濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。

濕法腐蝕工藝由于其低成本，高產(chǎn)出，高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接受和使用。華林科納經(jīng)過多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)的不斷改良，使得我們的設(shè)備在工藝路徑及技術(shù)要求上得到穩(wěn)步的提高，濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展：

a.自動化

b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的控制，阻止人為因素的影響。

c.點(diǎn)控制過濾控制，以減小腐蝕過程中缺陷的產(chǎn)生

d.自動噴淋設(shè)備的開發(fā)。

所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個(gè)更美好的前景。

濕法腐蝕機(jī)理

濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為3步：

1:反應(yīng)物（指化學(xué)藥劑）擴(kuò)散到反應(yīng)表面

2:實(shí)際反應(yīng)（化學(xué)反應(yīng)）

3:反應(yīng)生成物通過擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面

在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形，光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線擇濕法腐蝕工藝時(shí)，必須線擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力，良好的完整覆蓋特性，光刻膠常被用來作為版層材料，但有時(shí)邊緣的黏附性差，常采用HMDS以增強(qiáng)其黏附性

濕法腐蝕反應(yīng)時(shí)可能存在多種反應(yīng)機(jī)理，許多反應(yīng)是一種或多種反應(yīng)共同作用的結(jié)果，最簡單的一種是在溶液中溶解。

影響濕法腐蝕的因素

濕法腐蝕質(zhì)量的好壞，取決于多種因素，主要的影響因素有：

1:掩膜材料（主要指光刻膠）

顯影不清和曝光強(qiáng)度不夠，會使顯影時(shí)留有殘膠，通常會使腐蝕不凈。

2:須腐蝕膜的類型（指如SIO2.POLY,SILICON等）

3:腐蝕速率：腐蝕速率的變化會使腐蝕效果發(fā)生改變，經(jīng)常會導(dǎo)致腐蝕不凈或嚴(yán)重過腐蝕，從而造成異常

4:浸潤與否：由于在濕法腐蝕時(shí)由于腐蝕液與膜間存在表面張力，從而使腐蝕液難于到達(dá)或進(jìn)入被腐蝕表面和孔，難于實(shí)現(xiàn)腐蝕的目的，大多數(shù)情況下，為減小表面張力的影響，會在腐蝕槽中加入一定量的浸潤。

?由于濕法腐蝕的特性，在對不同的材料進(jìn)行腐蝕時(shí)必須選擇相應(yīng)的腐蝕藥液和工藝條件，在開發(fā)濕法腐蝕和清洗菜單時(shí)必須注意此藥液對硅片上其它膜層和材料的影響，同時(shí)必須考慮濕法腐蝕特性所帶來的一些其它問題。

華林科納作為非標(biāo)濕法設(shè)備制造商，會滿足客戶的一切技術(shù)要求，并能給客戶提供最理想的方案以及后期的維護(hù)及追蹤。