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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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硅與玻璃晶圓鍵合的鍵合能研究

時間: 2021-12-06
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硅與玻璃晶圓鍵合的鍵合能研究

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引言

鍵合能在晶片鍵合過程中起著重要的作用,并研究了鍵能的溫度依賴性,以了解各種玻璃在硅/玻璃界面上的物理/化學相互作用。一些主要的玻璃屬性,如表面粗糙度、楊氏模量、應(yīng)變點、CTE和玻璃成分,已被評估為與成鍵能相關(guān),雖然其他屬性已被證明對粘合能不顯著,但已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了與玻璃表面粗糙度、玻璃的應(yīng)變點和玻璃中的堿性含量有顯著的相關(guān)性。

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實驗

6英寸的硅和玻璃晶片制作粘合對進行測量,硅晶片均為優(yōu)質(zhì)(100)p型和單側(cè)拋光,一些玻璃晶圓經(jīng)過拋光,而康寧1737玻璃、鷹XG玻璃和玉玻璃沒有拋光,因為它們最初是由康寧專利的融合繪制工藝由薄片形成的,然后編織成晶片。在每兩個退火過程之間,重新測量粘合能,直到刀片在測量過程中打破玻璃。

用稀釋的HF清洗硅片以去除天然氧化物,去離子臭氧水去除有機物,用稀釋的NH4OH/?H2O2混合物去除金屬污染物用稀釋的NH4OH/?H2O2混合物和去離子臭氧水清洗玻璃晶片,一旦晶片被清洗,就遵循晶片粘合過程,形成粘合對,粘接過程是在一個受控的環(huán)境下,即100級潔凈室設(shè)施下,在室溫下進行的。硅粘合到玻璃上后,粘合對加載到一個定制的大氣陽極粘結(jié)器上,而不是熱板。粘結(jié)器由頂部和底部的加熱板組成,在退火過程中,兩個板都以中等的力接觸粘合對,這足以保持對。因此,在成鍵對之間的溫度分布非常均勻,溫度坡道非常穩(wěn)定和可控超調(diào)溫度總是小于目標溫度的3%。在退火過程中沒有施加任何電壓。

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結(jié)果與討論

在用濕化學方法清洗玻璃之前,用非接觸式Zygo輪廓儀測量了玻璃的表面粗糙度,只有康寧1737年玻璃、鷹XG玻璃和翡翠玻璃是熔合畫玻璃,其他的眼鏡都被拋光了。根據(jù)測量結(jié)果,石英和Pyrex的表面粗糙度比其他玻璃要高得多(圖2)。清洗后,所有玻璃在表面均表現(xiàn)出微粗化效應(yīng)。換句話說,所有玻璃的表面粗糙度都增加了(圖3)。

硅與玻璃晶圓鍵合的鍵合能研究?

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硅與玻璃晶圓鍵合的鍵合能研究?

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在清洗過程中仍然是最粗糙的,石英仍然是第二粗糙的。清潔玻璃表面的化學成分似乎對吡咯酮有最顯著的粗化效應(yīng),因為均方根增加了7A。相比之下,石英似乎在清潔過程中保持完整石英表面幾乎沒有粗糙化。康寧的熔合畫玻璃對濕化學清洗過程的耐化學性能優(yōu)于除石英以外的其他玻璃。

硅和玻璃晶片清洗后,它們在室溫下粘合。在100oC、150oC、200oC、250oC和300oC退火后,在室溫下測量每個鍵對的鍵能。對于大多數(shù)鍵對,鍵能超過了300oC以下的玻璃彈性能。因此,當兩個基片試圖裂開時,玻璃基板破裂了,在這種情況下,粘合被認為是“有一定的”的玻璃厚度。玻璃的厚度分別為0.5mm或0.63mm,并進行了粘接。

?硅與玻璃晶圓鍵合的鍵合能研究

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根據(jù)鍵能隨溫度的變化,鈉石灰玻璃在最低溫度150oC時完成了與硅晶片的鍵能,鍵能最高(圖4)。硼合金玻璃和康寧1737年玻璃的粘合能第二高。然而,硼合金玻璃在200oC處完成了粘合,而康寧1737玻璃直到250oC才完成粘合。它們在較低的溫度下具有非常相似的成鍵能,但在150oC時開始偏離。蘇石灰浮法玻璃(即傳統(tǒng)浮法玻璃或現(xiàn)代窗玻璃)是堿堿土硅酸鹽玻璃家族的成員。這種玻璃沒有

含有任何硼化合物。相反,它的堿土含量為12-16%,并且含有更高的堿堿比例(約。15%氧化鈉)比硼。在這三種表面粗糙度相似的玻璃中,玻璃中堿性含量越高,結(jié)合能越高,鍵完成溫度越低。鷹XG玻璃和玉玻璃的表面粗糙度與前三種玻璃的表面粗糙度大致相同,但粘合能較低。鷹XG玻璃和玉玻璃的粘合能曲線在200oC以下幾乎重疊,但鷹XG玻璃在較高的溫度下完成了粘合。眾所周知,鷹XG玻璃和玉玻璃的堿性含量都低于蘇打水、硼礦和康寧1737玻璃。石英在粘合前的表面比上述玻璃稍粗糙。因此,可以理解石英的成鍵鍵合能較低是可以理解的。石英的粘合能曲線實際上與100oC以下的鷹XG玻璃和玉玻璃的曲線幾乎重疊。當溫度上升到150oC時,石英和其他兩種玻璃之間的鍵能差開始變?yōu)樾盘?/span>

其他玻璃屬性,如應(yīng)變點、CTE和楊氏模量已經(jīng)被評估,以證明與鍵能的相關(guān)性。表一列出了正在研究的眼鏡的所有三個物理屬性。顯然,成鍵能與楊氏模量和CTE之間沒有顯著的依賴性。在上?另一方面,我們發(fā)現(xiàn)玻璃的應(yīng)變點與粘合能成反比。已知應(yīng)變點和堿性含量是相互關(guān)聯(lián)的。通常,應(yīng)變點隨著玻璃中堿性含量的增加而降低。Pyrex再次異常,因為表面粗糙度主導(dǎo)著鍵能。

與硅對硅(Si/硅)晶圓粘合相比,已經(jīng)觀察到硅對玻璃(Si/玻璃)晶圓鍵合在溫度上非常明顯的鍵合動力學。親水鍵的Si/玻璃對在較低的150-300oC溫度范圍內(nèi)形成非常強的鍵,而Si/Si鍵對直到800oC才完成鍵。對楊氏模量和CTE進行了評估,發(fā)現(xiàn)它們對成鍵能沒有貢獻。另一方面,玻璃的表面粗糙度、應(yīng)變點和堿性含量顯著占鍵能。眾所周知,在硅/硅晶圓鍵合中,表面粗糙度的貢獻是重要的。然而,玻璃中堿性含量增強成鍵能的機理尚未得到研究。由此可見,獲得高粘合能的前提因素是表面光滑,即表面粗糙度低,而玻璃中的堿性含量可以隨著溫度的升高而進一步增強粘合能。堿金屬和/或堿土隨著基底溫度的升高而被動員起來。


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