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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

金屬剝離清洗機-CSE

上市日期: 2017-12-07

?金屬剝離清洗機-華林科納(江蘇)CSE

微機電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。

其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)

32.png

設備名稱

華林科納(江蘇)CSE-金屬剝離清洗機

設備系列

CSE-CX13系列

設備概況

尺寸(參考):機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定)

清洗量:6寸25裝花籃2籃;

重量:500Kg( 大約);

工作環(huán)境:室內(nèi)放置;

主體構造特點

外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。

安全門:無安全門,采用敞開式設計;

管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;

閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;

排 風:后下抽風,動力抽風法蘭位于機臺上部;

水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側;

隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;

照明:機臺上方配照明(與工作區(qū)隔離);

機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。

三色警示燈置于機臺上方明顯處。

工作槽參數(shù)

剝離洗槽

槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;

化學藥品:剝離洗液;

藥液供液:人工手動加入;

工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);

加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;

液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測;

計時功能:工藝時間可設定,并可調(diào),到設定時間后聲鳴提示,點擊按鈕后開始倒序計時;

批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時間可記憶,設定次數(shù)和設定時間到后更換藥液;

排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;

槽蓋:配有手動槽蓋;

IPA槽

槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;

化學藥品:IPA;

供液:手動供液

工作時間:約5min并可調(diào);

工作溫度:常溫;

排放: 槽體底部單獨直排;

QDR槽

槽體:長×寬×高= 405×220×260mm,NPP板焊接而成;

供水:雙管路自動供水,3/4供水管徑,1/2溢流給水管,氣動閥控制;

工作溫度:RT;

溢流方式:四面溢流,溢流口為波紋狀;

噴淋: 由槽體頂部兩側的DIW噴淋管和噴嘴實現(xiàn);

鼓泡:槽底部安裝N2鼓泡系統(tǒng),均勻鼓泡,也可根據(jù)需要關閉;

排放:氣動閥控制快速排放,N P P排放管路,快速排放時間≤7秒;

工藝流程:水滿→放入花籃→氮氣鼓泡打開→溢流漂洗+氮氣鼓泡→快排閥打開,快速排放,→噴淋→快排閥關閉,同時底部注水,一次沖洗快排工藝結束;

設備制造商

華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn?400-8768-096 ;18913575037

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更多金屬剝離清洗機設備可以關注華林科納(江蘇)半導體設備官網(wǎng)126xa.cn

現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的金屬剝離清洗機設備的相關方案

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?金屬剝離清洗機-華林科納(江蘇)CSE

微機電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。

其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)

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2016 - 03 - 07
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2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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