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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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半導(dǎo)體制造過程中濕臺清洗階段的防火研究

時間: 2022-03-14
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半導(dǎo)體制造過程中濕臺清洗階段的防火研究

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引言

根據(jù)FM(工廠互助)保險公司的研究報告,在過去的二十年里,發(fā)生在半導(dǎo)體工廠的大多數(shù)事件都被認定為“火災(zāi)案例”這些報告聲稱濕化學(xué)清洗工藝中的火災(zāi)主要是由加熱器故障引起的,然而,根據(jù)工藝條件,加熱器被設(shè)計成當溫度超過設(shè)定值時自動關(guān)閉。因此,有必要對濕化學(xué)清洗過程中的火災(zāi)模擬進行深入研究。

基本上,涉及工業(yè)大量損失的事故可能是由化學(xué)不相容引起的。本研究的重點是濕化學(xué)清洗工藝中清洗材料的不相容行為。它還試圖驗證半導(dǎo)體工廠制造過程中濕化學(xué)清洗過程中的火災(zāi)原因。

本研究的目的不僅是確定此類過程中的火災(zāi)原因,還研究常用化學(xué)品(過氧化氫、濃硫酸、濃鹽酸和異丙醇)的潛在危害。因此,這將導(dǎo)致建立濃度三角圖,該圖可用于識別可燃區(qū)、爆燃區(qū)甚至爆震區(qū)。最后,這項研究可以為基礎(chǔ)設(shè)計數(shù)據(jù)提供一種更安全的方法,以避免危險混合物造成的潛在危險,這可能導(dǎo)致半導(dǎo)體工廠的巨大財產(chǎn)損失。

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介紹

由于自20世紀80年代以來,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)濟重要性方面的出色表現(xiàn),以及火災(zāi)危險或意外化學(xué)物質(zhì)釋放數(shù)量的增加,不僅臺灣需要相關(guān)研究,全世界也需要相關(guān)研究。該研究集中于半導(dǎo)體制造行業(yè)濕法化學(xué)清洗過程中火災(zāi)事故的主要原因,以便充分制定積極措施

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化學(xué)品和不兼容性。

鑒于該行業(yè)的競爭市場,任何異常停工或意外事件都是不可接受的。比如1984年博帕爾事故發(fā)生時,聯(lián)合碳化物公司是世界第七大化工公司;大量人員受傷和生命損失導(dǎo)致47億美元的賠償以及第二年支付的一倍高的保險費。最后,聯(lián)合碳化物公司在事故發(fā)生17年后幾乎消失在世界上。因此,有了嚴格的法規(guī),仔細研究半導(dǎo)體行業(yè)的工藝操作安全和潛在危險是很重要的。

在半導(dǎo)體工藝中,許多化學(xué)物質(zhì)用于濕工作臺。濕法工作臺工藝可分為RCA-Clean工藝化學(xué)品、蝕刻酸和溶劑,分別可用于清潔、蝕刻、曝光和光刻膠反應(yīng)。在每個過程之后,超純水可以用于晶片清洗。但是為了避免水痕和達到干燥效果,異丙醇,CH3CHOHCH3,(IPA)將被用于去除水漬,半導(dǎo)體工業(yè)中使用的化學(xué)品的市場范圍在1999年之前接近全球212億美元,并且每年都在穩(wěn)步增長??紤]到這些大量的化學(xué)物質(zhì),半導(dǎo)體行業(yè)需要更加注意更安全的操作,尤其是不相容反應(yīng)。本研究的目的是在半導(dǎo)體清洗化學(xué)過程中使用濕化學(xué)品,如過氧化氫(H2O2)、濃硫酸(H2SO4)、鹽酸(HCl)和異丙醇,以進行不相容反應(yīng)并觀察各種混合物材料之間的現(xiàn)象。

