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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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中央化學(xué)品配送CDS系統(tǒng)工藝

時(shí)間: 2017-01-10
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??從半導(dǎo)體原材料到轉(zhuǎn)化為各式各樣的集成電路或者分立器件,其轉(zhuǎn)化過(guò)程利用了幾百種復(fù)雜程度不同的化學(xué)反應(yīng)。毫無(wú)疑問(wèn),在半導(dǎo)體的制造工業(yè)中,需要大量的特殊材料和化學(xué)品。芯片制造首要是一種化學(xué)工藝,或者更準(zhǔn)確地說(shuō),是一系列的化學(xué) 物理工藝過(guò)程,高達(dá)20%工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。

??近年來(lái)光電與光伏半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展迅速,相關(guān)的制程越來(lái)越復(fù)雜,線寬越來(lái)越窄(已將進(jìn)入納米級(jí)),工藝要求也越來(lái)越高,生產(chǎn)過(guò)程需要使用大量的化學(xué)藥品,而這些化學(xué)品都具有一定危險(xiǎn)性和腐蝕性,稍有疏忽,就會(huì)造成人員傷亡和設(shè)備的損失,所以如何將這些化學(xué)品在保證品質(zhì)的前提下安全輸送到制程設(shè)備并安全使用是至關(guān)重要的,同時(shí)如何將這些使用過(guò)的化學(xué)品合理地回收處理,也將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工廠生產(chǎn)安全的重要問(wèn)題,這些都對(duì)工廠各系統(tǒng)的持續(xù)無(wú)故障運(yùn)行能力以及所提供的制程相關(guān)原料品質(zhì)提出了更高的要求。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)中,化學(xué)液供應(yīng)系統(tǒng)主要以中央供應(yīng)系統(tǒng)為主,用量較少之化學(xué)液則采取人工供應(yīng)方式。

?? 中央化學(xué)液供應(yīng)系統(tǒng)縮寫(xiě)為CDS(Chemical Dispense Systerm)或者簡(jiǎn)寫(xiě)為BCD(Bulk Chemical Distribution),它是為生產(chǎn)線24h不間斷供應(yīng)化學(xué)液的系統(tǒng)。一般使用CDS系統(tǒng)的化學(xué)液都有需求量大、危險(xiǎn)性高的特點(diǎn)。

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CDS系統(tǒng)上主要供應(yīng)給以下的工藝步驟:

  • 光刻顯影制程需要的化學(xué)液顯影芯片圖案;

  • 晶圓清洗制程需要的化學(xué)液用以清洗芯片上的雜質(zhì)、微粒子等;

  • 濕法刻蝕制程需要的化學(xué)液用以刻蝕.芯片圖案;

  • 薄膜制備制程需要的化學(xué)氣相沉積前置反應(yīng)物;

  • 化學(xué)機(jī)械拋光制程需要的化學(xué)液用以拋光芯片.

  • 研磨制程需要的化學(xué)液用以研磨芯片:

清洗配件載體需要的化學(xué)液用以清洗制程設(shè)備零配件,半導(dǎo)體各個(gè)制程中使用的工藝會(huì)對(duì)運(yùn)輸?shù)皆O(shè)備的化學(xué)液提出各種要求,其中對(duì)化學(xué)液的溫度、濃度、成分比例、狀態(tài)、反應(yīng)或者混合時(shí)間、使用量的人小、流速等都有具體的要求,所以在運(yùn)輸前、運(yùn)輸中以及運(yùn)輸后這些狀態(tài)是否要達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),是否會(huì)隨著運(yùn)輸或者儲(chǔ)存時(shí)間狀態(tài)發(fā)生變化。這些因素決定了化學(xué)液注入最終使用設(shè)備是否能直接參與工藝使用。

半導(dǎo)體工藝過(guò)程中主要使用的化學(xué)液大致可分四類,酸、堿、有機(jī)物化學(xué)研磨液、配比類化學(xué)液。

(l)酸。含有氫離子的液體叫做酸,包括HF、HNO3、H2SO4、王水和H3PO4等,以下是一些在半導(dǎo)體加工中常用的酸及其用途:

a)氫氟酸HF,是氟化氧的水溶液,無(wú)色透明液休,蒸汽有刺激臭味,劇毒。通過(guò)氫氟酸溶解二氧化硅這一特性來(lái)腐蝕玻璃、石英和硅片表面上的氧化層來(lái)達(dá)到刻蝕和請(qǐng)洗的目的。

