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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網,關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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半導體檢測

時間: 2021-08-09
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半導體檢測

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缺陷掃描檢查

? ?在開始生產之前,裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗合格合格,并在半導體工廠接收后再次要檢驗合格。只有最無缺陷的晶圓才用于生產,它們的生產前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導致芯片功能不佳的區(qū)域。裸晶片或非圖案化晶片也在經受被動或主動處理環(huán)境之前和之后被測量,以確定來自給定處理工具的粒子貢獻的基線。

半導體檢測

1:旋轉非圖案化晶片上的缺陷檢測(左)以及暗場和亮場圖像照明中鏡面反射的使用(右)

? ?器件制造商使用光學檢測系統(tǒng)來檢查晶片和掩模上的顆粒和其他類型的缺陷,并確定這些缺陷在晶片上的X-Y網格中的位置。用于非圖案化晶片上的缺陷檢測的基本原理相對簡單。激光束在旋轉的晶片表面上徑向掃描,以確保光束投射到晶片表面的所有部分上。激光從表面反射,就像從鏡子反射一樣,如圖1所示。這種反射被稱為鏡面反射。當激光束遇到晶片表面上的顆粒或其他缺陷時,缺陷散射一部分激光。根據(jù)照明布置,散射光可以被直接檢測(暗場照明)或作為反射光束中強度的損失(亮場照明)。晶片的旋轉位置和光束的徑向位置限定了晶片表面上缺陷的位置。在晶圓檢測工具中,使用光電倍增管或電荷耦合器件以電子方式記錄光強度,并生成晶圓表面的散射或反射強度圖,如圖2所示。該圖提供了有關缺陷大小和位置的信息,以及由于顆粒污染等問題造成的晶片表面狀況的信息。這種方法需要對晶片臺和光學元件進行高度精確和可重復的旋轉和線性運動控制。

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2:檢查工具中的光收集、處理和晶片映射

? ?一般來說,暗場檢查對于非圖案化晶片檢查是優(yōu)選的,因為高光柵化速度是可能的,并且這能夠實現(xiàn)高晶片產量。圖案化晶圓檢測是一個慢得多的過程。根據(jù)應用,它可以使用明場和/或暗場成像。請注意,圖案化表面散射的復雜性降低了到達檢測器的總光子通量,導致晶圓檢測的積分周期更長。

100納米以下的檢測工具目前被用于制造環(huán)境中,以保證進入晶圓的質量,并用于大批量制造的工藝工具監(jiān)控和鑒定。這些工具采用與設計用于大規(guī)模缺陷檢測的工具相同的基本操作原理,但使用DUV照明增強光學系統(tǒng)。一些制造商聲稱復雜的圖像分析算法可以達到20納米以下的靈敏度。正如所料,在這些應用中使用的系統(tǒng)中,晶片臺和光學部件的運動控制需要高度的精度和準確度。

? ? ? 由于需要檢測工具來檢測和量化越來越小的顆粒,由于散射光信號的信噪比降低,表面微粗糙度(霧度)等因素的影響開始影響小顆粒的可檢測性。非圖案化晶片的亞100納米檢測由于尺度問題而變得復雜,信噪比是確定檢測系統(tǒng)對晶片表面顆粒和其他缺陷的檢測極限的關鍵參數(shù)。來自環(huán)境濕度等來源的表面化學污染也會導致信噪比下降。為了幫助抵消這種影響,用于亞100納米缺陷檢測的檢測工具采用高度復雜的光學空間濾波、散射信號的偏振分析和專門的信號處理算法來檢測存在表面霧度的缺陷。


形貌檢查

? ? ? 測量裸晶片形貌有許多原因。例如,晶片可能彎曲,或者支撐晶片的卡盤(靜電或氣動)可能在晶片的接觸點產生凹痕。這種變形會影響納米尺度的圖案成像。已經開發(fā)出非常精確的干涉測量工具來測量加工前晶片形狀的這種變化。

用于測量裸晶圓表面形貌的基本設計類似于圖3所示的斐索干涉儀。這種干涉測量技術將晶片與非常高質量和平整度的參考楔(或參考平面)進行比較。楔角確保來自平面的第一表面的反射不會對干涉信號產生影響。從第二表面反射的光用作參考,同時一部分光穿過平板以詢問晶片(測試平板)。從晶片和測試平臺反射的光被分束器導向成像系統(tǒng)。分析干涉圖案,并使用軟件將測量結果拼接在一起,以形成具有納米尺度分辨率的完整晶片圖。實際上,測量裸晶片形貌的干涉測量工具極其復雜,并且利用運動解決方案、大型光學器件和照明源來幫助擴展可制造性設計的邊界。

半導體檢測

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差分圖像檢測

? ? ? ?圖案化晶片的光學檢查可以采用明場照明、暗場照明或兩者的組合來進行缺陷檢測。圖案化晶片檢測系統(tǒng)將晶片上測試管芯的圖像與相鄰管芯(或已知無缺陷的“金”管芯)的圖像進行比較。圖像處理軟件從一幅圖像中減去另一幅圖像。其中一個芯片中的任何隨機缺陷都不會在相減過程中歸零,在相減后的圖像中清晰顯示(圖4)。缺陷的位置允許在晶片上生成缺陷圖,類似于為非圖案化晶片生成的圖。與非圖案化晶片的檢查一樣,圖案化晶片檢查需要晶片臺和檢查系統(tǒng)的光學部件的精確和可重復的運動控制,因為它們同時移動。


