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硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
本發(fā)明涉及評(píng)估硅晶片內(nèi)部缺陷(defect)的方法，在半導(dǎo)體器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高純度多晶硅棒后。隨著超大規(guī)模集成(ULSI)電路設(shè)備(device)密度的增加，設(shè)備所在晶片表面的活動(dòng)區(qū)域沒有缺陷和污染，安全的降級(jí)區(qū)，特別是，在設(shè)備制造過程中，被熱遺棄的晶片內(nèi)部的缺陷不僅表明消除對(duì)設(shè)備電氣特性有致命影響的金屬雜質(zhì)的有益影響，而且對(duì)晶片的強(qiáng)度也有重要影響，因此準(zhǔn)確評(píng)價(jià)晶片到目前為止，硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)一直是通過將熱處理過的晶片切割干凈或角聚化后用光(wright)蝕刻液不均勻地蝕刻缺陷，用光學(xué)顯微鏡觀察蝕刻過的缺陷部位來進(jìn)行的。
從上述晶片的切面簡(jiǎn)單地用光蝕刻來評(píng)價(jià)出現(xiàn)的缺陷密度的方法具有簡(jiǎn)單可行的優(yōu)點(diǎn)，但根據(jù)硅片的類型，表面出現(xiàn)了artifact，觀察缺陷有困難。將現(xiàn)有硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)球晶顯示在第一度。根據(jù)上述方法，特別是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蝕刻后表示良好的morphology(形態(tài))，但P(111)、N(111)內(nèi)部存在的缺陷種類及密度的技術(shù)相當(dāng)重要。
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù))存在的問題，目的是通過對(duì)所有硅片形成良好的Mopolo紙，提供一種硅片蝕刻預(yù)處理方法，以準(zhǔn)確評(píng)估熱處理和外延生長(zhǎng)后硅晶圓內(nèi)部有機(jī)缺陷的種類和密度。此外，還對(duì)硅片進(jìn)行角聚化，對(duì)上述角聚化的硅片進(jìn)行最終聚化，]對(duì)上述最終聚化的硅片進(jìn)行超聲波清洗后，用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅片進(jìn)行SC-1清洗后，用去離子水沖洗，將上述清洗和沖洗的硅片用佛山三次后，用去離子水沖洗。
首先準(zhǔn)備熱處理和外延生長(zhǎng)的硅片樣品，用大約40分鐘對(duì)晶片水平面傾斜0度17分鐘至11度32分鐘，得到角度聚合的硅片。將上述憤怒的硅片聚合約10分鐘，最終聚合?？梢栽谏鲜鼋嵌葤伖庵惺褂貌ＡО寤驖{料。上述超聲波清洗將起到清除硅片表面異物的作用。 在第二圖中表示了根據(jù)本發(fā)明使用蝕刻預(yù)處理方法的硅晶片內(nèi)部耦合評(píng)價(jià)方法。在上述評(píng)價(jià)方法中，將經(jīng)過刻蝕預(yù)處理過程的硅片浸泡在光溶液中約5分鐘，蝕刻缺陷染色。用后去離子水沖洗5分鐘，用光學(xué)顯微鏡觀察晶片樣品。
將P(111)晶片樣品對(duì)硅片的水平面傾斜11度32分鐘，用玻璃板對(duì)其進(jìn)行40分鐘角化[0016]聚合后，用聚合墊(Suba公司制造)在10分鐘前進(jìn)行最終聚合。用超聲波將這個(gè)假裝5分鐘，然后用去離子水沖洗10分鐘。用氨、過氧化氫和去離子水的比例為1:2:30的SC- 1清洗10分鐘，用去離子水沖洗5分鐘。再次用佛山和去離子水比例為1:30的佛山清洗5分鐘，用去離子水沖洗5分鐘，然后浸泡在光溶液中5分鐘，稱為缺陷染色，用去離子水沖洗5分鐘。通過光學(xué)顯微鏡觀察經(jīng)過上述過程的晶片樣品，并將結(jié)果顯示在第3(a)圖中。
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圖4b
除了上述比較例1中使用了N(111)晶片樣本外，與比較例1實(shí)際上實(shí)施相同，結(jié)果顯示在第4(b)圖中。
從上述結(jié)果可以看出，通過實(shí)施例的方法蝕刻染色的硅晶片與比較例相比，沒有形成沉積物[0031]，形成了良好的Mopolo紙。根據(jù)本發(fā)明的硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括所有種類的硅晶片，特別是P(111)、N(111)、P [0032] Epi/N(100)、N Epi/N(100)、N Epi此外，還可用于硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)及設(shè)備過程的開發(fā)分析。
最終聚合角度聚合的硅片，用超聲波清洗上述最終聚合的硅片后，用去離子水沖洗，上述清洗和沖洗的硅片用SC-1清洗后，用去離子水沖洗；清洗和沖洗的硅片用佛山清洗后，用去離子水沖洗的步驟，含有的將硅片角化；對(duì)上述角度聚合的硅片進(jìn)行最終聚合；用超聲波清洗上述最終聚合的硅片后，用去離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片用SC-1清洗后，用去離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片用佛山清洗后，用脫離子水沖洗；上述清洗和沖洗的硅片沉積在光蝕刻液中，以染色蝕刻；用光學(xué)顯微鏡觀察上述染色蝕刻的硅片；含有的硅片內(nèi)部缺陷評(píng)估方法。