b)鹽酸HCL,是氯化氫氣體溶解于水制得的無(wú)色透明有刺激性氣味的液體,腐蝕性強(qiáng),易揮發(fā)鹽酸、雙氧水和去離子水組成SC2溶液。通過(guò)雙氧水氧化污染的金屬,而酸與金屬離子生成可溶性的復(fù)化物而溶解,最終達(dá)到去除金屬污染物的目的。

c)硫酸H2SO4,無(wú)色無(wú)嗅的油狀液體。濃度95%-98%,相對(duì)體積質(zhì)量為1.838的硫酸為濃硫酸,氧化性強(qiáng)、吸水脫水性、腐蝕性強(qiáng)和高沸點(diǎn)難揮發(fā)性等,Piranha Clean溶液由硫酸和雙氧水組成,通過(guò)硫酸及雙氧水的強(qiáng)氧化性和脫水性破壞有機(jī)物的碳?xì)滏I,去除有機(jī)不純物。

(2)堿,含有氫氧離子的液體叫做堿,包括NH3.H2O、NAOH、KOH和氫氧化四甲基銨,以下是一些在半導(dǎo)體加工中常用的堿及其用途:

a)氨水NH4OH。SC1溶液是由氨水、雙氧水和去離子水組成。通過(guò)利用氮水的弱堿性活化硅晶圓及微粒子表面,使Wafer表面與微粒子間產(chǎn)生了相互排斥作用,以達(dá)到去除微粒子的作用。并且氨水與部分過(guò)度金屬離子形成可溶性絡(luò)合物,去除金屬不溶物。具有氧化作用的雙氧水氧化wafer表面的作用,然后氮水對(duì)硅氧化物進(jìn)行微刻蝕,去除顆粒。

b)氫氧化鉀KOH,溶有硅土(Silica,SiO2)的氫氧化鉀溶液或者氨水溶液,使用在化學(xué)機(jī)械拋光制程中,是一種界電層平坦化研磨液,還是組成光刻后顯影液的一種成分

(3)有機(jī)溶劑,包含異丙醉、NMP、乙醉、顯影液、光刻膠稀釋劑等等。以下是一些在半導(dǎo)體加工中常用的有機(jī)溶劑及其用途:

a)異丙醇,行業(yè)中稱為IPA,無(wú)色透明液體,氣味和乙醇類似,易燃易爆易揮發(fā),有中度毒性。常利用IPA和水氣溶的特性作為晶圓的干燥劑。

b)丙酮,無(wú)色刺激性氣味液體,易燃.中毒毒性,腐蝕性強(qiáng).常用于黃光室里正光阻清洗去除。常用化學(xué)液的主要危害性見(jiàn)表1。

(4)配比類化學(xué)品

?如SC一l、SC一2、DHF、BOE、SPM等配比化學(xué)品。

SC一l(也稱RCA一l):由H202、NHOH、DIW組成。早期一般質(zhì)量比為1:1:5,現(xiàn)在質(zhì)量比為1:1:30。

需要在使用前才混合。使用溫度在80℃左右。

SC一2(也稱RCA一2):由H20:、HCI、DlW組成。

一般質(zhì)量比為1:l:5。

DHF:HF與DlW組成的稀溶液。

BOE(也稱BHF):HF緩沖溶液,由NH4F和HF組成的混合物。質(zhì)量比在5:1一30:1。

SPM:由H2SO4和H2O2組成,通常質(zhì)量比為4:l 使用溫度超過(guò)100℃

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在半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠中使用的中央化學(xué)藥液供應(yīng)系統(tǒng)可以根據(jù)機(jī)臺(tái)的不同有兩種分類,一種是單純的藥液供應(yīng)系統(tǒng)(Supply Systerm):將化學(xué)液自儲(chǔ)存設(shè)備,利用供酸機(jī)臺(tái)及管路供應(yīng)給制程機(jī)臺(tái)使用。另一種是具有混合、加熱或者攪拌等功能的功能系統(tǒng)(Functional System):將藥液從儲(chǔ)存設(shè)備,先經(jīng)過(guò)稀釋混合、加熱、冷卻或者攪拌沉淀的功能之后,再供應(yīng)給制程機(jī)臺(tái)使用。具體使用哪種供液方式,取決于機(jī)臺(tái)的功能以及工藝上的要求。

