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在SOG旋轉(zhuǎn)/烘烤/固化步驟之間應(yīng)至少間隔一段時(shí)間。大多數(shù)SOG用戶“指定”在SOG沉積、烘烤和最終固化后不超過兩個(gè)小時(shí)。與大多數(shù)晶圓廠加工一樣，建議將晶圓儲(chǔ)存在干燥的環(huán)境中(濕度< 40%)、干燥箱或氮?dú)獯祾叩臋C(jī)柜中。如果較長(zhǎng)的等待時(shí)間不可避免，可以使用旋涂時(shí)使用的標(biāo)準(zhǔn)烘焙方法(沒有分配步驟)重新烘焙晶片。這種重新烘焙將趕走晶圓閑置時(shí)可能吸收的任何水分。在下一個(gè)工藝順序之前，應(yīng)該讓晶圓冷卻。不建議使用冷卻板，因?yàn)樗赡軙?huì)導(dǎo)致開裂。如果必須使用冷板，它應(yīng)該處于室溫。

沉積的SOG薄膜緩慢地進(jìn)入和離開高溫固化爐是至關(guān)重要的。這防止了當(dāng)彼此接觸的具有不同熱膨脹系數(shù)的材料發(fā)生快速熱變化時(shí)可能發(fā)生的破裂。建議從300℃開始逐漸固化。SOG以比推薦值低得多的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，或者一個(gè)SOG的多個(gè)涂層可以產(chǎn)生超過推薦厚度的薄膜，并且在固化過程中容易破裂。這種趨勢(shì)隨著晶片表面形貌變得更加嚴(yán)重而增加。通常，當(dāng)需要更厚的膜時(shí)，可以找到替代的SOG來滿足需要。在最熱的烘烤之后，冷卻晶片可以被放置在冷卻板上，該冷卻板不工作或者被設(shè)置在室溫。設(shè)定為“冷”的真正冷卻板會(huì)過快冷卻晶圓，導(dǎo)致應(yīng)力和開裂。?

當(dāng)需要更厚的膜時(shí)(通常通過掃描電鏡檢查確定)，可以采取兩種方法:1)沉積多層(通常是雙層)SOG，或(2)使用同一產(chǎn)品系列的較厚SOG。較低的第一烘烤板溫度(推薦溫度為80℃)允許溶劑更緩慢地離開SOG，允許SOG更大的流動(dòng)，并因此提供更好的平面化。較長(zhǎng)的擴(kuò)散周期會(huì)導(dǎo)致仍然含有溶劑的SOG向邊緣移動(dòng)，降低平面度，并產(chǎn)生邊緣珠。更短的傳播周期（2-6或甚至低至1秒）。在3000轉(zhuǎn)/分鐘時(shí)，隨后停止(即10秒鐘)導(dǎo)致一些形貌上更好的平面化。雖然SOG被設(shè)計(jì)成在3000轉(zhuǎn)/分或接近3000轉(zhuǎn)/分時(shí)具有高旋轉(zhuǎn)周期，但是旋轉(zhuǎn)過快會(huì)降低平面化，因?yàn)殡x心力不允許SOG均勻地填充間隙。?

在圓滿完成目視檢查和順序檢查后，應(yīng)在SOG線上安裝一瓶IPA。

1.從SOG管線中分配IPA，其數(shù)量應(yīng)確保管線和分配頭沖洗良好。根據(jù)需要清潔分配頭。

2.使用標(biāo)準(zhǔn)旋涂烘焙配方(在分配步驟中關(guān)閉SOG分配)，使用新移液器手動(dòng)分配新打開的SOG。對(duì)測(cè)試晶片進(jìn)行顆粒計(jì)數(shù)。規(guī)格范圍內(nèi)的計(jì)數(shù)表明顆粒不是來自SOG材料。

3.使用生產(chǎn)配方，用異丙醇(而不是SOG)旋涂測(cè)試晶片。通過對(duì)晶片進(jìn)行顆粒計(jì)數(shù)來確定涂布機(jī)的清潔度。

4.如果顆粒計(jì)數(shù)高，再次用異丙醇沖洗涂布機(jī)更長(zhǎng)時(shí)間，并重復(fù)測(cè)試晶片顆粒計(jì)數(shù)。

5.如果顆粒數(shù)極高(幾百個(gè))，則更換新的SOG線。沖洗新管路并重復(fù)步驟4。

6.當(dāng)系統(tǒng)清潔時(shí)，使用SOG進(jìn)行第一次顆粒計(jì)數(shù)。

在旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)上安裝一個(gè)新的SOG瓶，并用SOG沖洗生產(chǎn)線。使用標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)烘烤涂層配方旋轉(zhuǎn)涂覆測(cè)試晶片并進(jìn)行顆粒計(jì)數(shù)。這將表明一個(gè)成功沖洗的系統(tǒng)、清潔的SOG和一個(gè)準(zhǔn)備進(jìn)行生產(chǎn)鑒定的系統(tǒng)。