國(guó)產(chǎn)化率低、政策大力支持發(fā)展
半導(dǎo)體設(shè)備鏈?zhǔn)侵伟雽?dǎo)體行業(yè)的上游基礎(chǔ)子產(chǎn)業(yè)，投資價(jià)值巨大，按生產(chǎn)工藝流程可分為前段硅片制備、中段晶圓加工、后段封裝測(cè)試。硅片制備需要設(shè)備為減薄機(jī)、單晶爐、研磨機(jī)等；晶圓加工環(huán)節(jié)則需要熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、清洗設(shè)備等；在封裝測(cè)試環(huán)節(jié)需要切割機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備；此外，還需要潔凈室等設(shè)備作為輔助設(shè)備。
從品類上看，半導(dǎo)體設(shè)備則可分為晶圓處理設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和其他設(shè)備，其他設(shè)備包括硅片制造設(shè)備、潔靜設(shè)備、光罩等。這些設(shè)備分別對(duì)應(yīng)集成電路制造、封裝、測(cè)試和硅片制造等工序，分別用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。
由于國(guó)際巨頭壟斷著全球高端設(shè)備市場(chǎng)，目前，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備普遍國(guó)產(chǎn)化率很低，如光刻機(jī)、離子注入設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率均低于10%，刻蝕機(jī)約10%，CVD/PVD設(shè)備約10%-15%，封測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率普遍小于20%。
為此，打破壟斷、提高國(guó)產(chǎn)化率是當(dāng)務(wù)之急，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控。在此背景下，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策大力支持，出臺(tái)了02專項(xiàng)，即國(guó)家“極大規(guī)模集成電路制:造技術(shù)及成套工藝”項(xiàng)目，在“十二五”期間著重進(jìn)行了45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā)32-22納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈等重要任務(wù)，受益于02專項(xiàng)的扶持，國(guó)內(nèi)設(shè)備企業(yè)如中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、上海微電子等迅速發(fā)展，攻克了一系列關(guān)鍵技術(shù)，在國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程中起到關(guān)鍵作用。
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)壁壘非常高，隨著制程越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的性能和穩(wěn)定性提出了越來(lái)越高的要求，需要投入大量的研發(fā)資金。因此，除了政策支持，我國(guó)也成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金，“大基金”的投資項(xiàng)目覆蓋了集成電路的制造、設(shè)計(jì)、材料設(shè)備、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，大力投資必會(huì)帶動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的快速發(fā)展。
晶圓建廠熱潮掀起，拉動(dòng)設(shè)備需求
在政策和資本的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國(guó)大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。SEMI預(yù)計(jì)，2017-2020年間，全球共將投產(chǎn)62座半導(dǎo)體晶圓廠，中國(guó)大陸新建投產(chǎn)約26座，占比達(dá)42%。此輪建廠潮主要以12寸晶圓廠為主，如果能夠落地，將大大拉動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求。
根據(jù)已公布的晶圓廠建設(shè)投資規(guī)劃進(jìn)行統(tǒng)計(jì)測(cè)算，新建一座晶圓廠平均投資金額約60億美元，設(shè)備投資占總投資金額的70%以上，1萬(wàn)片/月的單位產(chǎn)能對(duì)應(yīng)總投資約8.5億美元，對(duì)應(yīng)設(shè)備投資約6億美元。而在設(shè)備配置中，制造設(shè)備占比最多，占比高達(dá)70%，其中光刻機(jī)、刻蝕機(jī)以及薄膜沉積設(shè)備為核心，各占30%、25%，25%；封裝設(shè)備與測(cè)試設(shè)備占設(shè)備投資比例為15%、10%。
不過(guò)，由于芯片制造領(lǐng)域涉及技術(shù)難度很高，如光刻機(jī)工藝要求極高，國(guó)內(nèi)與國(guó)外水平相差3代以上，短時(shí)間難以趕超，而產(chǎn)業(yè)鏈后端環(huán)節(jié)封裝測(cè)試領(lǐng)域技術(shù)含量相對(duì)較低，因而成為我國(guó)重點(diǎn)突破領(lǐng)域，目前也已經(jīng)成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最具競(jìng)爭(zhēng)力的環(huán)節(jié)。2018年第一季度，中國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)了402.5億元的銷售額，占國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額35%，封裝設(shè)備市場(chǎng)占全球封裝設(shè)備市場(chǎng)的36.8%。
總的來(lái)說(shuō)，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場(chǎng)空間。
以上數(shù)據(jù)及分析均來(lái)自于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《2018-2023年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測(cè)分析報(bào)告》。
來(lái)源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院