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結(jié)果和討論

各種不相容樣品。原則上,濕化學(xué)清洗過程中使用了許多化學(xué)品。因此,在進行危害評估之前,應(yīng)選擇比其他物質(zhì)具有更高潛在危害的物質(zhì),然后進行進一步的不相容性實驗。表1顯示了各種不相容性樣品測試的結(jié)果。根據(jù)美國海岸警衛(wèi)隊的經(jīng)驗標準,在實驗過程中,觀察到超過25℃的溫度上升——這被定義為化學(xué)不相容性。因此,通過觀察H2O2 + H2SO4和H2O2 + HCl的混合物,滴定順序的判斷。由于滴定實驗中需要混合三種物質(zhì),因此需要判斷進入玻璃燒杯的順序。表2顯示了在酸與H2O2或IPA結(jié)合后,都可能升高不相容溫度并改變?nèi)芤侯伾默F(xiàn)象。因此,最終的滴定順序是將酸引入滴定管,然后將其倒入最初含有H2O2和IPA混合溶液的玻璃燒杯中。

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標準實驗。根據(jù)濕化學(xué)清洗過程中嚴格使用的化學(xué)品H2O2 (31重量%)、H2SO4 (98重量%)和IPA (100重量%)的真實濃度進行了一系列實驗,演示了不同重量濃度混合比下的不相容性滴定試驗。最終結(jié)果和繪制的重量濃度三角形顯示在圖3中。測試系列的發(fā)展表明,在重量濃度三角形左上角的測試中,它沒有明顯的反應(yīng)。然而,右下角有劇烈的不相容反應(yīng),分別顯示溢出、沸騰(定義為溫度升至100℃或以上)、冒煙和冒泡(兩相釋放、混合)現(xiàn)象(如圖4-7所示)。隨著H2O2重量濃度的增加,H2SO4和IPA都降低,或者當H2SO4增加且H2O2隨著IPA降低而增加,或者當IPA增加且H2O2和H2SO4都降低時,在重量濃度三角形中出現(xiàn)顯著的溫度升高。從實驗結(jié)果來看,在這些SPM-Normal實驗中,伴隨著反應(yīng)機制的變化,出現(xiàn)了各種各樣的現(xiàn)象。當H2O2的重量濃度最高時,反應(yīng)會放熱并迅速蒸發(fā),產(chǎn)生溢出和沸騰現(xiàn)象,并伴隨大量煙霧和氣泡。此外,當H2SO4的量占優(yōu)勢時,最終產(chǎn)品呈現(xiàn)深色和泡沫狀。如果IPA在混合比例中占優(yōu)勢,反應(yīng)會產(chǎn)生圓形煙霧并持續(xù)很長時間。

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順序測試的反應(yīng)類型歸因于第n級現(xiàn)象

其定義為,在滴定污染酸后,溫度突然升高(接近1~2分鐘)至最大值,然后降至環(huán)境溫度。因此,本研究中反應(yīng)時間的定義,即所謂的達到最高反應(yīng)溫度的時間(TMRT),是從初始溫度到最高溫度的時間段。在連續(xù)測試中,平均TMRT是44.7秒。在所有有沸騰現(xiàn)象(最高溫度等于或大于100平均TMRT是39.8秒。同時,通過USCG經(jīng)驗標準判斷所有的不相容反應(yīng)試驗,初始溫度和最高溫度之間的溫差超過25℃ (Duh,1997)。這里,測試號6、9、10和16~36的平均反應(yīng)溫度為89.0℃,同時測試的沸騰現(xiàn)象為106.3℃。因此,在這些有不相容現(xiàn)象的順序測試中,平均升溫速率為2.0℃/分鐘,沸騰現(xiàn)象為2.7℃/分鐘。

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總之,實驗結(jié)果表明,在半導(dǎo)體的濕化學(xué)清洗過程中,實際利用的濃度和混合比顯著顯示出潛在的危害。此外,在這些順序測試中,最嚴重的危險混合比由測試確定。具有沸騰現(xiàn)象且反應(yīng)時間較短的危險區(qū)域如圖所示8.此外,圖7顯示了H2O2、H2SO4的最大危險趨勢曲線和IPA。這個真實的過程部分表明,不兼容的危險只允許在很短的時間(1分鐘)內(nèi)進行緊急救援行動。此外,這種不相容反應(yīng)會產(chǎn)生大量蒸汽和煙霧,從而提高潔凈室中的離子濃度,并可能破壞整個工藝區(qū)域,包括附近的設(shè)備。因此,半導(dǎo)體工廠濕法化學(xué)清洗過程中發(fā)生的火災(zāi)不僅可能是由FM Global聲稱的加熱器故障引起的,還可能是由化學(xué)不相容反應(yīng)引起的突然放熱反應(yīng)和溫度升高引起的。

