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摘要
? ? ? 本文的方法通過使用動態(tài)液滴對硅晶片進(jìn)行局部濕法處理來表示,該液滴在與晶片接觸時形成動態(tài)液體彎月面。這項工作引入的主要科學(xué)創(chuàng)新和相關(guān)性已經(jīng)應(yīng)用于工業(yè)太陽能電池生產(chǎn)和集成電路互連的硅晶片金屬凸塊形成(即。銅柱)。這種新技術(shù)允許在特定的限定位置接觸硅晶片,以便執(zhí)行任何種類的濕法處理(例如。蝕刻、清潔和/或電鍍)而不需要任何保護(hù)性抗蝕劑。利用計算流體動力學(xué)技術(shù)(即。精確預(yù)測流體流動的數(shù)值技術(shù))之后,并提出。建立了實驗裝置來驗證計算結(jié)果。數(shù)值結(jié)果與實驗結(jié)果吻合良好。使用立體光刻系統(tǒng)的原型頭被開發(fā)出來,并且在硅上進(jìn)行不需要光刻步驟的局部選擇性電鍍。
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介紹
? ? ? 與半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的任何其他部門一樣,主要驅(qū)動力是通過降低成本來提高業(yè)績。在光伏領(lǐng)域,這意味著每美元更便宜的瓦特和更高效率的硅太陽能電池(即。> 19%). 在電子封裝行業(yè),這意味著使用面積陣列封裝尋求更好的電氣性能和更高的輸入/輸出數(shù)量,目標(biāo)是“更小、更快、更便宜”。
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實驗測試和計算流體動力學(xué)驗證
? ? ? ?設(shè)計了兩種不同類型的原型來驗證計算流體動力學(xué)模型:一種具有矩形噴嘴幾何形狀,另一種具有圓形對稱陣列。同時,本文寫道,用于制造銅柱電鍍的具有4x4陣列的圓形對稱的原型正在建造中,這里將給出測試的矩形幾何形狀相對于DLD和DLM的結(jié)果。采用高精度60塑料快速成型立體光刻技術(shù),實現(xiàn)了4個3厘米長的矩形通道。在圖1中,顯示了噴嘴末端部分的細(xì)節(jié)以及輸出通道、輸入入口和壁的相對幾何尺寸。
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圖1 為測試DLD和DLM而實現(xiàn)的矩形原型的幾何形狀
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結(jié)論
? ? ? 提出了一種基于受限動態(tài)液滴彎月面的選擇性加工新技術(shù)。計算流體動力學(xué)模擬與實驗裝置非常吻合。這種新的方法,以使用DLD的局部濕處理為代表,與襯底接觸形成DLM,允許執(zhí)行任何類型的濕處理而不使用任何類型的光刻步驟。由于流體的高速,像在噴射電鍍中一樣,擴(kuò)散層減少,并且實現(xiàn)了沉積速率高達(dá)9 m/min的銅的初步電鍍工藝。DLM一旦形成,甚至可以處理不完美的平面襯底。利用所呈現(xiàn)的實驗結(jié)構(gòu),即使磁頭和襯底之間的距離在兩個方向上變化大約200微米,也有可能在襯底上保持相同的DLM足跡。用于實現(xiàn)4x4銅柱陣列的原型噴嘴正在實現(xiàn)的路上,用于實現(xiàn)非常小的噴嘴尺寸的縮放技術(shù)也在實現(xiàn)的路上。20米的噴嘴尺寸正在通過微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)實現(xiàn),并且利用激光微機(jī)械加工和3D直接激光寫入技術(shù),正在研究小到5米的更小尺寸。提出了一種新的無掩模選擇性濕法工藝,為電子封裝和光伏產(chǎn)業(yè)打開了一個新的哲學(xué)進(jìn)程。
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