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發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產工藝，現已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（126xa.cn），現在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、Ｎ２ 保護單元組成的陰極回轉體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統，目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用，產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標：最...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據每個客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網（www.hlkncas.com），現在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
自動供酸系統（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ皆O備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規(guī)格 1. 系統主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統；2. 操作模式： CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網，關注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規(guī)格 1. 系統主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統；2. 操作模式： CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...
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光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化

時間: 2021-10-18
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光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化

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摘要

圖案圖像中納米級粗糙度的最小化已成為微處理器生產中光刻過程的優(yōu)先事項。為了探究表面粗糙度的分子基礎，通過將臨界電離模型應用于聚合物基體的三維分子晶格表示，模擬了光致抗蝕劑的發(fā)展。該模型被用于描述現在常用于微光刻的化學放大光刻劑。對溶解速率和表面粗糙度對聚合程度、多分散性和分數去保護程度的依賴性的模擬結果與實驗結果一致。表面粗糙度的變化與實驗觀察到的誘導周期的長度有關。并提出了空隙分數和顯影劑濃度對粗糙度影響的模型預測。顯影劑濃度對頂表面和側壁粗糙度影響的差異可以用模擬預測的臨界顯影時間來解釋。

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介紹

隨著新一代微處理器的出現，對微光刻的需求變得越來越困難。與光刻膠圖像的表面和邊緣相關的粗糙度的最小化現在是光刻技術持續(xù)進步的挑戰(zhàn)之一。頂表面和線邊緣粗糙度的問題在過去的一年中引起了相當多的關注，以及最近的幾個原子力顯微鏡AFM。研究已經對光刻膠粗糙度的過程依賴性產生了顯著的見解。他和Cerrina1研究了正色調化學放大光刻劑在曝光后烘焙時間范圍內的表面粗糙度和曝光劑量之間的關系。他們的結果表明，系統具有相同的整體平均去保護程度，但不同的過程歷史，表現出相似的表面形態(tài)，但不同程度的粗糙度。

本文中描述的模擬允許聚合物共混，以便我們可以研究多分散性的影響。初始空隙分數，可以代表固有的聚合物自由體積或殘留鑄造溶劑。分子水平模型正確地預測了溶解率和粗糙度對聚合程度、多分散性、脫保護程度、聚合物自由體積、殘留鑄造溶劑和開發(fā)時間變化的響應趨勢。

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模型描述 ??略

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模擬結果

聚合度的影響：從圖中8可以看，隨著聚合程度的增加，表面速率抑制變得更加明顯。所有這些系統都顯示出一個誘導周期，但誘導周期的長度比聚合程度的線性依賴所預測的要快。底層膜表面的表面速率抑制也隨著聚合程度的增加而增加，但底部的依賴性沒有頂部那么陡峭。

多分散性效應：圖11顯示了這兩個系統的表面粗糙度的發(fā)展情況。高多分散性樣品獲得了更大程度的表面粗糙度。系統所需要的表面粗糙度到水平的時間隨著多分散性的增加而增加，并與圖中10的誘導周期相對應。 因此，增加了多分散性，增強了表面速率抑制的效果。那些制定抵抗者的人已經認識到這一現象已經有一段時間了，但對這一觀察結果并沒有令人滿意的解釋。

脫保護程度的影響：表面粗糙度隨阻塞程度fb0的時間演化情況如圖所示。 12.模擬結果預測，只要薄膜能夠清除，粗糙度就會隨著阻塞程度的增加而增加。溶解速率隨阻塞程度的增加而減小。在超過臨界阻塞程度后，膠片不能完全清晰，即使在膠片停止發(fā)展后，粗糙度仍然存在。因此，表面粗糙度從零開始，通過一個最大值，當分數去保護從0到1變化時返回到0。這一點如圖所示。13，其中我們的模型對粗糙度作為設定開發(fā)時間的去保護函數的預測與He和Cerrina的實驗數據進行了比較。暴露劑量和部分去保護之間的關系以前已經量化。

空隙率的影響：在圖中。15考慮了聚合物基質中的空隙空間對表面粗糙度的影響。增加初始孔隙分數會導致發(fā)育速率增加，表面粗糙度降低。在多個模擬中，表面粗糙度的標準偏差沒有顯示隨著初始空隙分數的增加而減少。

顯影劑濃度的影響：在雷諾茲和泰勒的初始顯影劑濃度對粗糙度的影響檢驗中，化學放大未暴露部分的表面粗糙度光致抗蝕劑的開發(fā)時間足夠長，足以完全蝕刻暴露部分。在后來的研究中，同樣的研究人員研究了顯影劑濃度對粗糙度隨發(fā)育時間的影響。在早期和后來的條件下，表面粗糙度被觀察到隨顯影劑濃度的增加而增加，而側壁粗糙度似乎與顯影劑濃度無關。

?光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化

圖8 名義聚合程度DP對聚合物薄膜剩余平均厚度的無量綱圖的影響，u，與時間，t(fc50.4，fb050，fv50，fi50.5。每條曲線都是平均7次模擬的結果

?光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化

圖11 多分散性Mw/Mn對粗糙度無量綱圖的影響，r對時間，t(fc50.4，fb050.1，fv50，fi50.5。每條曲線的聚合物鏈長分布如圖所示。3.每條曲線都是平均7次模擬的結果


結論

光刻膠的發(fā)展被模擬為分子去除聚合物鏈的分子以臨界電離分數為去除準則的維立方晶格。給出了溶解速率和表面粗糙度隨開發(fā)時間函數的模型預測。該模型正確地預測了表面速率抑制，由誘導周期證明，這一現象對應于表面粗糙度的變化，對光致抗蝕劑面積的測量。表面粗糙度通常與溶解率成負比。聚合程度較低、多分散性較窄、孔隙分數較大的聚合物可以產生較低的表面粗糙度。該模型預測，隨著阻塞程度的增加，表面粗糙度通過最大值，實驗研究證實了這一預測。最近的AFM測量已經證實了發(fā)育時間對表面粗糙度影響的模型預測。該模型預測，表面粗糙度隨著顯影劑濃度的增加而發(fā)展得更快，并最終達到與顯影劑濃度無關的最大值。這些模型的預測被用來解釋在頂表面和側壁粗糙度對顯影劑濃度變化的響應中觀察到的差異。

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