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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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濕法刻蝕太陽能電池硅切割新技術(shù)的開發(fā)

時間: 2021-11-27
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濕法刻蝕太陽能電池硅切割新技術(shù)的開發(fā)

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引言

利用金剛石多絲鋸切割硅錠,制備了太陽能電池的硅晶片。近年來,由于對超薄硅晶片的需求不斷增加,迫切需要采用不產(chǎn)生硅表面損傷的切片方法。本研究提出了一種基于化學蝕刻技術(shù)的新型硅切片方法。在該方法中,在含有硝酸和HF的蝕刻溶液中用運行絲摩擦硅錠。研究了切片硅的去除特性和表面質(zhì)量。隨著蝕刻劑化學品濃度的增加,去除率提高,而通過優(yōu)化蝕刻劑的成分,可以降低切角。掃描電鏡觀察和拉曼光譜分析結(jié)果表明,該方法對硅表面無損傷作用。該方法比傳統(tǒng)的金剛石線切割產(chǎn)生了更平滑的硅表面。

太陽能電池用硅晶圓是通過金剛石線鋸從硅錠上同時切出多個晶圓的方法制作出來的。 晶圓損壞, 由于這是破損的原因,薄壁晶圓的切出是有限度的1)。另外,從晶圓制作成本削減的觀點出發(fā),要求減少成為削邊的卡洛斯(切斷溝)。因此,通過使用化學作用的新加工方法,進行了硅晶圓的切斷技術(shù)的開發(fā)。在本研究中,嘗試了使用能夠進行硅的高效蝕刻的氟硝酸的切斷技術(shù)的開發(fā)。由于氟硝酸的硅的蝕刻是各向同性地進行的,因此有必要將蝕刻的進行限定在切片方向上。在蝕刻劑浴中,通過用導線摩擦硅,探討了促進縱向蝕刻的方法,并評價了其加工特性。

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實驗

? ? ? 過程中顯示了開發(fā)的切斷實驗裝置。在固定在加工槽中的硅膠的上面供給蝕刻劑,在那里使鋼絲和硅膠接觸,通過運行進行加工。裝置的材質(zhì)考慮到耐化學性,使用了氯乙烯樹脂。另外,鋼絲使用了對硝酸氫氟酸具有很強耐腐蝕性的鎳鉻和不銹鋼(SUS316)鋼絲。進行了加工速度的鋼絲運行速度依賴性的評價。

? ? ? 如圖2所示,與鋼絲運行速度的增加成比例地提高了加工速度。這是由于鋼絲運行速度的增加同時鋼絲和硅之間的摩擦能量增加,由此促進了蝕刻。市售的線鋸采用了700m/min左右的鋼絲運行速度,本技術(shù)也有望通過增加鋼絲運行速度進一步提高加工速度。接下來調(diào)查了蝕刻劑組成對加工特性的影響。

濕法刻蝕太陽能電池硅切割新技術(shù)的開發(fā)?

2加工速度的鋼絲移動速度依賴性

?濕法刻蝕太陽能電池硅切割新技術(shù)的開發(fā)

3腐蝕劑組成對加工特性的影響

3中加工硝酸及氫氟酸濃度顯示了對速度和切斷溝寬度的影響。調(diào)查了氟硝酸的氟酸濃度和硝酸濃度各自對加工特性的影響。加工速度隨著氟酸濃度和硝酸濃度的增加而提高。另一方面, 溝寬只有在氫氟酸濃度增加的情況下才變大,在硝酸濃度增加的情況下沒有看到大的變化。這是因為在硝酸濃度高的條件下,在加工過程中,在切片面上形成了妨礙向切片面方向蝕刻進行的保護膜。使用直徑φ160μm和φ100μm的金屬絲進行加工時的加工溝的光學顯微鏡像。無論哪種情況,都可以將溝寬從金屬絲的直徑控制在10μm左右。根據(jù)以上的結(jié)果,通過使用硝酸濃度高的蝕刻劑,可以降低溝寬。

為了調(diào)查切片引入晶圓表面的損傷, 用拉曼光譜法對切面進行了評價。晶體硅(c―Si)在521cm―1附近作為尖銳的峰被檢出。 有報告指出,非晶質(zhì)(a―Si)在470cm―1附近作為寬峰被檢測出來3)。 在利用金剛石線鋸的切片面上,檢測出了非晶質(zhì)的峰值。與此相對,在蝕刻援用切片的切片面上,只檢測出了晶體硅的峰值。由此,通過開發(fā)技術(shù),確認了可以得到?jīng)]有損傷的切面。接著,通過相移干涉顯微鏡進行了切片面粗糙度的測定。在利用蝕刻的切片方法中,通過蝕刻形成的圖案,確認了切面是粗糙的面。可以認為,這是由于利用氟硝酸對硅進行蝕刻而產(chǎn)生的氣泡。有報告稱,通過減少氟硝酸中的水量,可以減少氣泡的產(chǎn)生。因此,在使用用水稀釋了硝酸氫氟酸的蝕刻劑、用醋酸稀釋了的蝕刻劑、高硝酸濃度的蝕刻劑的情況下,分別測定了切斷面的粗糙度,并與金剛石線鋸的切斷面的粗糙度進行了比較。在用醋酸稀釋了蝕刻劑的情況和沒有稀釋的情況下,成功地降低了切片面的粗糙度。最后,為了評價工具線的耐久性,對加工前后的工具線進行了觀察。

7顯示了加工前后的工具線的光學顯微鏡像。在測量加工60分鐘后的線的直徑時,沒有確認直徑的減少。

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結(jié)果和討論

? ? ? 作為太陽能電池用硅的無損傷的新切片方法,開發(fā)了利用氟硝酸對硅進行蝕刻的方法。 對其加工特性進行了評價。其結(jié)果證實了以下幾點:1)通過在蝕刻劑液體中用線材摩擦硅來進行硅的切片加工;(2)通過提高線材運行速度來提高加工速度;(3)通過優(yōu)化蝕刻劑的組成來進行低槽寬的加工;通過提高蝕刻劑的濃度來提高加工速度;(4)通過使用乙酸或高硝酸濃度的蝕刻劑作為蝕刻劑的稀釋劑來改善切片表面的粗糙度;(5)通過應用濕蝕刻劑的硅切片方法來進行無損傷的加工。


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