SPM-回收和SPM-H2O2濃縮實驗。為了降低成本,半導(dǎo)體工廠都試圖回收有用的化學(xué)物質(zhì),其中硫酸是典型的一種。通常,再循環(huán)濃度為70重量%。此外,為了闡明H2O2的濃度效應(yīng),本研究還進行了對比實驗,以評估其再循環(huán)濃度高達45 wt%。從實驗結(jié)果來看(見圖9和圖10),在兩個連續(xù)測試中都沒有出現(xiàn)明顯的反應(yīng)現(xiàn)象。雖然這兩種反應(yīng)類型都屬于第n級反應(yīng),但沒有任何測試號顯示不相容的溫升。因此,在進行安全工藝設(shè)計時,可以考慮這兩個試驗系列的使用化學(xué)濃度和混合比。

HPM-正常實驗。這些順序?qū)嶒灴梢阅M濕化學(xué)清洗過程中使用的化學(xué)品H2O2 (31重量%)、HCl (37重量%)和IPA (100重量%)的真實濃度,以進行不同重量濃度混合比下的不相容性滴定試驗。最終結(jié)果如表4所示,繪制的重量濃度三角形如圖11所示。隨著與溢流、鼓泡、冒煙和兩相釋放相關(guān)的連續(xù)試驗的反應(yīng)現(xiàn)象,出現(xiàn)了劇烈反應(yīng)之前的誘導(dǎo)期,如圖12所示。隨著H2O2重量濃度和HCl隨著IPA的減少而增加,或者當HCl重量濃度和H2O2隨著IPA的減少而增加時,或者當IPA 隨著H2O2和H2SO4的減少而增加時,在重量濃度三角形中,每一個都有顯著的溫度升高。

此外,這些測試系列的反應(yīng)類型被確定為自催化現(xiàn)象,觀察到其具有誘導(dǎo)期,隨后是快速達到最高溫度的顯著反應(yīng)。在這個測試系列中,平均TMRT是284.3秒。同時,用USCG經(jīng)驗準則判斷整個不相容反應(yīng)試驗,試驗次數(shù)為17~36次,平均反應(yīng)溫度為62.9 ℃。因此,在這些顯示不兼容現(xiàn)象的測試系列中,平均溫度上升速率為0.2℃/分鐘。

總之,實驗結(jié)果表明,半導(dǎo)體工廠的濕化學(xué)清洗過程中的實際利用濃度和混合比潛在地具有顯著的危害。此外,在測試中,混合比最危險的危險是測試號33。這里,圖13顯示了反應(yīng)時間較短、存在不相容現(xiàn)象的危險區(qū)域。圖13還顯示了H2O2、HCl和IPA的最大危險趨勢曲線。因此,雖然這個真實的過程部分表明存在不相容的危險,但救援人員應(yīng)該非常小心,因為它沒有明顯的危險現(xiàn)象,并且很難觀察到熱量會積聚以觸發(fā)反應(yīng)的誘導(dǎo)期。由于這個原因,潛在的危險比SPM-Normal過程更危險,因為自催化分解相當劇烈,并且在達到加速期之前不會被注意到。

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結(jié)論和建議

顯然,半導(dǎo)體工業(yè)中的濕化學(xué)清洗過程潛在地具有巨大的危險,包括溢出、沸騰、起泡、兩相釋放和不相容反應(yīng)現(xiàn)象。此外,SPM和HPM過程在反應(yīng)類型等方面也有顯著差異——前者是n級反應(yīng),后者類似于自催化反應(yīng)。但如果酸的使用濃度降低,是否增加H2O2的重量濃度,不會引起任何不相容的危險。因此,為了預(yù)防和降低這些意外事故成本,電廠人員應(yīng)準確了解各工藝階段的操作條件,并建立本質(zhì)上更安全的方法-不僅使用常規(guī)方法來預(yù)防火災(zāi),而且應(yīng)用更安全的設(shè)計并在操作過程中提高安全性。

在這項研究中,正確繪制了特定過程中物質(zhì)的重量濃度三角形,可以預(yù)測危險區(qū)域并確定的安全性。

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