歡迎訪問華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)

Homepage 收藏本站關(guān)于我們 Contact Us 在線留言

網(wǎng)站地圖

手機(jī)網(wǎng)站

始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國(guó)服務(wù)熱線 --- 0513-87733829

熱門關(guān)鍵詞：

刻蝕機(jī)

濕法腐蝕清洗機(jī)

腐蝕清洗機(jī)

顯影機(jī)

CDS供液系統(tǒng)

新聞資訊新聞中心

熱線電話:

400-838-6609

400-8798-096

聯(lián)系電話

聯(lián)系我們

掃一掃

QQ客服

SKYPE客服

旺旺客服

新浪微博

分享到豆瓣

推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心

外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...

新聞中心新聞資訊

您現(xiàn)在的位置：首頁(yè) → 新聞資訊 → 華林科納動(dòng)態(tài)

半導(dǎo)體材料之濕電子化學(xué)品

時(shí)間: 2021-03-01

點(diǎn)擊次數(shù): 290

2014年9月，國(guó)家大基金一期成立，總投資額1387億，帶動(dòng)新增社會(huì)融資約5000億，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋。近日國(guó)家大基金披露，二期基金已到位，11月開始投資。實(shí)際募資2000億左右，按照1∶3的撬動(dòng)比，所撬動(dòng)的社會(huì)資金規(guī)模在6000億左右。二期基金投資的布局重點(diǎn)在集成電路裝備、材料領(lǐng)域。

2019年1-6月，我國(guó)集成電路進(jìn)口額1376.2億美元，同比下降6.9%；集成電路出口額457.5億美元，同比增長(zhǎng)17.1%。這說明隨著我國(guó)集成電路技術(shù)的進(jìn)步，以及產(chǎn)能的擴(kuò)張，我國(guó)集成電路進(jìn)口替代取得了顯著的效果。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)從前期大力投入，開始進(jìn)入收獲季節(jié)，相關(guān)公司開始增收增利。

近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就因日本限制了關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口，而被鎖住了命運(yùn)的咽喉，半導(dǎo)體材料也因此成為了各界所關(guān)注的焦點(diǎn)。在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的重要支撐。在集成電路芯片制造過程中，每一個(gè)步驟都需要用到相應(yīng)的材料。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測(cè)試材料兩大類。其中，晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、CMP 拋光材料等；封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。

半導(dǎo)體材料之濕電子化學(xué)品 ?

圖 1 半導(dǎo)體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學(xué)品應(yīng)用環(huán)節(jié))

一濕電子化學(xué)品簡(jiǎn)述

濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、互聯(lián)等）制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學(xué)品按用途可分為通用化學(xué)品（又稱超凈高純?cè)噭┖凸δ苄曰瘜W(xué)品（以光刻膠配套試劑為代表）。

1

超凈高純?cè)噭?/span>

??一般要求化學(xué)試劑中控制顆粒的粒徑在0.5μm以下，雜質(zhì)含量低于ppm級(jí)，是化學(xué)試劑中對(duì)顆?？刂?、雜質(zhì)含量要求最高的試劑。

2

功能性化學(xué)品

指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品。功能性化學(xué)品一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。

????從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，超凈高純?cè)噭┬枨罅空急冗_(dá)88%，功能性化學(xué)品占比達(dá)12%。其中，超凈高純?cè)噭┲?，占比較大的依次是，硫酸、雙氧水、氨水、氫氟酸、異丙醇、硝酸以及磷酸；功能性化學(xué)品中，占比較大的依次是，半導(dǎo)體用顯影液、刻蝕液、面板用顯影液、剝離液以及緩沖刻蝕液。

????濕電子化學(xué)品下游行業(yè)多為半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池等技術(shù)密集型行業(yè)，按照應(yīng)用領(lǐng)域不同，對(duì)產(chǎn)品的純度、潔凈度也有不同要求，本文僅以半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)槔M(jìn)行簡(jiǎn)析。

一、在晶圓制造過程中，濕電子化學(xué)品主要用于清洗顆粒、有機(jī)殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物。

二、通過蝕刻液與特定薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，獲得器件的結(jié)構(gòu)。

三、濕電子化學(xué)品也應(yīng)用于后段高端封裝領(lǐng)域的清洗、濺射、黃光、蝕刻等工藝環(huán)節(jié)。

半導(dǎo)體對(duì)濕電子化學(xué)品的微量金屬雜質(zhì)含量、顆粒粒徑和數(shù)量、陰離子雜質(zhì)含量等方面有嚴(yán)格要求。根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕電子化學(xué)品集中在SEMIG3、G4水平，且集成電路線寬越窄，所需標(biāo)準(zhǔn)越高（表1）。

半導(dǎo)體材料之濕電子化學(xué)品 ?