhí)行Si的清洗操作是非常重要的。建立良好的和支持多年的廣泛研究，以及重要的工業(yè)工具基地。因此，硅清潔技術是迄今為止在所有具有實際重要性的半導體中最真實的技術。 第一個完整的，基于科學考慮的清潔配方專門設計來清除Si表面 提出了顆粒、金屬和有機污染物在1970年。?從那時起，硅清潔技術就被經(jīng)歷著持續(xù)的進化變化。?然而令人驚訝的是，最先進的硅清潔仍大致依靠同樣的化學溶液，只是它們的方式不同準備和交付到晶圓，是非常不同的這是最初提議的。?另外，選擇曲面?zhèn)鹘y(tǒng)上由濕式清潔化學物質(zhì)形成的調(diào)節(jié)功能。然而，和現(xiàn)在一樣先進的是硅清洗方法不能滿足各種各樣的出現(xiàn)需求半導體技術跨越光譜材料和器件結構在實現(xiàn)方法和化學方面。?兩個關鍵挑戰(zhàn)是本文綜述。?第一個挑戰(zhàn)是關于越來越重要的非平面硅器件，如新一代MOS柵極堆棧，微電子-機械系統(tǒng)(MEMS)器件和納米線。
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應用程序：略
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總結
本文講述了非平面硅基器件，硅以外的半導體等問題。這篇概述的目的是為了證明challenges清潔和表面處理技術是面向的，因為一方面硅技術是非平面的另一方面，硅以外的半導體在一系列領域的發(fā)展比以往任何時候都更加積極。
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