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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網,關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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用于單晶片清洗的超臨界流體

時間: 2021-11-15
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用于單晶片清洗的超臨界流體

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使用超臨界流體去除污染物的過程,即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度,使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜,并完全去除其中包含的有機和無機污染物。此外,通過在超臨界和亞臨界值之間循環(huán)壓力,顆??梢栽诿}動的膨脹階段被非常有效地排出。超臨界流體的定義可以通過查看相圖來充分理解。?

2中的一氧化碳。關鍵特性是在任何壓力下都不能出現(xiàn)超過臨界溫度(T)的冷凝。T右側和P上方的區(qū)域定義了超臨界狀態(tài)。超臨界流體的密度可以非常高。

二氧化碳作為清洗液:超臨界CO被選為主要清洗液,因為其低粘度(0.05厘米泊)、高擴散率、非常低的表面張力,以及其他環(huán)境、安全和成本考慮。對于CO,臨界溫度T為31℃,臨界壓力也在實際范圍內(Pc=73bar=1050psi)。

3顯示了略高于臨界溫度的等溫線的密度與壓力。密度隨著臨界點附近的壓力而顯著變化。例如,在31℃時,在環(huán)境壓力下,密度僅為0.002g/cm3,而在PC下,密度為0.468g/cm3(增加了234倍)。

高于Pc的CO2具有與有機液體相當的密度和溶劑化能力。對于恒定的溫度,CO2的溶劑濃度隨壓力而變化。物理化學性質可以在Pc以上和以下使用,即超臨界和亞臨界性質在設計良好的清洗過程中都很重要。在這一過程中,流體在兩個壓力之間循環(huán),如圖3所示。

用于單晶片清洗的超臨界流體?

3

晶圓清洗工藝:最近引入了一種使用CO2的晶圓清洗系統(tǒng)。如圖4所示。晶片被裝載在清洗室的上下方塊之間。在加載期間,腔室高度約為5mm,晶片通過頂部塊中的真空夾持保持在其中。然后較低的塊被抬高,直到室被密封,此時腔室高度僅略大于晶圓厚度(1 mm)。在~800磅/平方英寸下加壓的二氧化碳然后通過位于中心的孔供應。在清洗周期中,超臨界流體由液壓機構脈動。下腔塊實際上是薄壁不銹鋼膜,即隔膜。液壓流體壓力通過隔膜的彈性變形改變腔室高度,即超臨界流體壓力根據清潔腔室的體積而變化。壓力通常以25至50赫茲的頻率在800至1200磅/平方英寸之間循環(huán)。

不太頻繁地使用單獨的排出循環(huán)(每1到3秒)來用新鮮流體重新充滿清洗流體。排出循環(huán)是通過降低下腔室塊來實現(xiàn)的,因此在清潔腔室的外周向大氣壓力打開了一個2 pm的間隙。攜帶污染物的液體然后通過通道向外沖入排氣系統(tǒng)。然后密封被重新關閉,新鮮流體通過入口閥進入,入口閥位于晶片室的上方和下方的中心。?

超臨界流體的“儲存能量”是決定清洗效果的主要因素。殘余物在膨脹過程中噴出,超臨界流體在壓縮過程中被迫進入縫隙。40秒的過程通常以這種方式去除所有污染物。然而,可以包括添加劑來改變流體的化學性質、極性或溶劑化能力。?

微觀清洗動力學:壓縮循環(huán)混合并旋轉上部和下部清潔間隙中的流體。密度增加三倍(從0.21到0.63克/立方厘米)。清洗液滲透到分子層和微米級的設備中。大量的流體運動有助于機械擦洗、顆粒移動和有機材料的溶解。在膨脹沖程期間,CO2從超臨界流體變成亞臨界氣體。密度降低三倍,導致快速混合作用和流體從晶片表面流出。高速運動的流體迅速重新定位懸浮的顆粒和溶解的污染物。在排出步驟中,它們被補充清洗液沖出腔室。流感樣病毒在整個過程中的快速流動阻止了病毒的再傳播。

懸浮的污染物從清洗室中被重新移走,在每1到3秒鐘的排出周期中。此時,幾乎所有的流體都以橫向向外的方向從中心排出。然后密封被關閉,向上的二氧化碳被集中注入上部和下部清潔間隙,使晶片變圓。?

凈化設備:雙浮動(DF)、pulsa晶圓清洗裝置如f所示,“DF”名稱指的是t?事實,即晶圓在臨界流體中自由浮動,不接觸晶片的頂部或底部。這是通過適當控制通過下部輸入閥的流體流入來實現(xiàn)的,因此晶圓始終浮動在早期設計的緩沖墊上,只允許清洗晶圓的一側。Th?裝置是一種先進的設計,可以同時清洗晶片的兩面。下部清潔間隙非常小(< 30 pm)。結果,晶片跟隨下腔塊的往復運動。中部的液壓驅動波輪驅動下腔塊。這在上晶片清潔間隙和下晶片清潔間隙中提供了最佳的晶片清潔動作。在未加壓(800磅/平方英寸)的位置,圍繞晶片所有側面的總流體體積只有大約S cm3 (= z N h - z 20 x 20 x 0.0125厘米)。這種低清洗液要求簡化了對液體純度的控制。

?流體性質和腔室設計使得壓力從晶片的頂面到底面變化很小。在任何給定的時間,甚至在沖程期間,腔室中存在基本均勻的壓力分布。在清洗過程中,水被清洗液完全淹沒。因此,晶片不會受到清洗液推力或壓力變化的物理壓力。隔膜是設備設計的關鍵要素。隔膜需要足夠薄,以承受顯著的彈性變形,同時足夠堅固,以承受工藝要求的高操作壓力。

化學處理,如高頻蝕刻(濕法或無水法)不適合留下靜電活化的晶片表面,該表面會吸引顆粒和化學污染物。這種氧化物去除或清潔過程之后通常是進一步的清洗和鈍化晶片表面的處理。用超臨界二氧化碳清洗可以緩解靜電問題,因為晶片和清洗室金屬壁之間的流體體積已經最小化。此外,高壓清潔劑可以包括添加劑以鈍化表面。


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