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摘要
雖然聽起來可能不像極紫外 (EUV) 光刻那么吸引人，但濕晶圓清洗技術(shù)可能比 EUV 更重要，以確保成功的前沿節(jié)點、先進的半導(dǎo)體器件制造。這是因為器件可靠性和最終產(chǎn)品良率都與晶圓在經(jīng)過數(shù)百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟時的清潔度直接相關(guān)。
晶片上的單個顆粒就足以導(dǎo)致致命的缺陷或偏移，最終導(dǎo)致設(shè)備故障。當今最先進的節(jié)點設(shè)備用于關(guān)鍵應(yīng)用，例如智能汽車、醫(yī)療保健和工業(yè)應(yīng)用。因此，設(shè)備可靠性比以往任何時候都更加重要。這意味著對設(shè)備進行更嚴格的分類和裝箱，這會影響產(chǎn)量。
不幸的是，許多傳統(tǒng)的晶圓清潔方法不僅不足以滿足先進的節(jié)點技術(shù)，而且還會損壞精細結(jié)構(gòu)，如 finFET 和硅通孔。因此，選擇正確的濕式晶圓清洗技術(shù)不應(yīng)作為事后的想法，而應(yīng)作為穩(wěn)健制造工藝流程的一部分進行仔細考慮。
考慮到這一點，讓我們看看濕晶圓清洗技術(shù)如何從一門藝術(shù)演變?yōu)橐婚T科學，以及濕晶圓清洗技術(shù)是如何專門針對先進技術(shù)節(jié)點的需求而開發(fā)的。
有多少清潔步驟？
45 納米節(jié)點技術(shù)需要大約 150-200 個獨立的清潔工藝步驟。10nm 節(jié)點處理使用了該數(shù)字的 3 倍，約 800 個清潔工藝步驟，包括：
·?光刻膠條
·?蝕刻后條
·?種植體條
·?一般晶圓清洗
·?用于多重圖案化和 EUV 的背面清潔
縮小技術(shù)節(jié)點需要雙重、三重甚至四重圖案光刻工藝。這為整個工藝流程增加了數(shù)百個額外步驟，包括額外的清潔步驟。雖然 EUV 的引入減少了工藝步驟的數(shù)量，但現(xiàn)在甚至可以實現(xiàn)更精細的特征，從而增加了對不會損壞精細結(jié)構(gòu)的先進晶圓表面制備的需求。
濕法晶圓清洗技術(shù)的發(fā)展???略
濕臺方法???略
批量噴涂方法?????略
單片濕晶圓清洗???略
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