2.1中央供藥液基本要求

不同系統(tǒng)會(huì)有不同的要求,但是大部分的供液系統(tǒng)有相同基本的要求:

(l)操作安全性,能耐腐蝕、耐壓力、防爆等:

(2)化學(xué)液零污染,要求系統(tǒng)中與化學(xué)液接觸部分完全與化學(xué)液兼容,不會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)或者溶解:

(3)微粒子控制,藥液因?yàn)闇囟葔毫赡軙?huì)產(chǎn)生微粒,需要用過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾:

(4)流量要求,各個(gè)機(jī)臺(tái)需要的流量不同,整個(gè)供液系統(tǒng)需要滿足最高的流量要求:

(5)泄露報(bào)警,如果系統(tǒng)中有泄露的地方,需要立即發(fā)出警報(bào),在界面中顯示出泄露大概區(qū)域,并且暫停這一部分的供液功能,關(guān)閉相關(guān)部分的閥門和動(dòng)力系統(tǒng),使得故障能迅速恢復(fù),將損失降到最低。把信息結(jié)果匯入故障診斷系統(tǒng);

(6)取樣分析,各段供應(yīng)的化學(xué)液需要進(jìn)行自動(dòng)取樣分析,根據(jù)需要分析系統(tǒng)和管路中帶入的粒子以及金屬離子。把結(jié)果匯入故障診斷系統(tǒng);

(7)自動(dòng)控制運(yùn)轉(zhuǎn),系統(tǒng)和各個(gè)機(jī)臺(tái)的交互運(yùn)行能夠進(jìn)行自動(dòng)控制,提供運(yùn)行監(jiān)控界面,顯示實(shí)時(shí)系統(tǒng)狀態(tài),其中包括泵、過(guò)濾系統(tǒng)、壓力容器等的各種參數(shù),如果一旦有參數(shù)超出正常范圍,進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)之后將進(jìn)行報(bào)警,將信息匯入故障診斷系統(tǒng);

(8)自動(dòng)的維護(hù)保養(yǎng)系統(tǒng)功能,能夠在系統(tǒng)閑時(shí),根據(jù)具體情況,定期對(duì)系統(tǒng)管路進(jìn)行保養(yǎng)維護(hù)以及清潔,延長(zhǎng)各個(gè)系統(tǒng)的使用,提高系統(tǒng)的安全性:

(9)化學(xué)液用量的統(tǒng)計(jì),能根據(jù)人為控制或者自動(dòng)結(jié)算監(jiān)控,及時(shí)調(diào)整藥液供應(yīng)時(shí)間和頻率,使得藥液供應(yīng)能及時(shí)補(bǔ)充生產(chǎn),不成為整個(gè)生產(chǎn)的瓶頸;

(10)系統(tǒng)白動(dòng)故障診斷,根據(jù)前面提及的各個(gè)控制系統(tǒng)匯總的故障信息,自動(dòng)診斷故障點(diǎn)或者可能發(fā)生故障點(diǎn)的相關(guān)度,最大化的縮短故障排除時(shí)間。

2.3 中央集中供藥液方式

一首先根據(jù)藥液使用量的人小選擇藥液的供應(yīng)容器,如果使用量很大,比如在多個(gè)清洗步驟中都會(huì)使用到的強(qiáng)氧化劑11202以及強(qiáng)酸濃硫酸H2SO4,就使用槽車供應(yīng)先到化學(xué)液充填站,再使用氮?dú)饧訅狠斔椭链笥?0m3的存儲(chǔ)罐中。使用量中等或者少量的化學(xué)液例如HF以及顯影液等,則使用便攜式可移動(dòng)的容器來(lái)輸送到主管路。經(jīng)過(guò)過(guò)濾系統(tǒng)的化學(xué)液則通過(guò)氮?dú)饣蛘弑梅謩e輸入各個(gè)三通閥箱。

化學(xué)液的驅(qū)動(dòng)方式有兩種,一種是泵傳輸,一種是使用N2產(chǎn)生壓力輸送。其中常用于半導(dǎo)體中央供藥液的泵也有很多種類,其中因?yàn)轵?qū)動(dòng)方式的不同可以分為氣動(dòng)泵、電動(dòng)泵和磁力泵等,其中氣動(dòng)泵成本經(jīng)濟(jì),并且可使用耐腐蝕材料制造,輸送一些酸性藥液。磁力泵密封性很好,可以做到完全不泄露,動(dòng)力輸入和輸出可以完全零摩擦,降低能耗。電機(jī)驅(qū)動(dòng)的泵可以做到很精確的閉環(huán)控制,已達(dá)到最終的高精度輸出.而N2壓力輸送,常用在一些藥液黏度大,用量精度高、揮發(fā)性強(qiáng)以及燃點(diǎn)低的情況下。

