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摘要
? ? ? 本文測(cè)試了三種方法對(duì)超薄氧化層硅片表面的清潔和調(diào)節(jié)的適用性:兩種UV/O3源(汞蒸氣燈和高效準(zhǔn)分子模塊)以及在HNO3中濕式化學(xué)氧化。研究表明,通過(guò)UV/O3(汞蒸氣燈)照射可以去除堿性變形過(guò)程中硅化和掩蔽表面所產(chǎn)生的有機(jī)殘留物。此外,使用UV/O3(準(zhǔn)分子)和HNO3氧化物與Al2O3/SiNx AlN/SiNx鈍化組合,可以改善鈍化質(zhì)量和發(fā)射極飽和電流。對(duì)于70:/sq的n型硅晶圓。
介紹
? ? ? 隨著高效硅太陽(yáng)能電池概念引入到工業(yè)生產(chǎn)中,在鈍化之前的表面清洗和調(diào)節(jié)變得越來(lái)越重要。硅襯底與鈍化層之間的界面質(zhì)量對(duì)各種污染、缺陷、表面終止和充電非常敏感,具有重要的作用。
實(shí)驗(yàn)步驟和結(jié)果
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圖1所示? 汞蒸氣燈原理圖及反應(yīng)機(jī)理(左),準(zhǔn)分子體系原理圖及反應(yīng)機(jī)理(右)
去除有機(jī)殘留物
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圖2所示 污染樣品的示意圖(a),清潔的紋理參考樣品的平板掃描無(wú)污染(B)和污染和UV/O3清潔樣品的參數(shù)變化(C-F)?
Pre-passivation調(diào)節(jié)
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圖3 樣品制備示意圖(左);有/沒(méi)有超薄siox層作為預(yù)鈍化條件的樣品的發(fā)射極飽和電流密度(j0e)(右)
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