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通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。

蝕刻速度應與應用相稱，需要非常淺的蝕刻的應用應該具有相對低的蝕刻速率以保持控制，相反對于具有非常深的特征的應用，實際上蝕刻速率更快以避免冗長的處理時間。重要的是要認識到其他參數會影響蝕刻速率，例如開口面積的大小或結構的縱橫比(特征寬度/特征深度)，當調整蝕刻速率時，在均勻性、輪廓或選擇性之間也可能存在折衷，縱橫比也影響蝕刻速率，因為縱橫比越大，蝕刻速率越慢。

蝕刻中的均勻性是對特定參數下整個晶片一致性的度量，通常，均勻性是指蝕刻速率，但它也可以指其他蝕刻后特征，如選擇性和輪廓，由于數據是測量值的集合，因此通常使用統(tǒng)計數據，通過標準偏差來確定數據的分布，通常將一致性稱為一個、兩個或三個西格瑪，另一種方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值)，必須記住識別由于箝位或其他邊緣效應而應排除度量的區(qū)域。

輪廓是指已經被蝕刻的特征的輪廓或斜率，有些應用需要垂直剖面，有些應用需要傾斜剖面，當開發(fā)一個規(guī)范時，概要文件經常被作為要考慮的參數之一，輪廓控制是材料、工藝和掩模的函數。選擇性是兩個蝕刻速率之間的比率，通常是被蝕刻的材料和掩模之間的比率，通常，選擇性越大，掩模越垂直，就越容易蝕刻垂直輪廓，選擇性可以通過選擇遮罩進行調整:硬遮罩或軟遮罩，軟指的是光致抗蝕劑掩模，而硬指的是金屬(例如鎳、鉻、鋁)或電介質，例如氧化硅或氮化硅，調整選擇性的另一種方式是通過調整影響相對蝕刻速率的工藝。

溫度對大多數材料的影響是蝕刻速率的增加，雖然看起來選擇性會隨著溫度的升高而保持不變，但并不是所有材料的蝕刻速率都會以相同的比例增加，一個例子是InP:在較低溫度下，InP的蝕刻速率相對較慢，與氧化硅相當，但是在高溫下，InP的蝕刻速率遠遠超過電介質掩模的蝕刻速率，另一個例子是用氧化硅掩模蝕刻硅，在這種情況下，選擇性隨著溫度的升高而降低。

襯底溫度與所謂的“熱預算”相關，熱預算指的是樣品在加工過程中可以承受的高溫，例如，如果溫度過高，一些需要蝕刻的磁性材料可能會失去一些獨特的性能，光致抗蝕劑或臨時晶片結合材料可能會限制處理溫度。每個應用都有特定的溫度要求，選擇能夠在您的溫度范圍內準確提供結果的設備是一個至關重要的考慮因素。

表面形態(tài)是指表面的微觀粗糙度，并非所有的應用都要求表面具有原子級的光滑度，說一個曲面光滑只是相對而言的，好在有計量學可以讓形態(tài)學定量化，原子力顯微鏡可以測量亞埃范圍內的粗糙度(光滑度)，白光干涉測量法也用于觀察物體表面的細節(jié)，掃描電子顯微鏡圖像有時可以提供定量信息，但在比較表面時效果更好，側壁形態(tài)是許多光子器件如波導和邊發(fā)射激光器的相關度量，然而，通常難以量化蝕刻的影響并將其與初始掩模粗糙度分開。

還有實際測量損害的挑戰(zhàn)，簡單地構建一個設備并觀察到其性能不如預期是費力的，并且可能令人沮喪，通常需要試驗車輛和多種分析技術來明確識別損傷源，作為替代，建議對可能的損壞機制以及它們如何影響設備有所了解，例如，具有鉸接結構的微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可能不會受到紫外線輻射產生的等離子體的影響，有時，通過表面分析計量(例如能量分散X射線分析)可以很容易地得到答案，而其他時候，通過襯底偏壓控制離子能量就可以得到答案，由于損傷的復雜性質和發(fā)現其來源的困難度量，它很少作為一個規(guī)范包括在內。

可重復性代表使用相同設備多次獲得相同結果的能力，類似于晶片內的均勻性，可重復性指的是批次間的測量，與均勻度一樣，通常使用標準偏差計算或((最大–最小)/ (2 x平均值))表達式來定量定義該參數，它通常被稱為晶片間的一致性。