2.4 化學(xué)液集中供應(yīng)系統(tǒng)控制流程

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圖1:中央集中供液的總體流程示意圖

液會(huì)根據(jù)使用量的大小采取不同的供應(yīng)容器,通過(guò)化學(xué)液過(guò)濾系統(tǒng)CDU過(guò)濾不符合要求的微粒子,再通過(guò)三通閥箱TeeBox閥箱以及分支閥VMB供應(yīng)到各個(gè)機(jī)臺(tái),其中在各段不同點(diǎn)需要有化學(xué)液采樣分析盒SampleBox,最終的分析信息需要匯總到總控制臺(tái)的故障診斷系統(tǒng)。圖2:?jiǎn)温范喾答伩刂屏鞒虉D。

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具體到單路的控制流程里,主管路將溶液供應(yīng)到CDU過(guò)濾系統(tǒng),當(dāng)化學(xué)液中的微粒尺寸和數(shù)量滿足要求之后,會(huì)將電信號(hào)反饋給OCP即運(yùn)算處理器。當(dāng)機(jī)臺(tái)發(fā)出需求信號(hào)時(shí),OCP判斷CDU信號(hào),如果滿足要求OCP將控制信號(hào)通過(guò)HUB放大信號(hào)之后發(fā)送給VMB分支閥箱,這時(shí)過(guò)濾好的藥液就會(huì)通過(guò)三通閥箱以及分支閥箱供應(yīng)給機(jī)臺(tái)。如果機(jī)臺(tái)、閥箱以及過(guò)濾系統(tǒng)有漏液、堵塞以及完成等態(tài),信號(hào)會(huì)被反饋給OCP,OCP將處理當(dāng)前狀態(tài),關(guān)閉執(zhí)行單元,并且將信號(hào)通過(guò)HUB發(fā)送到系統(tǒng)數(shù)據(jù)監(jiān)控和采集系統(tǒng)SCADA System,相應(yīng)發(fā)出警示或者警報(bào)。

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在一些清洗或者刻蝕工藝中,有些機(jī)臺(tái)使用的是不同化學(xué)液的混合物,需要根據(jù)一定的體積或者質(zhì)量比例進(jìn)行配液。機(jī)臺(tái)可能會(huì)在工藝槽中直接配液,或者有配液槽進(jìn)行提前配液以及其它的預(yù)備功能,比如加熱、攪拌反應(yīng)或者冷卻降溫等?,F(xiàn)在通常使用的都是將質(zhì)量比例換算成體積比例進(jìn)行配比。精度要求不高的,并且混合后體積不會(huì)有很大變化的混液過(guò)程,可以通過(guò)混液槽里使用液位傳感器進(jìn)行體積控制。精度要求高的使用流量傳感器來(lái)測(cè)量流過(guò)的液體體積。為了達(dá)到較高的精度要求,傳感器則需要安裝在距離配液容器進(jìn)口處,圖4為帶混液槽的化學(xué)品部分系統(tǒng)示意圖。

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2.5 化學(xué)液集中供應(yīng)安全防護(hù)系統(tǒng)

化學(xué)液輸送系統(tǒng)需要以下安全裝置:

(1)設(shè)置溢出流量閥或者開(kāi)關(guān)(Excess Valve Switch)以及相應(yīng)排放管道,用于在系統(tǒng)中由于某些故障造成的輸送無(wú)法停止、泄露以及腐蝕等等緊急情況下,化學(xué)液的排放溢出。

(2)泄露相關(guān)安全保護(hù),其中包括檢測(cè)化學(xué)液泄露的傳感器。這類傳感器有耐腐蝕性,能夠保證長(zhǎng)時(shí)間的檢測(cè)壽命。可根據(jù)具體化學(xué)液的性質(zhì)進(jìn)行類型選擇,如果有導(dǎo)電性,可選擇導(dǎo)線式傳感器,可根據(jù)不同點(diǎn)之間電阻值得變化檢測(cè)到泄露以及泄露位置。如果無(wú)導(dǎo)電性,可選擇光電式傳感器,可避免化學(xué)液接觸導(dǎo)致的腐蝕。除了選擇檢測(cè)傳感器,還需要有泄露二次圍堵和排放功能,以免泄露造成污染腐蝕等引起的二次危險(xiǎn)和損失。

