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摘要
我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進行表征表明，使用超臨界二氧化碳/共溶劑配方，可以實現(xiàn)離子注入光刻膠的有效剝離，同時避免超臨界制造過程中的硅凹陷和摻雜劑消耗。 CMOS 晶體管的淺結(jié)。
介紹
用于 45 nm 及以上節(jié)點的高級 CMOS 器件需要高驅(qū)動電流和超淺結(jié)，以滿足電路在速度和靜態(tài)泄漏方面的規(guī)范。在剝離用于制造源極/漏極擴展的光刻膠時，硅凹陷和摻雜劑消耗對結(jié)輪廓的影響變得至關(guān)重要。使用光刻膠掩模多次以各種不同劑量水平注入各種離子，以形成各種不同MOS晶體管的源/漏擴展。目前，氧等離子體灰化和硫酸/過氧化氫處理已被用于光刻膠剝離。用這種等離子體和化學(xué)氧化工藝形成的二氧化硅被后續(xù)的 SC1 清洗步驟蝕刻掉，導(dǎo)致超淺結(jié)的硅凹陷。
實驗方法
本研究中使用的樣品是具有 1.3 nm 厚化學(xué)氧化膜的 15 x 15 mm 硅晶片。在硅表面上以 0.3 微米間距在化學(xué)氧化膜的表面上制備 1 微米寬的光刻膠掩模圖案，該硅表面具有由聚苯乙烯衍生物制成的 700 納米厚、254 納米正性光刻膠。未圖案化的光刻膠薄膜也在硅襯底上用與覆蓋光刻膠樣品相同的聚合物制備。砷離子以2 x 10 13 至2 x 10 15/cm2 的劑量范圍注入晶片表面。
結(jié)果與討論
確定極性質(zhì)子共溶劑在完全去除晶片表面上未圖案化的光刻膠方面產(chǎn)生了最好的結(jié)果，而不管砷含量如何——離子劑量水平，在大氣壓下。使用優(yōu)化的極性質(zhì)子助溶劑，在 70 °C 和 20.7 MPa 的超臨界 CO2 中處理圖案化晶片 5-20 分鐘。圖 4 顯示了光刻膠 / PR 結(jié)皮去除率與處理時間的關(guān)系。光刻膠剝離效率強烈依賴于光刻膠中的注入離子濃度水平，這說明剝離效率隨著工藝時間的增加幾乎呈線性增加。
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圖 ?作為時間和離子劑量水平的函數(shù)的光刻膠去除效率
結(jié)論??略
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