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種植體全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)設(shè)備

上市日期: 2019-05-14

種植體全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE


種植體全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)設(shè)備

設(shè)備名稱

種植體全自動(dòng)腐蝕清洗設(shè)備

適用領(lǐng)域

醫(yī)療種植體系統(tǒng)

設(shè)備用途

種植體化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備

基本介紹

主要功能:通過對清洗物腐蝕、噴砂→清洗→酸腐蝕→清洗等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果

設(shè)備形式:室內(nèi)放置型

操作形式:自動(dòng)

設(shè)備制造商

華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司?126xa.cn?0513-87733829;18051335986

? ? ?在種植體制造過程中,完成種植體的機(jī)械塑形后,需要將種植體浸入酸液里,對表面進(jìn)行陽極處理,它會使表面形成多個(gè)孔洞,增進(jìn)種植體與病人頜骨之間的緊密結(jié)合。經(jīng)歷了酸液的陽極處理后,將會轉(zhuǎn)移到最后一道清潔工序,在清潔槽內(nèi)通過超聲波清洗,形成氣泡和水波,輕輕地刷洗種植體,完成種植體的清潔,完成種植體的成品制造。

種植體表面腐蝕清洗的主要目的是要讓鈦更好更快地與人骨結(jié)合,在表面進(jìn)行涂層處理技術(shù)后,進(jìn)行表面粗化技術(shù),以便獲得某種粗糙的表面,以增大表面積,這可使頜骨與種植體間的結(jié)合面積大大增加。

目前,種植體的表面處理工藝較為常見的基本過程為:清洗→噴砂→清洗→酸腐蝕→清洗,多次清洗是為了實(shí)現(xiàn)不同的目的。第一次清洗主要是為了在噴砂前清洗除污,第二次清洗則是為了去除噴砂后殘留雜質(zhì),第三次是為了去除酸腐蝕后的酸液殘留。第二步的噴砂加工工藝,是為了進(jìn)行表面粗化處理,一般噴砂介質(zhì)為氧化鋁砂,粒度根據(jù)表面粗化特性來定義。第四步的酸腐蝕加工,酸溶液的選擇比較靈活,一般可使用強(qiáng)酸溶液(如硝酸、鉻酸等)、強(qiáng)酸混合溶液(如硫酸和鹽酸混合溶液)、強(qiáng)酸和中強(qiáng)酸混合溶液(如硝酸和氫氟酸混合溶液)等,使用酸液能夠有效地達(dá)到粗化目的,又不會在表面上產(chǎn)生有害物質(zhì)。

這與半導(dǎo)體集成電路工藝過程中的刻蝕清洗方式極為相似,作為國內(nèi)先進(jìn)的濕制程專業(yè)制造商,華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在集成電路刻蝕設(shè)備與清洗設(shè)備方面有著豐富的設(shè)計(jì)制造經(jīng)驗(yàn)。通過與國內(nèi)外醫(yī)療器械公司的合作,設(shè)計(jì)研發(fā)了適用于種植體陽極處理與清洗的新型種植體腐蝕清洗機(jī)。該種植體全自動(dòng)腐蝕機(jī)填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白,并已應(yīng)用于國內(nèi)多家醫(yī)療器械公司種植體產(chǎn)線。


更多的種植體全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢0513-87733829可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。


華林科納半導(dǎo)體CSE基于在半導(dǎo)體濕法制程市場的研發(fā),在開發(fā)用于表面處理和醫(yī)療產(chǎn)品凈化的高可靠性生產(chǎn)解決方案也有了成熟的經(jīng)驗(yàn);在口腔種植體等相關(guān)領(lǐng)域,華林科納CSE深入的自主研發(fā),對于口腔種植牙表面處理的也研究了新解決方案,廣泛的流程與工藝技術(shù)也取得了客戶的滿意與信任。

憑借在濕法化學(xué)表面處理的專有知識,在開發(fā)用于口腔種植體表面處理的高可靠性生產(chǎn)解決方案上,華林科納半導(dǎo)體CSE擁有豐富的專業(yè)知識,還能利用廣泛的口腔種植體密封、轉(zhuǎn)移和加工的工藝技術(shù)訣竅。其種種植體酸蝕機(jī)為口腔種植體的刻蝕、正?;幚怼⑩g化、凈化和陽極氧化等濕化學(xué)法而設(shè)計(jì),將各種表面處理步驟集于一臺緊湊的模塊化設(shè)備。為了盡可能改善口腔種植體對最高潔凈度和最佳粗糙度的嚴(yán)苛要求需要盡可能高的精確度、純凈度和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)確。

種植體每項(xiàng)表面處理都需要事前與事后清潔。按照表面處理與清潔要求,需要不同順序的清潔工藝步驟。正確組合超聲波處理、快速濕沖洗和利用化學(xué)品的沖洗與溫度調(diào)節(jié),即使在結(jié)構(gòu)復(fù)雜與多孔基片中,也能達(dá)到最高潔凈度。各種干燥技術(shù)完善清潔流程。結(jié)合緊湊型模塊化平臺、自動(dòng)流程控制與處理并遵循所有法定醫(yī)療技術(shù)要求,造就華林科納CSE種植體酸蝕機(jī)高品質(zhì)設(shè)備。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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