(3)各段化學(xué)液供應(yīng)源處安裝手動(dòng)開(kāi)關(guān),在遇有緊急情況時(shí)可切斷化學(xué)液供應(yīng)或者分流,以保證需要保護(hù)的裝備切斷或者減少化學(xué)液進(jìn)入。

(4)化學(xué)液捅、槽和柜進(jìn)行填充時(shí),需要有液位傳感器或者壓力傳感器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)液液位及壓力,如果超過(guò)設(shè)定值時(shí)供應(yīng)必須自動(dòng)停止。

(5)易燃易爆化學(xué)液輸送系統(tǒng)應(yīng)該配有滅火裝置,使用火焰、溫度或者煙霧傳感器監(jiān)測(cè),一旦發(fā)生險(xiǎn)情,必須能進(jìn)行有效的滅火且有聲光報(bào)警,以及遠(yuǎn)程報(bào)警信號(hào)傳輸。

2.6 超高純化學(xué)品系統(tǒng)材料選擇:

? ?化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)中設(shè)備容器及管路使用的材料表:

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半導(dǎo)體工藝化學(xué)過(guò)程中,需要用到200多種超純的化學(xué)品。人們通常把這些化學(xué)品都統(tǒng)稱為“電子化學(xué)品,廣義的電子化學(xué)品涵括太陽(yáng)能級(jí)、液晶顯示級(jí)、以及半導(dǎo)體級(jí)的各種超純化學(xué)品。這些化學(xué)品的一個(gè)共同點(diǎn)是,對(duì)其中微量的雜質(zhì)含量控制非常嚴(yán)格。毫無(wú)疑問(wèn),超純的PFA材料非普通PFA因其特殊的化學(xué)性能(耐溫、耐腐蝕、雜質(zhì)析出量少等特性)是此類化學(xué)品的首選,下圖一、圖二是某公司PFA材料的雜質(zhì)含量數(shù)據(jù):

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08.png

:1.檢測(cè)按?SEMI Standard F57?規(guī)定的方法進(jìn)行;

? ? ? ?2.“ρA”為?PFA?本體中金屬離子的含量,單位?μg/m2;“ρB”為析出水中的金屬離子的質(zhì)量濃度,單位?μg/L;

? ? ? ?3.“…”代表低于檢出限?;

? ? ?這些雜質(zhì)的含量需要用專門的儀器如ICP-MS來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。即使如此,這些雜質(zhì)尤其金屬離子如果超標(biāo),極易導(dǎo)致半導(dǎo)體的電性能異常,輕則導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵,重則完全報(bào)廢。以超純氫氟酸(HF)為例,其雜質(zhì)含舉要求見(jiàn)下表。

?

此外,電子化學(xué)品生產(chǎn)出來(lái)后,需要運(yùn)輸?shù)绞褂脝挝唬ㄈ缣?yáng)能電池片、液晶而板廠、芯片廠等)供其使用。運(yùn)輸一般需要專用的ISO TANK(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)液體罐式集裝箱),材質(zhì)一般為不銹鋼內(nèi)襯超純PFA。在使用單位,上而述及的酸、堿等電子化學(xué)品其儲(chǔ)罐需要超純PFA來(lái)襯里,其輸送的管線也需要用PFA雙套管。

附注:PFA材料主要性質(zhì):熔點(diǎn)302~310℃,相對(duì)密度2.12一2.17;23℃和200℃時(shí),拉伸強(qiáng)度分別為27一31MPa和一11MPa,屈服強(qiáng)度為15MPa和45MPa; 23℃時(shí)延伸率280%一400%,邵氏硬度D60,線脹系數(shù)(20一100℃)0.12×10-3K-1,最高連續(xù)使用溫度260℃。PFA樹(shù)脂對(duì)幾乎對(duì)所有的化學(xué)試劑和溶劑是惰性的,與通常的酸、強(qiáng)堿、氧化還原劑、鹵素或溶劑接觸都基本無(wú)變化,但和其他全氟碳聚合物一樣會(huì)與熔融堿金屬和元素氟反應(yīng)。

關(guān)于化學(xué)品系統(tǒng)施工方面可參考《GB 50781-2012 電子工廠化學(xué)品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》


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