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風囊泵

上市日期: 2023-03-10

風囊泵工作原理:壓縮空氣進入泵的氣相工作腔后,壓縮風囊變形移動,通過換向閥控制壓縮空氣依次進入兩個氣相工作腔工作,利用液相腔的交替吸液排液,實現(xiàn)對液體的輸送。

風囊泵

華林科納自主研發(fā)PTFE風囊泵,有CSE30、CSE60、CSE120三種型號,無金屬設計,安全無泄漏,無橡膠O型圈,不漏水,無需緊固,可滿足200萬以上的形成周期使用。

風囊泵

風囊泵在濕法腐蝕清洗設備中主要有以下應用:

(1)藥液恒溫控制:由風囊泵、循環(huán)溢流槽、閥門、過濾器、管件、熱交換器,制冷機或加熱器等組成溫度控制系統(tǒng)。通過泵使藥液循環(huán)并在熱交換器內(nèi)進行熱交換用以實現(xiàn)藥液的恒溫控制。

(2)藥液的循環(huán)過濾:由風囊泵、循環(huán)溢流槽、閥門、過濾器、管件等組成藥液的循環(huán)過濾系統(tǒng)。實現(xiàn)藥液的循環(huán)過濾,均勻流場。保證工藝槽藥液溫度和濃度的均勻性。

(3)廢液回收和再利用:120℃以上強腐蝕性藥液(如SPM)使用后廢液如直接從工藝槽排至廢液管道,由于溫度高,將導致排液管道的損壞,引起安全事故,采用工藝槽內(nèi)自然冷卻的方法又耗時過長,影響生產(chǎn)效率。一般采用高溫風囊泵將槽內(nèi)藥液輸送至降溫槽,在降溫槽內(nèi)降溫后再排入排廢管道,這種方法即節(jié)省了時間,又保證了生產(chǎn)的安全性,被業(yè)界所廣泛采用。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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