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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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華林科納(江蘇)工程師分享半導(dǎo)體制備工藝

時(shí)間: 2018-06-09
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中國政府“十三五“規(guī)劃草案,經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機(jī)器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先,研發(fā)經(jīng)費(fèi)將達(dá)GDP2.5%。

那么半導(dǎo)體是怎么制造出來的?這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程,而是聚焦于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設(shè)備。

半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過程:

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半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序

這些高端精細(xì)的制備過程對(duì)芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設(shè)備要求是極高的,這些機(jī)器設(shè)備會(huì)令硅芯片(如英特爾硅芯片)遭受超強(qiáng)真空處理、「化學(xué)浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟,同時(shí)還要使硅芯片經(jīng)過數(shù)百個(gè)制造階段,從而將它們變成CPU、存儲(chǔ)器片、圖形處理器等。我們以美國應(yīng)用材料公司的梅坦技術(shù)中心半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境和制備設(shè)備為例。

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1.無塵室

在進(jìn)入研究中心以前,必須穿上防護(hù)服,戴上面具、護(hù)目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車間,相反,這個(gè)無塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境,應(yīng)用材料公司的設(shè)備將在這種環(huán)境下使用,以便公司及其客戶可以測試新技術(shù)和新工藝,然后真正將它們推向生產(chǎn)線。

2.玻璃光掩膜

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芯片制造的核心技術(shù)是平版印刷(光刻),這種技術(shù)就像是絲網(wǎng)印刷,只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上,而是通過玻璃光掩膜,使紫外光照射表面涂有光刻膠(一種有機(jī)化合物)的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方,光刻膠的化學(xué)特性會(huì)被削弱,使硅芯片表面留下圖案。接著,硅芯片會(huì)被送入一個(gè)「化學(xué)浴室」,在暴露在外的硅襯底上蝕刻溝槽,同時(shí)光刻膠覆蓋的區(qū)域不會(huì)受到任何影響。在去除了光刻膠以后,其他設(shè)備會(huì)用各種材料填補(bǔ)溝槽,比如用于制造處理器零部件的銅或鋁。此圖顯示的就是光掩膜,上面印有將打印到硅芯片上的圖案。

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3.技術(shù)一流的機(jī)器設(shè)備

隨著硅芯片被送進(jìn)制造車間,它將經(jīng)過多達(dá)250個(gè)不同步驟的處理。這些步驟包括給各種材料覆上一層薄膜,接著蝕刻以制成晶體管和銅線。右圖是Endura機(jī)器。Endura平臺(tái)是一個(gè)模塊化、可配置系統(tǒng),用于將金屬和金屬合金安裝到硅芯片。左圖則是TetraIII先進(jìn)掩膜刻蝕系統(tǒng)。世界各地所有的掩膜制造商都利用這套系統(tǒng)開發(fā)和生產(chǎn)直徑為45納米的掩膜。

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4.平板印刷室

根據(jù)現(xiàn)階段的技術(shù)發(fā)展水平制造的芯片直徑是30納米,也就是說,芯片零部件的平均尺寸大概是300億分之一米。芯片制造商目前正在開發(fā)直徑22納米的芯片設(shè)計(jì),這會(huì)使得芯片零部件的尺寸更小。有些零部件的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過寬度,有時(shí),這一比例達(dá)到60比1,進(jìn)一步增加了芯片制造的難度。因?yàn)檫@意味著蝕刻系統(tǒng)必須能以納米刻度,以超高精度在芯片上刻下極深、極窄的溝槽。平板印刷室里面點(diǎn)著黃色的燈,避免光掩膜與紫外線相互干擾。

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5.極端真空狀態(tài)

技術(shù)人員在Endura系統(tǒng)的觸摸屏界面上工作。圖為大型銀泵,用于在機(jī)器內(nèi)產(chǎn)生極端真空狀態(tài)——低至10-12個(gè)大氣。相比之下,距地面124英里(約合200公里)的高空(航天飛機(jī)飛行軌道所在位置)的氣壓為10-10個(gè)大氣。

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6.前置式晶圓傳送盒

過去幾十年,用于制造芯片的硅芯片在尺寸上穩(wěn)步增加,使得制造商可以在每張盤上集成更多的芯片。從2000年開始,硅芯片直徑的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直為300毫米。為簡化傳送過程,將污染的風(fēng)險(xiǎn)降至最低程度,晶圓廠會(huì)充分利用前置式晶圓傳送盒(簡稱FOUP)。每個(gè)前置式晶圓傳送盒可以在無菌的清潔環(huán)境下放置25個(gè)硅芯片。接著,機(jī)器吸入里面的硅芯片,一個(gè)個(gè)地自動(dòng)快速加工。

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7. 高度自動(dòng)化

放滿硅芯片的前置式晶圓傳送盒很重,大約為9公斤,自動(dòng)化就成了無塵室設(shè)計(jì)的重要部分。無塵室有一條自動(dòng)化懸掛單軌,可將前置式晶圓傳送盒從一處輸送至另一處。在照片中顯示的密封房間內(nèi),最多可以放置700個(gè)前置式晶圓傳送盒(可裝1.75萬個(gè)硅芯片)。機(jī)械臂將它們從兩側(cè)移進(jìn)移出,放置在貫穿于整個(gè)無塵室的懸掛單軌(這張照片上沒顯示)。

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另外2800個(gè)前置式晶圓傳送盒可以存放于主無塵室下面的一層。現(xiàn)代無塵室中的每一臺(tái)機(jī)器都圍繞300毫米的硅芯片設(shè)計(jì)和制造。新一代芯片將采用450毫米的硅芯片制造,從而實(shí)現(xiàn)更大的規(guī)模效益。但是,要與450毫米的硅芯片兼容使用,整個(gè)行業(yè)必須更換每一個(gè)設(shè)備零部件。

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8.零部件精確制造

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雖然電腦芯片僅相當(dāng)于手指甲大小,但卻由數(shù)億個(gè)晶體管構(gòu)成,而用于將這些晶體管連接于機(jī)器、再將機(jī)器與主板和剩余世界連接的配線更是像迷宮一般。芯片全部是用直徑大約1英尺(約合30厘米)的圓形硅芯片制造,每個(gè)可以包含200個(gè)獨(dú)立、但外形相同的處理器。由于偶爾會(huì)發(fā)生污染事件,雖然無塵室極為干凈,制造商仍必須測試那些處理器的每一個(gè)零部件,以確保5億個(gè)零部件(每個(gè)直徑僅30至45納米左右)在制造過程中不會(huì)出現(xiàn)任何瑕疵。所以,這類機(jī)器的成本高達(dá)數(shù)千億美元。一個(gè)可容納數(shù)百臺(tái)此類機(jī)器的成熟晶圓廠,建造成本達(dá)數(shù)十億美元。

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