半導體檢測

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4:圖案化晶片檢查程序


100納米特征的DUV晶圓檢測

? ? 亞100納米圖案化晶片的缺陷檢測比非圖案化晶片檢測面臨更大的挑戰(zhàn)。用于圖案化晶片應用的基于DUV的光學檢測使用與舊的可見光和紫外光檢測系統(tǒng)相同的圖像比較原理。然而,基于DUV的方法在光學、運動控制和圖像分析算法方面需要更高的復雜程度。

DUV檢測工具已成為圖案化晶圓檢測的行業(yè)標準,其特征尺寸可達65納米;高達每小時幾個晶片的檢查速率使得這些系統(tǒng)適合于生產應用。DUV檢測工具顯示出對缺陷檢測的高靈敏度,例如淺溝槽隔離空隙、接觸蝕刻缺陷和亞100納米幾何形狀的光刻膠微橋接。使用寬帶DUV/紫外/可見照明,現(xiàn)代明場圖案化晶圓檢測系統(tǒng)目前可實現(xiàn)對動態(tài)隨機存取存儲器和閃存器件上所有層缺陷檢測所需的靈敏度,最低可達55納米特征尺寸。

雖然眾所周知的特性加上相對較低的成本和較高的吞吐量使得DUV光學檢測系統(tǒng)的持續(xù)使用具有吸引力,但一些制造商報告稱,DUV檢測系統(tǒng)不具備65納米以下幾何形狀所需的精度和靈敏度。一項研究聲稱,DUV暗場光學圖案檢測系統(tǒng)的極限缺陷靈敏度在存儲技術(例如靜態(tài)隨機存取存儲器)中約為75納米,在邏輯區(qū)域中更大。DUV明場系統(tǒng)的極限靈敏度稍高,靜態(tài)隨機存取存儲器約為50納米,暗場系統(tǒng)的極限靈敏度則更高。此外,使用DUV激光照射圖案化晶片上非常小且因此易碎的結構產生了一些不尋常的問題,例如表面材料的激光燒蝕。這些問題的解決方案可能在于將寬帶等離子體照明用于光學檢查系統(tǒng)(現(xiàn)有的DUV系統(tǒng)采用266納米波長,并且正在轉向193納米照明)或者使用能夠生產的電子束檢查工具。最近推出的基于等離子體產生的寬帶照明的檢測工具可用于生產環(huán)境。聲稱這些系統(tǒng)的分辨率低于10納米,因為在這種較小的尺度下,較短的波長提供了更精確的檢查。


電子束晶圓檢測

? ?電子束成像也用于缺陷檢查,尤其是在光學成像效率較低的較小幾何形狀上。電子束檢查可以提供比光學檢查系統(tǒng)分辨率動態(tài)范圍大得多的材料對比度。然而,電子束應用受到測量速度慢的限制,這使得它主要用于R&D環(huán)境和新技術鑒定的工藝開發(fā)。新的電子束工具可用于10納米及以下節(jié)點的缺陷檢測應用,多電子束工具正在開發(fā)中,具有多達100個柱或測量通道。


標線檢查

? ?掩模版是用精細特征圖案化的透射或反射投影掩模,通常比晶片上期望的圖案尺寸4-5倍。它們與光學照明系統(tǒng)一起使用,作為晶片圖案化過程的一部分,光學照明系統(tǒng)對圖案化的光進行成像和去放大,以選擇性地顯影光致抗蝕劑。

可以說,掩模版檢查遠比無圖案或有圖案的晶片檢查更重要。這是因為,雖然裸晶片或圖案化晶片上的單個缺陷有可能“殺死”一個器件,但是掩模版上的單個未檢測到的缺陷會破壞成千上萬個器件,因為缺陷會在使用該掩模版處理的每個晶片上復制。對于EUV來說,這個問題由于圖案的更精細的分辨率、薄保護膜的存在以及分劃板的反射設計而變得更加復雜。

? ? ? ? ?除了通常使用透射光而不是反射光來檢查掩模版之外,掩模版檢查系統(tǒng)的工作原理與晶片檢查工具相同,并且具有相似的物理要求。透射光用于定位紫外線不透明污漬和其他透射缺陷。掩模版檢查工具根據(jù)缺陷容差和/或特征尺寸,采用高分辨率成像光學器件和可見光或紫外光照明,以發(fā)現(xiàn)掩模版坯料或圖案化掩模版上的缺陷。在掩模版制造過程中和整個掩模版使用過程中,例行檢查。標線檢查工具采用了類似于晶片檢查工具中使用的復雜圖像分析軟件和運動控制系統(tǒng)。通過使用紫外線照明,傳統(tǒng)光學器件在標線檢查系統(tǒng)中的使用已經擴展到90納米的特征尺寸。使用電子束可以在較小的特征尺寸下進行掩模版檢查,因為與圖案化晶片檢查相比,可以容許較低的生產量。與晶片檢測一樣,亞100納米應用中使用的掩模版檢測工具(空白和圖案化掩模版檢測)采用DUV照明,通常使用266納米或193納米的單一波長。


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