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Products 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱:

KOH 刻蝕清洗機(jī)CSE

上市日期: 2016-03-14

?設(shè)備概況:(僅做參考)

主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。
設(shè)備名稱:KOH? Etch刻蝕清洗機(jī)?????????? 設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254
整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);
被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)
設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;
操作形式:手動

各槽位主要技術(shù)工藝:

1002.png

設(shè)備組成:
該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成
設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;
設(shè)備描述:
此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。
8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作
每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合
主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;
臺面板為德國10mm PP板;
DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;
采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;
排風(fēng):位于機(jī)臺后上部
工作照明:上方防酸照明
三菱、歐姆龍 PLC控制。
安全考慮:
設(shè)有EMO(急停裝置),?
強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離
所有電磁閥均高于工作槽體工作液面
電控箱正壓裝置(CDA Purge)
設(shè)備三層防漏? 樓盤傾斜?? 漏液報警? 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)
排放管路加過濾裝置
所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;


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?概述
1.1 設(shè)備概況:

主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。
1.1.1 設(shè)備名稱:KOH? Etch
1.1.2 設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254
1.1.3 整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);
1.1.4 被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)
1.1.5 設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;
1.1.6 操作形式:手動
1.2 設(shè)備組成
該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成
設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;
1.3 設(shè)備描述
?●此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。
?●8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作
?●每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合
?●主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;
?●臺面板為德國10mm PP板;
?●DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;
?●采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;
?●排風(fēng):位于機(jī)臺后上部
?●工作照明:上方防酸照明
?●三菱、歐姆龍 PLC控制。
?●安全考慮:
????? 1. 設(shè)有EMO(急停裝置),
????? 2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離
????? 3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面
????? 4. 電控箱正壓裝置(CDA Purge)
????? 5. 設(shè)備三層防漏? 樓盤傾斜?? 漏液報警? 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)
????? 6. 排放管路加過濾裝置
?●所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;

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2016 - 03 - 07
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2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1...
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