掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料
摘要
制造具有弓形、翹曲形、總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)和現(xiàn)場前最小二乘焦平面范圍(SFQR)等優(yōu)越規(guī)格的碳化硅晶片的方法。所得到的碳化硅晶圓具有一個(gè)鏡面的表面，適合于碳化硅的外延沉積。在加入外延層后，保留了晶片的弓形、彎曲、翹曲、總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)和現(xiàn)場前端最小二乘焦平面范圍（SFQR)的規(guī)范。
?
介紹
本文公開涉及半導(dǎo)體晶片的制造，更具體地說，涉及由碳化硅制成的半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體芯片行業(yè)的成功在很大程度上要?dú)w功于硅的自然特性。這些特性包括易于生長的天然氧化物(SiO)，其天然氧化物的優(yōu)良的整體發(fā)光特性，以及硅晶片和硅晶片內(nèi)的器件的相對容易制造。另一方面，高溫高壓半導(dǎo)體電子學(xué)可以受益于碳化硅的自然特性。例如，碳化硅用于超快、高壓肖特基二極管、MOSFETs和用于高功率開關(guān)的高溫胸腺管和高功率led。因此，增加碳化硅的可用性有助于這種半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)選擇。例如，目前100mm碳化硅晶片的生產(chǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于標(biāo)準(zhǔn)的300mm硅晶片。此外，在單晶碳化硅中，晶體管和二極管不能可靠地形成復(fù)雜的摻雜譜。復(fù)雜的幾何摻雜配置口糧必須通過使用基于步進(jìn)的光刻方法形成的微米亞微米幾何掩模來實(shí)現(xiàn)。
?
舉例
用于制造75mm和100mm直徑的4H碳化硅晶片。晶片的電阻率范圍為0.015–0.028歐姆厘米。對于步驟100-105-110，碳化硅鋼錠被加工成正確的圓柱體。圓柱形鋼錠被安裝在塑料梁上，并放置在多絲鋸上。用鋼絲和指向鋼錠外圍的金剛石漿液進(jìn)行切割。將光束從鋸上取出，放入浴缸中，將切片從光束中分離出來。切片被沖洗后放進(jìn)一個(gè)盒式磁帶里。晶圓被轉(zhuǎn)移到一個(gè)自動(dòng)邊緣研磨系統(tǒng)，其中使用菱形輪形成梯形邊緣輪廓。該過程遵循SEMI標(biāo)準(zhǔn)M55的指導(dǎo)方針。對于步驟115，使用拍打或研磨去除鋸損傷。使用直徑為-40英寸的剝削機(jī)在晶片兩側(cè)同時(shí)進(jìn)行剝削。箔被放置在拍打臺上的幾個(gè)不銹鋼支架上。用氧化物研磨粒拋光漿液定向到桌子上。對于使用步驟125處理的樣品，外延，碳化硅的CVD薄膜使用批CVD系統(tǒng)沉積在拋光晶片上。葉片被放置在氣體緩沖器上和真空室中。將腔室泵入真空，并使用射頻感應(yīng)加熱將緩沖器加熱到1500°C以上。
?
表1
表2
??本文所描述的實(shí)施例的各個(gè)方面或組件可以單獨(dú)使用或以任何組合使用。本文權(quán)利要求是一種基底包括直徑在76mm到150mm之間的拋光碳化硅晶片，并具有后表面和前表面，前表面用于外延沉積，其中拋光的碳化硅晶片具有0.1至1.5um的局部厚度變化(LTV)和0.01至0.3um的現(xiàn)場前端最小二乘焦平面范圍(SFQR)，基于一平方cm的現(xiàn)場尺寸。還要求其中前表面具有Rak15A的rms粗糙度。該襯底具有在0.1至5um范圍內(nèi)的總厚度變化(TTV)。
?
文章全部詳情，請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